技术特征：
技术总结
一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法，包括以下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将该半绝缘磷化铟单晶放入石英管内，并放入一定量的高纯红磷和铁粉；对装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管进行抽真空，并封口；将装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管放入高温退火炉内，在磷气氛和磷化铁气氛共同存在的气氛下高温退火。本发明的降低半绝缘磷化铟单晶深能级缺陷的方法将半绝缘InP晶体在P和FeP2气氛下退火处理，能显著的减少InP晶片的深能级缺陷，可以获得电学性能优异、热稳定性好的半绝缘lnP单晶。
技术研发人员：谢辉;赵有文;董志远;刘京明
受保护的技术使用者：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
技术研发日：2018.02.13
技术公布日：2018.08.10