技术特征：
技术总结
一种形成石墨烯纳米带的方法，包括：提供基板，所述基板包括铜箔或泡沫镍中的至少一者，并将所述基板置于处理腔室中的减压环境中。所述方法还包括提供甲烷气体和1,2‑二氯苯(1,2‑DCB)气体，使甲烷气体和1,2‑DCB流入所述处理腔室中，并在所述处理腔室中建立1,2‑DCB气体与甲烷气体的分压比。所述分压比在0和3之间。所述方法进一步包括：生成等离子体，之后，将所述基板的至少一部分暴露于甲烷气体、1,2‑DCB气体和等离子体，和将耦合到所述基板的至少一部分的石墨烯纳米带进行生长。
技术研发人员：徐诚志;叶乃裳
受保护的技术使用者：加州理工学院
技术研发日：2018.09.26
技术公布日：2019.04.02