一种减少BBO晶体中间包络的方法与流程

本发明涉及一种人工晶体生长领域，尤其涉及一种减少bbo晶体中间包络的方法。

背景技术：

低温相偏硼酸钡β-bab2o4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。

该晶体目前采用顶部籽晶法生长，晶体生长过程采用缓慢降温，靠流体自然对流生长，自然对流熔体中间的对流特别小，生长出来的晶体中间包络严重。

技术实现要素：

本发明目的是通过利用高度为坩埚高度三分之一的圆锥体形成特殊温度梯度，增加熔体中心的自然对流，减少晶体中间包络。

本发明采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，铂金坩埚和熔盐炉为生长装置，所述铂金坩埚底部内嵌一个铂金制作的圆锥体，圆锥体高度为坩埚高度的三分之一。利用圆锥体形成的特殊温度梯度，增加熔体中心的自然对流，减少晶体中间的包络。

附图说明

图1是本发明坩埚示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明：

实施方式一：

将bbo原料碳酸钡，硼酸，氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透，装入坩埚底部内嵌圆锥体的铂金坩埚中，将坩埚置于熔盐炉中，升温至1100℃，原料达到熔融状态，将熔体温度降至1000℃下籽晶，将固定有bbo籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面，以5转/分的速度旋转籽晶杆，当晶体生长快至坩埚壁时，籽晶杆停止转动，开始1℃/d速率降温，经过5个月，取出晶体。