密封用树脂组合物和半导体装置的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明的密封用树脂组合物用于密封由SiC、GaN、Ga2O3或金刚石形成的功率半导体元件，所述密封用树脂组合物包含热固性树脂(A)和二氧化硅(B)，所述二氧化硅(B)包含Fe，所述Fe的含量相对于所述二氧化硅(B)总量为220ppm以下，所述密封用树脂组合物为颗粒状、平板状或片状。

技术研发人员：山下胜志;高桥佑衣
受保护的技术使用者：住友电木株式会社
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2018.08.31