多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料、合成方法及其应用与流程

本发明涉及一类多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料、合成方法及其应用。

背景技术：

有机发光材料和器件的研究引起了人们的广泛关注和深入研究。有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLED)被称作第三代平面显示和照明技术，在节能环保等方面具有突出的优势，目前普遍采用的方式是使用磷光染料来构建电致磷光，但是磷光染料所涉及的重金属不仅昂贵而且污染环境，迫切需要使用其他的材料加以替代。近期，被称为第三代有机电致发光技术的热激发延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescenc,TADF)技术取得了很大的进展，为了有效的利用电致发光过程中产生的单重态(Singlet,S₁)和三重态(Triplet,T₁)激子，由于在电生激子分布服从统计概率，即单线态和三线态激子分别大致占25％和75％。所以，基于ITO玻璃基板的电致发光(Electroluminescence,EL)的荧光器件外量子效率不会超过5％。然而，所有的激子通过系间窜跃或者反系间窜跃可以聚集到辐射的T₁或S₁激发态，从而实现对100％的激子利用。激子利用率是实现高性能OLED的基础，对于荧光(Fluorescenc,FL)、磷光(Phosphorescence,PH)和热激发延迟荧光这三种电致发光过程而言,均只是通过一种。既要么单线态，要么三线态的辐射跃迁过程发光，此类单一模式的辐射对于TADF和PH将不可避免的分别产生S₁和T₁激子的积累。因此加剧单线态-三线态湮灭和三线态-三线态湮灭(Singlet–triplet and triplet–triplet annihilation,STA和TTA)效应导致的激子猝灭和器件效率降低。由于STA和TTA与激子浓度成正比。因此可以通过降低瞬态激子浓度来抑制猝灭效应，基于这一考虑，通过双通道辐射，即在电致发光过程中S₁和T₁态均可辐射跃迁，这种方式可以实现更为高效合理的激子分配，提高器件性能。鉴于T₁态激子在起始态时占大多数，双发射电致发光染料必须通过合理控制的隙间窜跃和反隙间窜跃循环才可能实现真正意义上的S₁态激子和T₁态激子的最佳分配，进而实现TADF、PH发射的平衡和协调，因此，如何构建真正意义上的双辐射电致发光材料仍然是一个很大的挑战。

众所周知，铜配合物大多数是发热激发延迟荧光的或者是发磷光的，很少有铜配合物既具有热激发延迟荧光的性质又具有磷光的双发射的特点，主要的原因就是铜配合物中的铜离子和配体之间自旋轨道耦合比较弱，所以很难得到有效的磷光发射，但是，目前铜配合物仍未开发出双发射的电致发光染料，提供一个非常好的平台。这项工作不仅体现了双发射材料在激子利用率方面令人信服的的优越性，同时也证明了发射比例调制的可行途径是可行的，这为此类发光材料的进一步发展及应用奠定了基础。

技术实现要素：

本发明是为了解决目前存在的磷光和热激发延迟荧光染料激子累积所导致的猝灭效应，导致器件性能和稳定性差的技术问题，提供了一种多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料合成方法及其应用。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料，该染料以多齿膦配体与CuX配位构成，分子结构式如下：

所述多齿膦配体为DPPPP、DPNA、PPNADP、PPPNADP或DPNAP，其中X为Cl、Br或I。

该合成方法如下：

将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的CuX、5～10ml的二氯甲烷混合，40-45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM(二氯甲烷)和PE(石油醚)为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

所述多齿膦配体为DPPPP、DPNA、PPNADP、PPPNADP或DPNAP，其中X为Cl、Br或I。

所述的多齿膦配体与CuX的物质的量比为(1～2)﹕1。所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。

