pm，氧化铋 320ppm，氧化钼50ppm，氧化硼350ppm，娃酸|丐500ppm，碳酸锂150ppm，二氧化娃60ppm，聚乙 烯醇缩醛2200ppm，吸附剂7. 5 X 106ppm，乳化剂5 X 105ppm。
[0036] 本发明还提出的上述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，包括如下步骤：
[0037] S1、将吸附剂和乳化剂加入水中搅拌均匀后，超声分散20min后得到第一物料；
[0038] S2、将硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌和硫酸铁加入水中溶解得到第二物料；
[0039] S3、将第二物料滴加入第一物料中，接着干燥后进行焙烧，冷却得到粉体物料；
[0040] S4、向粉体物料中加入氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化钼、氧化硼、硅酸钙、碳酸锂、 二氧化硅和聚乙烯醇缩醛进行喷雾造粒，压片成型，烧结得到高导磁率高阻抗铁氧体材料。
[0041] 实施例2
[0042] 本发明提出的一种高导磁率高阻抗铁氧体材料，其原料包括主料和辅料，其中主 料按摩尔份包括：硫酸镍7份，硫酸铜13. 2份，硫酸锌7. 2份，硫酸铁53. 4份；
[0043] 以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕600ppm，氧化钒450ppm，氧化铋 380ppm，氧化钼80ppm，氧化硼330ppm，娃酸|丐600ppm，碳酸锂lOOppm，二氧化娃40ppm，聚碳 酸酯 2400ppm，吸附剂 6. 5 X 106ppm，乳化剂 6 X 105ppm。
[0044] 本发明还提出的上述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，包括如下步骤：
[0045] S1、将吸附剂和乳化剂加入水中搅拌均匀后，超声分散28min后得到第一物料，其 中吸附剂和水的重量比为2:3 ;
[0046] S2、将硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌和硫酸铁加入水中溶解得到第二物料，第二物料中 的硫酸根浓度为〇· 6mol/L ;
[0047] S3、将第二物料滴加入第一物料中，接着干燥后升温至220°C，保温I. 5h，再升温 至420°C，保温I. 5h，接着升温至620°C，保温3h，然后升温至750°C，保温9h，冷却得到粉体 物料；
[0048] S4、向粉体物料中加入氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化钼、氧化硼、硅酸钙、碳酸锂、 二氧化硅和聚碳酸酯进行喷雾造粒，压片成型，压片成型的压力为12MPa，烧结得到高导磁 率高阻抗铁氧体材料，烧结温度为900 °C。
[0049] 实施例3
[0050] 本发明提出的一种高导磁率高阻抗铁氧体材料，其原料包括主料和辅料，其中主 料按摩尔份包括：硫酸镍6份，硫酸铜14份，硫酸锌6份，硫酸铁54. 5份；
[0051 ] 以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕300ppm，氧化钒600ppm，氧化铋 300ppm，氧化钼20ppm，氧化硼400ppm，娃酸|丐250ppm，碳酸锂200ppm，二氧化娃80ppm，粘结 剂2000ppm，吸附剂8X 106ppm，乳化剂4X IO5Ppm ;其中粘结剂由尼龙和聚砜树脂组成。
[0052] 本发明还提出的上述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，包括如下步骤：
[0053] S1、将吸附剂和乳化剂加入水中搅拌均匀后，超声分散22min后得到第一物料，其 中吸附剂和水的重量比为4:1 ;
[0054] S2、将硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌和硫酸铁加入水中溶解得到第二物料，第二物料中 的硫酸根浓度为〇· 8mol/L ;
[0055] S3、将第二物料滴加入第一物料中，接着干燥后升温至200°C，保温2h，再升温至 400°C，保温2h，接着升温至600°C，保温4h，然后升温至730°C，保温10h，冷却得到粉体物 料；
[0056] S4、向粉体物料中加入氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化钼、氧化硼、硅酸钙、碳酸锂、 二氧化硅和聚碳酸酯进行喷雾造粒，压片成型，压片成型的压力为lOMPa，烧结得到高导磁 率高阻抗铁氧体材料，烧结温度为950 °C。
[0057] 实施例4
[0058] 本发明提出的一种高导磁率高阻抗铁氧体材料，其原料包括主料和辅料，其中主 料按摩尔份包括：硫酸镍7. 5份，硫酸铜13份，硫酸锌7. 5份，硫酸铁53份；
[0059] 以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕700ppm，氧化钒400ppm，氧化铋 400ppm，氧化钼150ppm，氧化硼300ppm，娃酸|丐800ppm，碳酸锂50ppm，二氧化娃20ppm，聚砜 树脂 2500ppm，吸附剂 6 X 106ppm，乳化剂 7 X 105ppm。
[0060] 本发明还提出的上述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，包括如下步骤：
[0061] S1、将吸附剂和乳化剂加入水中搅拌均匀后，超声分散30min后得到第一物料，其 中吸附剂和水的重量比为3:2 ;
[0062] S2、将硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌和硫酸铁加入水中溶解得到第二物料，第二物料中 的硫酸根浓度为〇· 7mol/L ;
