一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法
【专利摘要】本发明涉及一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙。本发明提供的方法能够很好地调控ZnO纳米柱阵列的密度和光学带隙。
【专利说明】
一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法
技术领域
[0001] 本发明属于纳米结构材料领域，具体地，涉及一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度 和光学带隙的方法。
【背景技术】
[0002] ZnO作为一种重要的II - IV族直接带隙半导体材料，室温下其禁带宽度为3. 37eV， 激子束缚能高达60meV，在紫外光探测器、气体传感器、发光二极管和太阳能电池等领域拥 有广阔的应用前景。近年来，基于氧化锌纳米结构的薄膜太阳能电池等光电器件备受关注。 在传统的薄膜太阳电池中引入ZnO纳米柱阵列，将从光学与电学两个方面提升太阳能电池 的性能。而Al、In、Ga等元素的掺杂对于改善ZnO纳米材料的导电性和光学性能具有显著 的作用。
[0003] 氧化锌纳米材料的制备方法主要有磁控溅射（MS)、脉冲激光沉积（PLD)、金属有 机化学气相沉积（M0VCD)、溶胶凝胶法，化学喷雾热分解等。但是，上述物化方法往往需要 高温、真空等环境，条件苛刻，设备复杂，成本较高。水热法是低温液相法生长ZnO纳米结 构的常用方法，例如Indium doping in nanostructured ZnO through low-temperature hydrothermal process (Optical Materials，2006, 29,第 100 页）报道了一种低温水热法 制备铟掺杂的氧化锌纳米棒。但是，由于在乙酸锌、乙二铵、氢氧化钠和氯化铟组成的反应 溶液中大量的铟离子形成了 In(0!1)3相，因而仅仅通过低温水热的方法较难实现铟掺杂进 ZnO纳米材料。最后，文中采用300°C高温退火的方式才实现了铟掺杂ZnO纳米棒的制备， 而且随着铟掺杂浓度的改变，ZnO纳米棒的结构、形貌和光吸收等也随之发生改变。更多研 究结果表明当铟掺杂量较高时，ZnO纳米结构的优先生长取向将会发生改变。由此可见，铟 掺杂ZnO纳米柱阵列的低温制备方法的改进及其生长取向的控制依然是研究的难点。
[0004] 为了实现新一代薄膜太阳能电池的吸收层材料在纳米柱之间的有效填充，要求制 备的氧化锌纳米柱阵列的密度及间距可控，同时为了控制氧化锌纳米柱与吸收层材料之间 的能带结构图像，要求制备的氧化锌纳米柱阵列的功函数和光学带隙等参数可控。因此，亟 需开发一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的是克服采用传统水热法无法同时操控氧化锌纳米柱阵列的密度和 光学带隙的缺陷，提供一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法。
[0006] 本发明提供了一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包 括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接 触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及 铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光 学带隙。
[0007] 通过扫描电子显微镜（SEM)测试可以发现，采用本发明的方法可以使水热合成法 获得的氧化锌纳米柱阵列的密度可以在3. 8 X 109cm 2到8. 4X 10 9cm 2的范围进行调控。
[0008] 而且，通过透射光谱吸收边的计算拟合可以发现，采用本发明的方法制备的氧化 锌纳米柱阵列的光学带隙具有以下特征，当反应溶液中仅有铟盐添加时制备的氧化锌纳米 柱阵列的光学带隙展宽，光学带隙的展宽范围为lOmeV至80meV ;当反应溶液中仅有铵盐 添加时制备的氧化锌纳米柱阵列的光学带隙窄化了 170meV ;当反应溶液中同时添加铵盐 和铟盐时制备的氧化锌纳米柱阵列的光学带隙进一步窄化，光学带隙的窄化范围为160meV 至 190meV。
[0009] 因此，通过控制铵盐和/或铟盐在反应溶液中的浓度可以实现操控制备的氧化 锌纳米柱阵列的密度和光学带隙，具体地，使氧化锌纳米柱阵列的密度在3. 8X 109cm 2到 8. 4X 109cm 2的范围、纳米柱阵列间距在10nm-107nm的范围、光学带隙在3. 35-3. 62eV的范 围内进行调控。
[0010] 本发明的其它特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【附图说明】