所述多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料作为发光层的客体材料用于制备电致发光器件。本发明的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料具有双发射的特点，既能够发射热激发延迟荧光也能够发射磷光，因为其单线态和三线态可以同时跃迁，可以同时利用单线态和三线态激子，并在电致发光过程中实现激子的动态分配，从而实现最大限度的降低激子的累积，提高器件效率，抑制器件的效率滚降，实现在电致发光过程中最大利用。在本发明中利用多齿配位增加配体到金属的自旋轨道耦合，通过卤素来调节卤素到配体的电荷转移，从而增强铜配合物的磷光发射，最终得到一个热激发延迟荧光和磷光都具备的双发射的性能。同时通过增加苯环来增加配体的共轭程度，来调节铜配合物的发光颜色。本发明制备的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料电致发光材料可以实现超低压驱动的高效电致发光器件，其电流效率达到最大值23.8cd·A^-1,外量子效率达到最大值21.3％。

本发明多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料用于电致发光器件的电致发光客体材料包含以下优点：

1、可以作为客体，用于电致发光器件的发光层。

2、提高电致发光器件材料的性能，以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料客体材料制备的电致发光器件将电致发光器件的启亮电压降低到2.9V，具有良好的热力学稳定性，裂解温度为386℃-457℃，同时具有双发射的特点。提高了有机电致发光材料的发光效率和亮度，本发明主要应用于有机电致发光二极管器件中。

附图说明

图1是实验一、实验二、实验三多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的磷光光谱图；图2是表示实验一、实验二、实验三多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图；图3是实验四、实验五、实验六多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的磷光光谱图；图4是表示实验四、实验五、实验六多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图；图5是实验七、实验八、实验九多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的磷光光谱图；图6是表示实验七、实验八、实验九多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图；图7是实验十、实验十一、实验十二多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的磷光光谱图；图8是表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图；图9是实验十三、实验十四、实验十五多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的磷光光谱图；图10是表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的热重分析图；图11是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图12是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图13是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图14是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图15是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图16是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图，图中■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图17是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，图中■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图18是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，图中■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图19是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图20是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图21是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，图中■●▲光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图22是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图，图中■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图23是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图24是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图25是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图26是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图27是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图28是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图，图中■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图29是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图30是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图31是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图32是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图33是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图34是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图，图中■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图35是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图36是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图37是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图38是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图39是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图40是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图，图中■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图41是实验一中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图42是实验二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图43是实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图44是实验四中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图45是实验五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图46是实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图47是实验七中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图48是实验八中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图49是实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图50是实验十中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图51是实验十一中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图52是实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图53是实验十三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图54是实验十四中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图；图55是实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的变温寿命谱图。

具体实施方式

本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。

具体实施方式一：本实施方式多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料，该染料以多齿膦配体与CuX配位构成，分子结构式如下：

所述多齿膦配体为DPPPP、DPNA、PPNADP、PPPNADP或DPNAP，其中X为Cl、Br或I。

具体实施方式二：具体实施方式一所述的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料合成方法：

将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的CuX、5～10ml的二氯甲烷混合，40-45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

所述多齿膦配体为DPPPP、DPNA、PPNADP、PPPNADP或DPNAP，其中X为Cl、Br或I。

具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式二不同的是所述的多齿膦配体与CuX的物质的量比为(1～2)﹕1。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式二不同的是所述的多齿膦配体与CuX的物质的量比为1﹕1。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式二不同的是所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式二不同的是在42℃反应12小时。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式二不同的是在43℃反应13小时。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式二不同的是在44℃反应14小时。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式二不同的是在45℃反应15小时。其他与具体实施方式二相同。

具体实施方式十：具体实施方式一所述多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料作为发光层的客体材料用于制备电致发光器件。

本实施方式中所述多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料作为发光层用于制备电致磷光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的玻璃或塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1～0.3nm.s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为1～100nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为2～10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为20～40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为5～15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为10～80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为1～10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为1～100nm的阴极导电层，得到电致发光器件。

