1.一种摄像头装饰件，其特征在于，所述摄像头装饰件的材料为陶瓷材料，所述摄像头装饰件具有通孔。
2.根据权利要求1所述的摄像头装饰件，其特征在于，所述摄像头装饰件的材料为氧化锆陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的摄像头装饰件，其特征在于，所述摄像头装饰件的化学组成以质量百分比计包括：86％～90％的氧化锆、2％～5％的氧化钇、1％～2％的氧化铪、1％～2％的三氧化二铬、1％～1.5％的三氧化二铁、0.5％～1.0％的三氧化二铒、0.3％～0.8％的三氧化二铝、0.3％～0.8％的二氧化硅、0.1％～0.6％的氧化镍及0.1％～0.6％的氧化锰。
4.根据权利要求1～3任一项所述的摄像头装饰件，其特征在于，所述摄像头装饰件的硬度在750hv～1500hv。
5.根据权利要求1～3任一项所述的摄像头装饰件，其特征在于，所述摄像头装饰件的耐震动摩擦的时间在4h以上。
6.一种摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：按照预设的形状及尺寸要求对陶瓷件进行加工，并在所述陶瓷件上形成通孔。
7.根据权利要求6所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述陶瓷件为氧化锆陶瓷件。
8.根据权利要求7所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述陶瓷件的化学组成以质量百分比计包括：86％～90％的氧化锆、2％～5％的氧化钇、1％～2％的氧化铪、1％～2％的三氧化二铬、1％～1.5％的三氧化二铁、0.5％～1.0％的三氧化二铒、0.3％～0.8％的三氧化二铝、0.3％～0.8％的二氧化硅、0.1％～0.6％的氧化镍及0.1％～0.6％的氧化锰。
9.根据权利要求6所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述按照预设的形状及尺寸要求对陶瓷件进行加工的步骤之前，还包括制备所述陶瓷件的步骤：
将混合料成型，得到坯体，所述混合料包括固体原料，其中，所述固体原料包括氧化锆、氧化钇、氧化铪、三氧化二铬、三氧化二铁、三氧化二铒、三氧化二铝、二氧化硅、氧化镍及氧化锰，所述固体原料中，所述氧化锆的质量百分含量为86％～90％，所述氧化钇的质量百分含量为2％～5％，所述氧化铪的质量百分含量为1％～2％，所述三氧化二铬的质量百分含量为1％～2％，所述三氧化二铁的质量百分含量为1％～1.5％，所述三氧化二铒的质量百分含量为0.5％～1.0％，所述三氧化二铝的质量百分含量为0.3％～0.8％，所述二氧化硅的质量百分含量为0.3％～0.8％，所述氧化镍的质量百分含量为0.1％～0.6％，所述氧化锰的质量百分含量为0.1％～0.6％；及
将所述坯体烧结，得到所述陶瓷件。
10.根据权利要求9所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述将混合料成型的方法为干压成型，成型压力为180mpa～240mpa，温度为40℃～80℃。
11.根据权利要求9所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述将混合料成型的步骤之前，还包括制备所述混合料的步骤：将所述固体原料与溶剂混合球磨，得到所述混合料。
12.根据权利要求11所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括乙醇、甲苯及乙二醇中的至少一种。
13.根据权利要求9～12任一项所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，将所述坯体烧结的步骤中，烧结温度为1300℃～1500℃。
14.根据权利要求9～12任一项所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述将所述坯体烧结的步骤之前，还包括如下步骤：将所述坯体在300℃～600℃下进行排胶处理。
15.根据权利要求9～12任一项所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述混合料的粒径为500纳米～1200纳米。
16.根据权利要求6～12任一项所述的摄像头装饰件的制备方法，其特征在于，所述按照预设的形状及尺寸要求对陶瓷件进行加工，并在所述陶瓷件上形成通孔的步骤之后，还包括如下步骤：对加工后的所述陶瓷件进行抛光处理。
17.一种壳体，其特征在于，包括：
基底，具有安装孔；及
摄像头装饰件，至少部分收容于所述安装孔，且与所述基底固定连接，所述摄像头装饰件为权利要求1～5任一项所述的摄像头装饰件。
18.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求17任一项所述的壳体；
摄像头，设置在所述基底的一侧，且与所述通孔相对；及
镜片，固定于所述摄像头装饰件的远离所述摄像头的一侧。
19.一种陶瓷材料，其特征在于，以质量百分含量计包括如下组分：86％～90％的氧化锆、2％～5％的氧化钇、1％～2％的氧化铪、1％～2％的三氧化二铬、1％～1.5％的三氧化二铁、0.5％～1.0％的三氧化二铒、0.3％～0.8％的三氧化二铝、0.3％～0.8％的二氧化硅、0.1％～0.6％的氧化镍及0.1％～0.6％的氧化锰。