[0011] 附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0012] 图1为采用对比例1和实施例2-4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM图，其中， a为采用对比例1的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SHM表面图，b为采用对比例1的方法制 备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图；c为采用实施例2的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM 表面图，d为采用实施例2的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图；e为采用实施例3 的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SHM表面图，f为采用实施例3的方法制备的ZnO纳米柱 阵列的SEM截面图；g为采用实施例4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM表面图，h为采 用实施例4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图。
[0013] 图2为采用对比例1和实施例1-7的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙，其 中，1为采用对比例1的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙，2-8分别为采用实施例1-7 的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙。
【具体实施方式】
[0014] 以下对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体 实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0015] 本发明提供了一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包 括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接 触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及 铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光 学带隙。
[0016] 在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中，铵盐浓度可以为 0· 0005-lmol/L，和/或铟盐浓度可以为0· 1-10000 μ mol/L ;优选地，铵盐浓度为 0· 01-0. 5mol/L，和/或铟盐浓度为0· 2-500 μ mol/L ;更优选地，铵盐浓度为0· 005-0. 5mol/ L，和/或铟盐浓度为0· 5-100 μ mol/L ;最优选地，铵盐浓度为0· 01-0. 25mol/L，和/或铟盐 浓度为卜50 μ mol/L。
[0017] 在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中，所述锌盐的浓度可以 为 0· 0005-lmol/L，优选为(λ 001-0. 05mol/L，更优选为(λ 0025-0. 025mol/L，最优选为 0.005mol/L〇
[0018] 在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中，所述氧源的浓度可以 为 0· 0005-lmol/L，优选为(λ 001-0. 05mol/L，更优选为(λ 0025-0. 025mol/L，最优选为 0.005mol/L〇
[0019] 在本发明中，所述锌源的种类可以为本领域技术人员所公知的各种应用于氧化锌 纳米材料合成的锌源，例如，所述锌源可以选自硝酸锌、乙酸锌、草酸锌、硫酸锌和氯化锌中 的至少一种，优选为硝酸锌。
[0020] 在本发明中，所述氧源的种类可以为本领域技术人员所公知的各种应用于氧化锌 纳米材料合成的氧源，例如，所述氧源可以选自氢氧化钠、氨水、六次甲基四胺和二亚乙基 三胺中的至少一种，优选为六次甲基四胺。
[0021 ] 在本发明中，所述铵盐可以选自硫酸铵、硝酸铵、氯化铵、乙酸铵和草酸铵中的至 少一种，优选为硝酸铵和/或乙酸铵。
[0022] 在本发明中，所述铟盐可以选自硝酸铟、硫酸铟、氟化铟、氯化铟和溴化铟中的至 少一种，优选为硝酸铟和/或硫酸铟。
[0023] 在本发明中，水热合成指的是采用水溶液作为反应介质，通过对反应器加热，提供 一个高温、高压反应环境。按照本发明，所述水热合成的条件可以为本领域技术人员所公知 的水热合成条件，例如，所述水热合成的条件可以包括反应温度和反应时间，其中，所述反 应温度通常可以为70°C _120°C，反应时间通常可以为1小时-48小时。
[0024] 在本发明中，所述水热合成反应可以在密闭环境，也可以在开放的环境中进行。密 闭环境可以通过采用常规的密闭反应器如高压釜提供，提供所述密闭环境的反应釜的结构 为本领域技术人员所公知，可以为各种适合水热合成反应的反应釜。密闭环境可以通过内 衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜提供。
