活性能量射线固化性组合物及防静电薄膜的制作方法

技术特征：

1.一种活性能量射线固化性组合物，其含有以下述式(I)表示的光聚合引发剂A、防静电性聚合物B、及含有烯属不饱和基团的聚合性化合物C，

[化学式1]

其中，式(I)中，V¹、V²、V³及V⁴分别独立地表示氢原子或取代基，n表示1～5的整数。

2.根据权利要求1所述的活性能量射线固化性组合物，，其中，

所述防静电性聚合物B为具有选自由以下述式(1)～(5)表示的重复单元构成的组中的至少1个重复单元的聚合物，

[化学式2]

其中，式(1)～式(5)中，R¹分别独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、1价的烃基、-COO-C₂、或经由烃的-COO-C₂，C₂表示氢原子或可具有取代基的烃基；

式(1)～式(5)中，Z分别独立地表示-COO-、-CONH-、-OCO-、-CH₂OCO-、-CH₂COO-、-O-、-SO₂-、-CO-、-CONHCOO-、-CONHCONH-、-CONHSO₂-、-CON(P₃)-、-SO₂N(G)-、-C₆H₄-、或碳原子数为1～30的亚烷基，G表示氢原子或烃基；

式(1)～式(5)中，A分别独立地表示单键或2价以上的连接基团，j分别独立地表示0～30的整数；

式(1)中，Y⁺表示阳离子性基团，X^-表示阴离子性基团，u表示1～3的整数，r表示1～4的整数；

式(2)中，R²表示可具有取代基的碳原子数为2～5的亚烷基，R³表示氢原子或可具有取代基的碳原子数为1～5的烷基，m表示2～200的整数；

式(3)中，Q⁺表示铵阳离子、锍阳离子、碘鎓阳离子、鏻阳离子或吡啶鎓阳离子，L¹表示单键或2价以上的连接基团，T^-表示COO^-、SO₃^-或OPO(O^-)(ORp)，Rp表示烷基；p表示1～3的整数；

式(4)中，L²表示单键或2价以上的连接基团，U⁺表示可具有取代基的铵阳离子或鏻阳离子，q表示1～3的整数；

式(5)中，J^-表示COO^-、OPO(OH)O^-或SO₃^-，V⁺表示阳离子性基团，w表示1～3的整数。

3.根据权利要求2所述的活性能量射线固化性组合物，，其中，

所述防静电性聚合物B为具有以所述式(1)表示的重复单元的阳离子性聚合物。

4.根据权利要求2或3所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

以所述式(1)表示的重复单元为以下述式(6)表示的铵盐，

[化学式3]

其中，式(6)中，R¹表示氢原子、卤素原子、氰基、1价的烃基、-COO-C₂、或经由烃的-COO-C₂，C₂表示氢原子或可具有取代基的烃基；

并且，Z表示-COO-、-CONH-或-CH₂-，A表示单键或2价以上的连接基团，j表示0～10的整数；

并且，L³、L⁴及L⁵分别独立地表示可具有取代基的碳原子数为1～20的烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基，L³、L⁴及L⁵中的至少两个可相互键合而形成环。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B包含选自由以所述式(1)～(5)表示的重复单元构成的组中的至少1个重复单元及以下述式(7)表示的重复单元，

[化学式4]

其中，式(7)中，R⁴表示氢原子或CH₃，R⁵表示氢原子或可具有取代基的碳原子数为6～25的烃基，A表示可具有取代基的碳原子数为2～5的亚烷基，n表示3～50的整数。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B包含以所述式(1)表示的重复单元、和以所述式(3)或(4)表示的重复单元。

7.根据权利要求6所述的活性能量射线固化性组合物，，其中，

以所述式(3)表示的重复单元为以下述式(8)表示的重复单元，

[化学式5]

其中，式(8)中，R⁶表示氢原子或CH₃，R⁷表示碳原子数为1～6的亚烷基，R⁸及R⁹分别独立地表示碳原子数为1～4的烷基，R¹⁰表示碳原子数为1～4的亚烷基。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B包含选自由以所述式(1)～(5)表示的重复单元构成的组中的至少1个重复单元、及来自CLogP值为0.3～5的单体的重复单元。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B为含有40～80质量％的以所述式(1)～(5)表示的重复单元的共聚物。

10.根据权利要求9所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B包含40～80质量％的以所述式(1)～(5)表示的重复单元，并包含20～60质量％的以所述式(7)表示的重复单元。

11.根据权利要求9或10所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述防静电性聚合物B包含39.5～70质量％的以所述式(1)表示的重复单元，包含20～60质量％的以所述式(7)表示的重复单元，并包含0.5～10质量％的以所述式(3)或(4)表示的重复单元。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述聚合性化合物C为甲基丙烯酸类或丙烯酸类化合物。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述聚合性化合物C的分子量为90～5000。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述光聚合引发剂A的含量相对于所述聚合性化合物C 100质量份为0.5～10质量份。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述聚合物B的含量相对于所述聚合性化合物C 100质量份为1～40质量份。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其中，

所述光聚合引发剂A是所述式(I)中的n为1的光聚合引发剂。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的活性能量射线固化性组合物，其用于防静电剂。

18.一种防静电薄膜，其具有在基材上赋予权利要求1至17中任一项所述的活性能量射线固化性组合物并通过活性能量射线来使其固化而成的防静电层。