技术特征：
技术总结
本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底‑石墨烯‑目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯‑目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。
技术研发人员：牛刚;武和平;任巍;姜陆月;梁欧文;赵金燕;刘杨杨;谢亚宏
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2019.06.03
技术公布日：2019.09.10