[0063] S3、将第二物料滴加入第一物料中，接着干燥后升温至210°C，保温1.8h，再升温 至410°C，保温I. 7h，接着升温至610°C，保温3. 4h，然后升温至740°C，保温9. 5h，冷却得到 粉体物料；
[0064] S4、向粉体物料中加入氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化钼、氧化硼、硅酸钙、碳酸锂、 二氧化硅和聚碳酸酯进行喷雾造粒，压片成型，压片成型的压力为llMPa，烧结得到高导磁 率高阻抗铁氧体材料，烧结温度为930 °C。
[0065] 对本发明进行性能检测，以市售ZH7软磁铁氧体作为对照组，其结果如下：
[0067] 由上边可知，本发明的初始导磁率和阻抗大大优于现有技术，符合现实要求。
[0068] 以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其 发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种高导磁率高阻抗铁氧体材料，其特征在于，其原料包括主料和辅料，其中主料按 摩尔份包括：硫酸镍6~7. 5份，硫酸铜13~14份，硫酸锌6~7. 5份，硫酸铁53~54. 5 份； 以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕300~700ppm，氧化钒400~600ppm，氧化 祕300~400ppm，氧化钥20~150ppm，氧化棚300~400ppm，娃酸妈250~800ppm，碳酸 锂50~200ppm，二氧化硅20~80ppm，粘结剂2000~2500ppm，吸附剂6~8 X 106ppm，乳 化剂 4 ~7 X 105ppm。2. 根据权利要求1所述高导磁率高阻抗铁氧体材料，其特征在于，粘结剂为聚乙烯醇 缩醛、聚碳酸酯、尼龙、聚砜树脂中的一种或两种以上组合物。3.根据权利要求1或2所述高导磁率高阻抗铁氧体材料，其特征在于，硫酸镍、硫酸铜、 硫酸锌、硫酸铁的摩尔比为6. 5~7 :13. 2~13. 6 :6. 5~7. 2 :53. 4~54。4. 根据权利要求1-3任一项所述高导磁率高阻抗铁氧体材料，其特征在于，其原料包 括主料和辅料，其中主料按摩尔份包括：硫酸镍6. 5~7份，硫酸铜13. 2~13. 6份，硫酸 锌6. 5~7. 2份，硫酸铁53. 4~54份；以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕400~ 600ppm，氧化f凡450~550ppm，氧化祕320~380ppm，氧化钼50~80ppm，氧化硼330~ 350ppm，娃酸钙500~600ppm，碳酸裡100~150ppm，二氧化娃40~60ppm，粘结剂2200~ 2400ppm，吸附剂 6. 5 ~7. 5 X 106ppm，乳化剂 5 ~6 X 105ppm。5. -种如权利要求1-4任一项所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在 于，包括如下步骤： 51、 将吸附剂和乳化剂加入水中搅拌均匀后，超声分散20~30min后得到第一物料； 52、 将硫酸镍、硫酸铜、硫酸锌和硫酸铁加入水中溶解得到第二物料； 53、 将第二物料滴加入第一物料中，接着干燥后进行焙烧，冷却得到粉体物料； 54、 向粉体物料中加入氧化钕、氧化钒、氧化铋、氧化钼、氧化硼、硅酸钙、碳酸锂、二氧 化硅和粘结剂进行喷雾造粒，压片成型，烧结得到高导磁率高阻抗铁氧体材料。6. 根据权利要求5所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在于，Sl中，吸 附剂和水的重量比为2~4:1~3。7. 根据权利要求5或6所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在于，S2 得到的第二物料中的硫酸根浓度为〇. 6~0. 8mol/L。8. 根据权利要求5-7任一项所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在 于，S3中，焙烧的具体操作为：升温至200~220 °C，保温1. 5~2h，再升温至400~420 °C， 保温1. 5~2h，接着升温至600~620 °C，保温3~4h，然后升温至730~750 °C，保温9~ IOh09. 根据权利要求5-8任一项所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在 于，S4中，压片成型的压力为10~12MPa。10. 根据权利要求5-9任一项所述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法，其特征在 于，S4中，烧结温度为900~950 °C。
【专利摘要】本发明公开了一种高导磁率高阻抗铁氧体材料，其原料包括主料和辅料，其中主料按摩尔份包括：硫酸镍6～7.5份，硫酸铜13～14份，硫酸锌6～7.5份，硫酸铁53～54.5份；以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化钕300～700ppm，氧化钒400～600ppm，氧化铋300～400ppm，氧化钼20～150ppm，氧化硼300～400ppm，硅酸钙250～800ppm，碳酸锂50～200ppm，二氧化硅20～80ppm，粘结剂2000～2500ppm，吸附剂6～8×106ppm，乳化剂4～7×105ppm。本发明还公开了上述高导磁率高阻抗铁氧体材料的制备方法。
【IPC分类】C04B35/40, C04B35/622
【公开号】CN105060876
【申请号】CN201510450728
【发明人】王久如, 徐升宝, 刘元琴, 屠德义, 毛玉峰
【申请人】天长市中德电子有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月24日