步骤七中所述的金属为钙、镁、铜、铝、钙合金、镁合金、铜合金或铝合金。

采用下述实验验证本发明效果：

实验一：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuCl、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuCl的量比为1∶1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPPPPCuCl。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPPPPCuCl，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.256-7.061(m,38H),6.921ppm(t,J＝7.6Hz,3H)；LDI-TOF:m/z(％):913(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₅₄H₄₂ClCuP₄:C,70.98；H,4.63；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图1所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl的热重分析谱图如图2所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl的裂解温度为387℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPPPPCuCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图11所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.7V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图12所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.7V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图13所示，由此图可知该器件在亮度为3cd·m^-2时，电流效率达到最大值18.2cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图14所示，由此图可知该器件在亮度为3.2cd·m^-2时，功率效率达到最大值10.2lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图15所示，由此图可知该器件在亮度为0.64mA·cm^-2时，获得最大外量子效率18.2％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图16所示，由此图可知该器件的电致发光峰在580nm处。从图41可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验二：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuBr、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuBr的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPPPPCuBr。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPPPPCuBr，检测结果如下：

1H NMR(TMS,CDCl3,400MHz):＝7.256-7.061(m,38H),6.921ppm(t,J＝7.6Hz,3H)；LDI-TOF:m/z(％):913(100)[M+]；elemental analysis(％)for C₅₄H₄₂BrCuP₄:C,70.98；H,4.63；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图1所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr的热重分析谱图如图2所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr的裂解温度为386℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPPPPCuBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图11所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图12所示，由此图可知该器件的启亮电压3.9 V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图13所示，由此图可知该器件在亮度为3cd·m^-2时，电流效率达到最大值18.3cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图14所示，由此图可知该器件在亮度为3.3cd·m^-2时，功率效率达到最大值12.1lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图15所示，由此图可知该器件在亮度为0.64mA·cm^-2时，获得最大外量子效率17.5％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图16所示，由此图可知该器件的电致发光峰在580nm处。从图42可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验三：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuI、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuI的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPPPPCuI。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPPPPCuI，检测结果如下：