[0025] 在本发明中，所述生长基底可以为本领域常规使用的各种生长基底，例如，所述生 长基底可以为透明导电氧化物、金属、纤维、聚合物和碳材料中的至少一种，优选为透明导 电氧化物。其中，所述透明导电氧化物（TC0)基底优选选自氧化铟锡（ΙΤ0)、掺铝氧化锌 (ΑΖ0)、掺铟氧化锌（ΙΖ0)、掺镓氧化锌（GZ0)、掺硼氧化锌（ΒΖ0)和掺氟的二氧化锡（FT0) 中的至少一种。所述金属基底优选选自金、银、铜或它们的合金。所述纤维基底优选为棉丝 或光纤。所述碳材料基底优选为碳纳米管或石墨烯。所述生长基底也可以包含其它任意适 宜水热法的有机或无机衬底。所述生长基底表面覆盖或不覆盖氧化锌薄膜或其他金属（如 铝、铟、镓、硼等）掺杂的氧化锌薄膜。所述氧化锌薄膜或其他金属掺杂的氧化锌薄膜层可 以通过本领域常规方式覆盖在生长基底的表面，例如通过真空溅射镀膜的方式。所述氧化 锌薄膜或其他金属掺杂的氧化锌的厚度可以根据实际情况进行选择，优选为30nm-100nm。
[0026] 在本发明提供的所述方法中，在实施所述水热合成之前，优选对所述生长基底进 行预处理以去除污垢等，具体的预处理操作过程可以包括：先用有机溶剂对所述生长基底 进行清洗，然后用去离子水进行冲洗。预处理过程所用的有机溶剂可以为丙酮和/或乙醇。 有机溶剂的清洗过程优选在超声波浴中进行。
[0027] 在本发明提供的所述方法中，优选还包括将水热合成后得到的附着有氧化锌纳米 柱阵列的生长基底进行降温、洗涤和干燥。通常，将其降至室温即可，例如20-35Γ，洗涤、干 燥的方法和条件可以参考本领域的公知常识，通常可以采用去离子水进行洗涤，采用惰性 气氛，如氮气吹干。
[0028] 本发明还提供了由上述方法制备的氧化锌纳米柱阵列材料。该氧化锌纳米柱阵列 材料的光学带隙为3. 35-3. 62eV，纳米柱密度为3. 8X 109cm 2至8. 4X 10 9cm 2。
[0029] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中 的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这 些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0030] 另外需要说明的是，在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征，在不矛 盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可 能的组合方式不再另行说明。
[0031] 此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本 发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
[0032] 以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
[0033] 下述实施例和对比例中所用的生长基底为掺铝氧化锌（ΑΖ0)透明导电膜玻璃， ΑΖ0 厚度为 700-800nm。
[0034] ZnO纳米柱阵列的透射率采用紫外可见近红外分光光度仪（UV-NIR)在240-2400 的波长范围内进行测定，UV-NIR测试设备为日本岛津公司的UV3600。ZnO纳米柱阵列的光 学带隙通过对样品透射光谱中的吸收边进行线性拟合得到，ZnO纳米柱阵列的形貌特征通 过扫描电镜评估测定，测试设备为FEI公司的Nova Nano450扫描电子显微镜。
[0035] 实施例1-3
[0036] 本实施例用于说明本发明提供的操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方 法。
[0037] 在有机溶剂（丙酮和乙醇）的超声波浴中清洗作为生长基底的掺铝氧化锌（ΑΖ0) 透明导电膜玻璃，然后用水超声清洗干净。
[0038] 将摩尔比为1 :1的乙酸锌和六次甲基四胺溶于水中，超声溶解混合均匀，配置 得到混合溶液，然后向其中加入不同量的硝酸铟，超声溶解混合均匀，制得乙酸锌浓度为 0. 005mol/L、六次甲基四胺浓度为0. 005mol/L的水溶液，该水溶液中硝酸铟的浓度分别为 1以111〇1/1、1(^111〇1/1和5(^111〇1/1，硝酸铟与乙酸锌的摩尔比分别为1 :5000、1:500和1: 100〇
[0039] 将上述生长基底放入盛有含有锌源、氧源和铟盐的混合溶液的反应釜中，将反应 釜放入鼓风干燥箱中进行加热反应，反应温度为90°C，反应时间为6小时，反应结束后降至 室温，即生长出ZnO纳米柱阵列，取出后用去离子水冲洗，用氮气吹干，从而制得ZnO纳米柱 阵列材料A1 -A3。
[0040] 实施例4
[0041] 本实施例用于说明本发明提供的操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方 法。
[0042] 按照实施例1-3的方法合成氧化锌纳米柱阵列材料，所不同的是，在配制混合溶 液的过程中加入硝酸铵而不加入硝酸铟，且硝酸铵的浓度为0. 05mol/L，从而制得ZnO纳米 柱阵列材料A4。
[0043] 实施例5-7
[0044] 本实施例用于说明本发明提供的操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方 法。
