一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法与流程

文档序号:18641977发布日期:2019-09-11 23:32阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法,包括:对CVD生长的石墨烯进行预处理,然后平置于目标基底上,使石墨烯侧与目标基底接触;将生长基底与目标基底固定在一起,将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结,获得黏结后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并置于真空环境中,去除石墨稀与目标基底之间的空气;保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化,获得胶黏剂固化后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除,获得残留腐蚀性溶液的石墨烯‑目标基底复合结构;清洗,干燥,获得目标基底与石墨烯薄膜结合体,完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA,可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。

技术研发人员:牛刚;武和平;任巍;姜陆月;梁欧文;赵金燕;刘杨杨;谢亚宏
受保护的技术使用者:西安交通大学
技术研发日:2019.06.03
技术公布日:2019.09.10
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