1H NMR(TMS,CDCl3,400MHz):.＝7.893-7.849(m,4H),7.584-7.555(m,2H),7.393(t,J＝7.6Hz,2H),7.302-7.260(m,8H),7.226-7.145(m,7H),7.032(t,J＝7.6Hz,4H),6.703-6.662ppm(m,4H)；LDI-TOF:m/z(％):821(100)[M+]；elemental analysis(％)for C₅₄H₄₂CuIP₄:C,61.44；H,4.05；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图1所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI的热重分析谱图如图2所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI的裂解温度为405℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPPPPCuI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图11所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图12所示，由此图可知该器件的启亮电压为4V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图13所示，由此图可知该器件在亮度为2.6cd·m^-2时，电流效率达到最大值17.8cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图14所示，由此图可知该器件在亮度为3.2cd·m^-2时，功率效率达到最大值12lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图15所示，由此图可知该器件在亮度为0.5mA·cm^-2时，获得最大外量子效率18.6％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPPPPCuI制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图16所示，由此图可知该器件的电致发光峰在580nm处。从图43可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验四：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuCl、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuCl的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNAADPNACuCl。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPNACuCl，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.851(t,J＝5.2Hz,4H),7.742(t,J＝3.2Hz,4H),7.578-7.562(m,4H),7.293-7.223(m，28H)7.149-7.112ppm(m,12H)；LDI-TOF:m/z(％):1276(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₆₈H₅₂Cu₂Cl₂P₄:C,63.82；H,4.10；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图3所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl的热重分析谱图如图4所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl的裂解温度为424℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAADPNACuCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图17所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图18所示，由此图可知该器件的启亮电压为4.1V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PDPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图19所示，由此图可知该器件在亮度为2.9cd·m^-2时，电流效率达到最大值6.5cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线图20所示，由此图可知该器件在亮度为3.3cd·m^-2时，功率效率达到最大值5.2lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图21所示，由此图可知该器件在亮度为0.7mA·cm^-2时，获得最大外量子效率3.6％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图22所示，由此图可知该器件的电致发光峰在573nm处。从图44可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验五：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuBr、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuBr的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNAADPNACuBr。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAADPNACuBr，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.677-7.632(m,8H),7.469(t,J＝2.4Hz,4H),7.151(d,J＝7.8Hz,15H),7.261(s，2H)7.152(t,J＝7.2Hz,8H),7.060ppm(t,J＝7.2Hz,15H) LDI-TOF:m/z(％):1279(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₆₈H₅₂Br₂Cu₂P₄:C,63.81；H,4.09；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图3所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr的热重分析谱图如图4所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr的裂解温度为422℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验七。步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAADPNACuBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图17所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图18所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.7V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图19所示，由此图可知该器件在亮度为2.6cd·m^-2时，电流效率达到最大值19.3cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图20所示，由此图可知该器件在亮度为3.6cd·m^-2时，功率效率达到最大值17.7lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAADPNACuBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图21所示，由此图可知该器件在亮度为0.69mA·cm^-2时，获得最大外量子效率8.3％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图22所示，由此图可知该器件的电致发光峰在616nm处。从图45可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验六：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuI、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuI的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNACuI。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPNACuI，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.661(d,J＝2Hz,8H),7.469(t,J＝3.2Hz,4H),7.339(d,J＝4.4Hz,16H),7.146(t，J＝7.2Hz,8H)7.041ppm(t,J＝7.2Hz,16H)LDI-TOF:m/z(％):1373(100)[M⁺]；elemental analysis(％)C₆₈H₅₂Cu₂I₂P₄:C,59.44；H,3.81；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图3所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI的热重分析谱图如图4所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI的裂解温度为432℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuII作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验四。步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNACuI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图17所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI材料具有半导体特性，其阀值电压为3V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图18所示，由此图可知该器件的启亮电压为2.9V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图19所示，由此图可知该器件在亮度为0.67cd·m^-2时，电流效率达到最大值20cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图20所示，由此图可知该器件在亮度为2.7cd·m^-2时，功率效率达到最大值19.3lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图21所示，由此图可知该器件在亮度为11mA·cm^-2时，获得最大外量子效率7.9％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNACuI制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图22所示，由此图可知该器件的电致发光峰在616nm处。从图46可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验七：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuCl、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuCl的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPNADPCuCl。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPNADPCuCl，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.581(d，J＝5.6Hz,8H),7.515(d,J＝6.8Hz,2H),7.471-7.453(m,4H),7.386(s,2H),7.242(d,J＝11.6Hz,7H),7.122-7.098(m,8H)6.969-6.909ppm(m,6H)LDI-TOF:m/z(％):918(100)[M⁺]；elemental analysis(％)C₅₀H₃₇CuClP₃:C,68.71；H,4.27；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图5所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl的热重分析谱图如图6所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl的裂解温度为442℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPNADPCuCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.2V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为0.91cd·m^-2时，电流效率达到最大值23.8cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，功率效率达到最大值21.8lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为9mA·cm^-2时，获得最大外量子效率9％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰在616nm处。从图47可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验八：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuBr、5ml的DCM混合，40℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuBr的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPNADPCuBr。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPNADPCuBr，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.904(d，J＝5.6Hz,2H)7.823(s，4H),7.744(d，2H)7.573-7.403(m，11H),7.295-7.204(m,9H),7.035(t，J＝7.2Hz，2H),6.925(s,4H),6.856ppm(t，7.2Hz，4H),LDI-TOF:m/z(％):920(100)[M⁺]；elemental analysis(％)C₅₀H₃₇CuBrP₃:C,65.19；H,4.05；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图5所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr的热重分析谱图如图6所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr的裂解温度为457℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验七。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPNADPCuBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.6V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为0.8cd·m^-2时，电流效率达到最大值22.2cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，功率效率达到最大值17.6lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为9.3mA·cm^-2时，获得最大外量子效率8.3％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰616nm处。从图48可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验九：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuI、5ml的DCM混合，40℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuI的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPNADPCuI。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPNADPCuI，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝7.904(d，J＝5.6Hz,2H)7.823(s，4H),7.744(d，2H)7.573-7.403(m，11H),7.295-7.204(m,9H),7.035(t，J＝7.2Hz，2H),6.925(s,4H),6.856ppm(t，7.2Hz，4H),LDI-TOF:m/z(％):920(100)[M⁺]；elemental analysis(％)C₅₀H₃₇CuIP₃:C,65.19；H,4.05；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图5所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI的热重分析谱图如图6所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI的裂解温度为464℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验七。步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPNADPCuI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.3V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，电流效率达到最大值21.3cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.0cd·m^-2时，功率效率达到最大值18.2lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率8.3％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPNADPCuI制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰612nm处。从图49可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuCl、5ml的DCM混合，40℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuCl的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPPNADPCuCl。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPPNADPCuCl，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.269(d,J＝5.6Hz,2H),8.149-8.104(m,5H),7.915(d,J＝8Hz,2H),7.665-7.621(m,5H),7.580(t,J＝6.8Hz,2H),7.523-7.419(m,9H), 7.102(t,J＝7.2Hz,2H),6.848(t,J＝7.6Hz,5H),6.594-6.552(m,4H),2.380-2.325(m,2H),1.284-1.164(m,2H),1.049-0.945(m,2H),0.583ppm(t,J＝7.2Hz,3H)；LDI-TOF:m/z(％):837(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₅₀H₄₅ClCuP₃:C,71.68；H,5.41。