[0045] 在有机溶剂（丙酮和乙醇）的超声波浴中清洗作为生长基底的掺铝氧化锌（ΑΖ0) 透明导电膜玻璃，然后用水超声清洗干净。
[0046] 将摩尔比为1 :1的乙酸锌和六次甲基四胺溶于水中，超声溶解混合均匀，然后加 入硝酸铵，超声溶解混合均匀，配置得到混合溶液；最后向其中加入不同量的硝酸铟，超声 溶解混合均匀，制得乙酸锌浓度为〇. 〇〇5mol/L、六次甲基四胺浓度为0. 005mol/L以及硝酸 铵浓度为〇. 〇5mol/L的水溶液，该水溶液中硝酸铟的浓度分别为1 ymol/L、10 ymol/L和 5(^111〇1/1，硝酸铟与乙酸锌的摩尔比为分别1:5000、1:500和1 :100。
[0047] 将上述生长基底放入盛有含有锌源、氧源、铵盐和铟盐的混合溶液的反应釜中，将 反应釜放入鼓风干燥箱中进行加热反应，反应温度为90°C，反应时间为6小时，反应结束后 降至室温，即生长出ZnO纳米结构阵列，取出后用去离子水冲洗，用氮气吹干，从而制得ZnO 纳米柱阵列材料A5-A7。
[0048] 对比例1
[0049] 按照实施例5-7的方法合成氧化锌纳米柱阵列材料，所不同的是，在配制混合溶 液的过程中既不加入硝酸铵，也不加入硝酸铟，从而制得ZnO纳米柱阵列材料D1。
[0050] 图1为采用对比例1和实施例2-4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM图，其中， a为采用对比例1的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SHM表面图，b为采用对比例1的方法制 备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图；c为采用实施例2的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM 表面图，d为采用实施例2的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图；e为采用实施例3 的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SHM表面图，f为采用实施例3的方法制备的ZnO纳米柱 阵列的SEM截面图；g为采用实施例4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM表面图，h为采 用实施例4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的SEM截面图。
[0051] 图2为采用对比例1和实施例1-7的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙，其 中，1为采用对比例1的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙，2-8分别为采用实施例1-7 的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙。
[0052] 实施例1-7和对比例1制备的氧化锌纳米柱阵列材料的相关检测结果如表1所 不。
[0053] 表 1
[0054]
[0055] 通过扫描电子显微镜照片观察发现，按照对比例1的方法，即当反应溶液中既不 含有铵盐，也不含有铟盐时，制备得到的ZnO纳米柱阵列呈六角锥状，纳米柱紧密堆积形成 几乎没有间距的纳米柱膜结构，平均密度为8. 4X 109cm 2,平均长度约为300nm，平均直径约 为140nm。按照实施例1-3的方法，通过加入1 μ mol/L、10 μ mol/L和50 μ mol/L硝酸铟的反 应溶液制备的ZnO纳米柱阵列仍然呈六角锥状，平均密度分别为8. 2 X 109cm 2、7. 1 X 109cm 2 和3· 8X 109cm 2,平均间距分别为10nm、42nm和107nm，平均长度分别为310nm、310nm和 450nm，平均直径分别为130nm、130nm和140nm ;密度与对比例1相比分别降低了 2%、15% 和55%，间距与对比例1相比显著增大，长度与对比例1相比分别提高了 3%、3%和50%， 直径与对比例1相比基本不变。由此说明，随着硝酸铟浓度的增加，ZnO纳米柱阵列的密度 降低，间距增大，长度增加。因此，硝酸铟的加入有助于降低ZnO纳米柱阵列的密度、增大 ZnO纳米柱的间距和提高ZnO纳米柱阵列的生长速率。
[0056] 按照实施例4的方法，制备得到的ZnO纳米柱阵列仍然呈六角锥状，平均密度降低 为6· 9X 109cm 2,平均间距为26nm，平均长度增长到500nm，平均直径仍为140nm。与对比例 1相比密度降低了 18%，间距增大，长度增加了 67%，直径不变。由此说明，硝酸铵的加入有 助于降低ZnO纳米柱的密度，增大ZnO纳米柱的间距和提高ZnO纳米柱阵列的生长速率。
