专利名称：亚甲基吡咯硼配位化合物及使用了其的有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及亚甲基吡咯硼配位化合物及使用了其的有机电致发光元件。
背景技术：
使用了有机物质的有机电致发光元件(有机EL元件)有望用作固体发光型的廉价的大面积全色显示元件，并且进行了大量的开发。通常的有机EL元件由发光层及夹持该发光层的一对对置电极构成对上述对置电极间施加电场时，从阴极侧注入电子，从阳极侧注入空穴。该电子在发光层与空穴再结合，生成激发态，从激发态返回到基态时的能量以光的形式被放出。以往的有机EL元件与无机发光二极管比较，驱动电压高，发光亮度及发光效率也较低。另外，特性劣化也明显且没有达到实用化的程度。然而，对构成有机EL元件的有机材料进行研究的结果是，在最近的有机EL元件中上述问题被逐渐改善。作为构成有机EL元件的有机材料，例如，研究了具有亚甲基吡咯骨架的化合物 (例如，专利文献1 5)。但是，还需要更进一步改善发光效率等。现有技术文献专利文献专利文献1 国际公开第2008/047744号小册子专利文献2 日本特开2005-53900号公报专利文献3 日本专利第4000893号
专利文献4 日本专利第3853038号专利文献5 日本专利第3129200号
发明内容
本发明的目的为提供可以作成发光效率高、色纯度优异、发光寿命长的有机EL元件的亚甲基吡咯硼配位化合物。本发明的目的为提供作为掺杂剂使用时即便提高掺杂浓度也难以发生浓度消光的亚甲基吡咯硼配位化合物。本发明的目的为提供挥发性高，可以较低地设定蒸镀温度，并且即便长时间加热， 也难以热分解的亚甲基吡咯硼配位化合物。根据本发明，提供了以下的亚甲基吡咯硼配位化合物等。1.下述式(1)所示的亚甲基吡咯硼配位化合物。
权利要求
1.一种下述式(1)所示的亚甲基吡咯硼配位化合物，
2.如权利要求1所述的亚甲基吡咯硼配位化合物，所述亚甲基吡咯硼配位化合物如下述式⑵所示，
3.如权利要求1或者2所述的亚甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所示式(1)或者式 (2)中，X为碳，Y为氢。
4.如权利要求3所述的亚甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所述式(1)中，R1、! 3、! 4及 R6分别为取代或未取代的芳基，或者在所述式(2)中，R1、! 3及R4分别为取代或未取代的芳基。
5.如权利要求1 4中任一项所述的亚甲基吡咯硼配位化合物，其中，在所述式(1)或者式(2)中，Z1及Z2中的至少1个为被氟原子取代的烷氧基。
6.如权利要求1 5中任一项所述的亚甲基吡咯硼配位化合物，其为有机电致发光元件用的掺杂剂。
7.一种有机电致发光元件，其在阴极和阳极之间夹持有由一层或多层构成的至少含有发光层的有机薄膜层， 所述有机薄膜层的至少一层含有权利要求1 6中任一项所述的亚甲基吡咯硼配位化合物。
8.如权利要求7所述的有机电致发光元件，所述发光层含有所述亚甲基吡咯硼配位化合物。
9.如权利要求8所述的有机电致发光元件，所述发光层还含有下述式(3)所示的并四苯衍生物，
10.如权利要求9所述的有机电致发光元件，其中，所述式(3)所示的并四苯衍生物的 QkQ^Q3及Q4中的至少1个为芳基。
11.如权利要求9或者10所述的有机电致发光元件，其中，所述式(3)所示的并四苯衍生物为下述式(4)所示的并四苯衍生物，
12.如权利要求11所述的有机电致发光元件，其中，所述式(4)所示的并四苯衍生物的Qi^Cf^Cf11及Q2tl5中的至少1个为取代或未取代的碳数1 20的烷基、取代或未取代的环碳数为6 20的芳基、氨基、取代或未取代的碳数1 20的烷氧基、取代或未取代的环碳数为6 20的芳氧基、取代或未取代的碳数1 20的烷硫基、取代或未取代的环碳数为6 20的芳硫基、取代或未取代的碳数2 20的烯基、取代或未取代的环碳数为7 20的芳烷基、或者取代或未取代的环原子数为5 20的杂环基。
全文摘要
本发明提供下述式(1)所示的亚甲基吡咯硼配位化合物。(式中，Z1及Z2分别为卤原子、取代或未取代的芳基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基，Z1及Z2中的至少1个为被氟原子取代的烷氧基、或者被氟原子或氟烷基取代的芳氧基，Z1及Z2也可以形成环结构。)
文档编号C07D403/06GK102333783SQ20108000932
公开日2012年1月25日 申请日期2010年2月25日 优先权日2009年2月27日
发明者佐土贵康, 奥田文雄, 池田洁, 泽野文二, 田边良满, 越智贵彦 申请人:三井化学株式会社, 出光兴产株式会社