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图7所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl的热重分析谱图如图8所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl的裂解温度为424℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPNADPCuCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图29所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.6V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图30所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.5V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图31所示，由此图可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，电流效率达到最大值22.2cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图32所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值20lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图33所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率8.7％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图34所示，由此图可知该器件的电致发光峰在614nm处。从图50可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十一：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuBr、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15 小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuBr的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPPNADPCuBr。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPPNADPCuBr，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.224(d,J＝5.6Hz,2H),8.100-8.056(m,5H),7.905(d,J＝8Hz,2H),7.607-7.538(m,7H),7.500-7.414(m,9H),7.070(t,J＝7.2Hz,2H),6.823(t,J＝7.2Hz,5H),6.622-6.580(m,4H),2.317-2.262(m,2H),1.224-1.168(m,2H),1.087-0.984(m,2H),0.579ppm(t,J＝7.2Hz,3H)；LDI-TOF:m/z(％):882(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₅₀H₄₅BrCuP₃:C,68.07；H,5.14；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图7所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr的热重分析谱图如图8所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr的裂解温度为431℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验十。步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPNADPCuBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图29所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图30所示，由此图可知该器件的启亮电压3.2V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图31所示，由此图可知该器件在亮度为2.6cd·m^-2时，电流效率达到最大值17.8cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图32所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值11.8lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图33所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率7.5％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图34所示，由此图可知该器件的电致发光峰在610nm处。从图51可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十二：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuI、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuI的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为PPPNADPCuI。

采用核磁共振仪检测本试验制备的多功能化修饰的PPPNADPCuI，检测结果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.205(d,J＝5.6Hz,2H),8.035-7.985(m,5H),7.900(d,J＝8.4Hz,2H),7.591-7.462(m,10H),7.397(t,J＝2Hz,7H),7.060(t,J＝7.6Hz,2H),6.825(t,J＝7.2Hz,4H),6.728-6.686(m,4H),2.279-2.224(q,J₁＝6.8Hz,J₂＝15.6Hz,2H),1.252-1.118(m,4H),0.633-0.597ppm(t,J＝7.2Hz,3H)；LDI-TOF:m/z(％):929(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₅₀H₄₅CuIP₃:C,64.62；H,4.88；