[0057] 按照实施例5-7的方法，通过先加入0· 05mol/L的硝酸铵，然后再加入1 μ mol/L、 10 μ mol/L和50 μ mol/L硝酸铟的反应溶液制备的ZnO纳米柱阵列仍然呈六角锥状，平均密 度分别为 6· 7X 109cm 2、6· 1 X 109cm 2和 6· 3X 10 9cm 2,平均间距分别为 28nm、30nm 和 34nm， 平均长度分别为500nm、510nm和500nm，平均直径分别为140nm、140nm和130nm ;密度与对 比例1相比分别降低了 20%、27%和25%，间距与对比例1相比显著增大，长度与对比例1 相比分别提高了 67%、70%和67%，直径与对比例1相比变化不明显。由此说明，即当反应 溶液中同时含有铵盐和铟盐时制备的氧化锌纳米柱阵列密度降低，间距增大，生长速率提 尚。
[0058] 通过对透射光谱的吸收边进行线性拟合可以得出制备的ZnO纳米柱阵列的光学 带隙，按照对比例1制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙为3. 54eV ;按照实施例1-3的方 法，通过加入1 ymol/L、10ymol/L和50ymol/L硝酸铟的反应溶液制备的ZnO纳米柱阵 列的光学带隙分别3. 55、3. 58和3. 62,与对比例1相比光学带隙分别展宽了 10meV，40meV 和80meV ;按照实施例4的方法制备的ZnO纳米柱阵列的光学带隙为3. 37eV，与对比例1 相比光学带隙发生窄化，变化范围为170meV ;按照实施例5-7,即在锌源和氧源中先加入 0· 05mol/L硝酸铵，再加入1 ymol/L、10 ymol/L和50 ymol/L硝酸铟的反应溶液制备的 ZnO纳米柱阵列的光学带隙分别为3. 37、3. 38和3. 35,与对比例1相比光学带隙发生窄化， 变化范围为170meV，160meV和190meV。由此得出，通过控制反应溶液中铵盐和/或铟盐的 浓度可以在3. 35-3. 62eV的范围内操控氧化锌纳米柱阵列的光学带隙。
[0059] 由此可见，本发明提供的方法能够很好地调控ZnO纳米柱阵列的纳米柱密度和光 学带隙。
【主权项】
1. 一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条 件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基 底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶 液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的 溶液中，铵盐浓度为〇· 〇〇〇5-lmol/L，和/或铟盐浓度为0· 1-10000 ymol/L ;更优选地，铵 盐浓度为〇· 005-0. 5mol/L，和/或铟盐浓度为0· 5-100 ymol/L ;最优选地，铵盐浓度为 0· 01-0. 25mol/L，和 / 或铟盐浓度为 1-50 ymol/L。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或 铟盐的溶液中，所述锌盐的浓度为〇· 0005-lmol/L，优选为0· 001-0. 05mol/L，更优选为 0· 0025-0. 025mol/L，最优选为 0· 005mol/L。4. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟 盐的溶液中，所述氧源的浓度为〇· 0005-lmol/L，优选为0· 001-0. 05mol/L，更优选为 0· 0025-0. 025mol/L，最优选为 0· 005mol/L。5. 根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，所述铵盐选自硫酸铵、硝酸铵、氯 化铵、乙酸铵和草酸铵中的至少一种。6. 根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，所述铟盐选自硝酸铟、硫酸铟、氟 化铟、氯化铟和溴化铟中的至少一种。7. 根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，所述锌源选自硝酸锌、乙酸锌、草 酸锌、硫酸锌和氯化锌中的至少一种。8. 根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，所述氧源选自氢氧化钠、氨水、六 次甲基四胺和二亚乙基三胺中的至少一种。9. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述水热合成条件包括：温度为70-120°C，时间 为 l-48h。10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长基底为透明导电氧化物、金属、纤维、 聚合物和碳材料中的至少一种，所述透明导电氧化物基底选自氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺铟 氧化锌、掺镓氧化锌、掺硼氧化锌和掺氟的二氧化锡中的至少一种，所述金属为金、银、铜或 它们的合金，所述纤维为棉丝或光纤，所述碳材料为碳纳米管或石墨烯；所述生长基底表面 覆盖或不覆盖氧化锌薄膜或掺杂的氧化锌薄膜。
【文档编号】B82Y30/00GK105883900SQ201510037532
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年1月26日
【发明人】汤洋, 赵颖, 陈颉
【申请人】神华集团有限责任公司, 北京低碳清洁能源研究所