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图7所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI的热重分析谱图如图8所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI的裂解温度为438℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验十，步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPNADPCuI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图29所示，由此图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.6V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图30所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.7V。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图31所示，由此图可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，电流效率达到最大值17.5cd·A^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图32所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值11.2lm·W^-1。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图33所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率7.5％。本实验以多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料PPPNADPCuI制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图34所示，由此图可知该器件的电致发光峰在612nm处。从图52可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十三：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuCl、5ml的DCM混合，40℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuCl的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNAPCuCl。

采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPCuCl，检测结果如下：

m/z:545.10(100.0％),545.60(73.5％),546.10(44.6％),546.60(32.8％),546.10(32.0％),546.10(26.6％),546.60(23.5％),547.10(14.2％),547.10(11.9％),547.60(10.5％),547.10(8.5％),546.61(6.3％),548.10(3.8％),547.60(2.8％),547.60(1.8％)。Elemental Analysis(％)for:C₆₈H₅₂CuClP:C,74.79；H,4.80。

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuCl的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图9所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuCl的热重分析谱图如图10所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuCl的裂解温度为420℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：

一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10^-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s^-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；

二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；

三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；

四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；

五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；

六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；

七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPCuCl(15 nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。由图35可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。由图36可知该器件的启亮电压为3.3V。由图37可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，电流效率达到最大值19.2cd·A^-1。由图38可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值22.6lm·W^-1。由图39可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率21.3％。由图40可知该器件的电致发光峰在613nm处。从图53可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十四：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuBr、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuBr的量比为1∶1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNAPPCuBr。

采用质谱仪检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPCuBr，检测结果如下：

m/z:567.08(100.0％),568.07(97.3％),567.58(73.5％),568.58(71.5％),568.07(44.6％),569.07(43.4％),568.58(32.8％),569.58(31.9％),568.08(26.6％),569.08(25.9％),569.08(11.9％),570.08(11.6％),569.58(6.2％),568.58(4.2％),570.58(2.7％),568.58(2.1％),569.58(1.9％),569.08(1.1％)；Elemental Analysis(％)for:C₆₈H₅₂CuBrP:C,71.86；H,4.61。

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuBr的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图9所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuBr的热重分析谱图如图10所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuBr的裂解温度为408℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验十三，步骤七中所述的金属为铝。

本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPCuBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。由图35可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。由图36可知该器件的启亮电压为3.3V。由图37可知该器件在亮度为2.6cd·m^-2时，电流效率达到最大值16.8cd·A^-1。由图38可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值9.8lm·W^-1。由图39可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率17.2％。由图40可知该器件的电致发光峰在614nm处。从图54可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。

实验十五：本实验多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的合成方法按下列步骤实现：

将1mmol多齿膦配体、1mmol的CuI、5ml的DCM混合，40～45℃反应10～15小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位铜配合物；

其中所述的多齿膦配体与CuI的量比为1﹕1。

所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。

本实验得到的多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料结构式为

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料为DPNAPCuI。

采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPCuI，检测结果如下：

m/z:591.07(100.0％),591.57(73.5％),592.07(44.6％),592.57(32.8％),592.07(26.6％),593.07(11.9％),592.57(6.3％),593.57(2.8％),593.08(1.1％)。Elemental Analysis(％)for:C₆₈H₅₂CuIP:C,69.01；H,4.43。

本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuI的紫外荧光光谱，磷光光谱谱图如图9所示。本实验得到多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuI的热重分析谱图如图10所示，由图可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuI的裂解温度为399℃。

多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如实验十三，步骤七中所述的金属为铝。本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPCuI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。由此图35可知多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料DPNAPCuI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。由图36可知该器件的启亮电压为3.3V。由图37可知该器件在亮度为2.4cd·m^-2时，电流效率达到最大值16.5cd·A^-1。由图38可知该器件在亮度为2.1cd·m^-2时，功率效率达到最大值9.2lm·W^-1。由图39可知该器件在亮度为6mA·cm^-2时，获得最大外量子效率17.5％。由图40可知该器件的电致发光峰在612nm处。从图55可知：随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。