新型有机化合物及包含其的有机电致发光器件的制作方法

本发明涉及新型有机化合物及包含其的有机电致发光器件。

背景技术：

电致发光器件(electroluminescencedevice：eldevice)作为自身发光型显示器件，具有响应速度快、视角宽阔的优点。1987年伊斯曼柯达公司(eastmankodak)首次开发了作为发光层材料的利用低分子芳香族二胺和铝络合物的有机电致发光器件[appl.phys.lett.51，913，1987]。

在有机电致发光器件中，确定发光效率的最重要的因素为发光材料，但是发光材料中的磷光材料与荧光材料相比，理论上可改善的发光效率达到4倍。目前为止，众所周知的磷光发光材料有铱(iii)络合物类和咔唑类材料，最近正在研究新型磷光材料。

有机电致发光现象的原理为，当在阴极与阳极之间存在有机薄膜层时，若向两个电极之间施加电压，则使电子和空穴分别从阴极和阳极向有机薄膜层注入。向有机薄膜层注入的电子和空穴重组并形成激子(exciton)，其激子再次掉落至基态并发光。利用这种原理的有机电致发光器件通常可由位于阴极和阳极及它们之间的有机薄膜层构成，例如，由包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层的有机薄膜层构成。

作为在有机电致发光器件中使用的材料，大部分为使纯有机物或由有机物和金属形成络合的络合物，根据用途可分为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。其中，空穴注入材料或空穴传输材料作为具有p-型性质的有机材料，即，主要使用易于氧化且在氧化时具有电化学稳定状态的有机物。另一方面，电子注入材料或电子传输材料作为具有n-型性质的有机材料，即，主要使用易于还原且在还原时具有电化学稳定的状态的有机物。发光层材料作为同时具有p-型性质和n-型性质的材料，即，优选为在氧化和还原状态下均具有稳定的状态的材料，优选为当形成激子时将其转换为光的具有高发光效率的材料。因此，本技术领域需要开发具备如上所述的条件的新型有机材料。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题

本发明的一实例提供具有适当的能级、电化学稳定性及热稳定性的新型有机化合物。

本发明的另一实例提供包含上述有机化合物的有机电致发光器件。

技术方案

在本发明的一实例中，提供由下述化学式a表示的化合物。

化学式a：

在上述式中，r1至r3分别独立地为氢、氘、卤素、c2～c12的烷基烷氧基、氨基、腈基、c2～c12的酰基、rcoo-、roco-、苯基或萘基，上述r为c1～c12的烷基，m、n及k分别独立地为0至4的整数，l为单键或者选自由取代或未取代的c6-c60的亚芳基及它们的组合组成的组中的一种，在上述l被取代的情况下的取代基为选自由c1-c12的烷基、c1-c12的烷氧基、c6-c30的芳基及它们的组合组成的组中的至少一种，x为o、s、n-ar3、c(ch3)2或si(ch3)2基，ar1、ar2及ar3分别独立地为取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c3-c60的杂芳基，在上述ar1至ar3被取代的情况下的取代基为选自由c1-c30的烷基、c6-c30的芳基、c5～c30的杂芳基及它们的组合组成的组中的至少一种。

在本发明的再一实例中，提供如下的有机电致发光器件，即，在阴极与阳极之间夹有至少一个有机薄膜层，上述有机薄膜层具有包括至少一个发光层的多层结构，上述发光层或除了上述发光层以外的上述有机薄膜层内的至少一个层包含上述有机化合物或者包含两种以上的混合物。

在本发明的另一实例中，提供如下的有机电致发光器件，即，在阴极与阳极之间夹有至少一个有机薄膜层，上述有机薄膜层为包括至少一个发光层的多层结构，在与上述阴极的有机薄膜层相接触的面的上部还包括覆盖层，上述覆盖层还包含上述有机化合物。

有益效果

上述有机化合物均能够优秀地满足在有机电致发光器件中可以使用的物质所需的条件，例如适当的能级、电化学稳定性及热稳定性等，根据取代基可起到在有机电致发光器件中所需的多种作用。

附图说明

图1及图2为示出与实施例1～9及比较例1中制备的有机电致发光器件有关的上述测定结果的寿命特性评价曲线图。

图3及图4为与实施例10～17及比较例2至6中制备的有机电致发光器件有关的上述测定结果的寿命特性评价曲线图。

具体实施方式

以下，详细说明本发明的实例。但是，这些实例仅作为例示而提出，本发明并不限定于此，本发明应基于后述的发明要求保护范围的范围来定义。

在本说明书中，除非另有定义，“取代”的情况包括被选自由c1-c50的烷基、c3-c50的环烷基、c2-c50的烯基、c3-c50的环烯基、c2-c50的炔基、c5-c50的环炔基、氰基、c1-c20的烷氧基、c6-c60的芳基，c3-c60的杂芳基及c7-c60的芳烷基及它们的组合组成的组中的取代基取代的情况。

在本说明书中，除非另有定义，“它们的组合”是指两个以上取代基通过相连接或缩合而相结合的状态。

在本说明书中，除非另有定义，“杂”是指一个化合物或取代基包含杂原子，上述杂原子可以为选自由n、o、s、p及它们的组合组成的组中的一种。例如，可指如下的情况，即，上述一个化合物或取代基包含1个至3个杂原子，而剩余的为碳。

在本发明的一实例中，提供由下述化学式a表示的新型有机化合物。

化学式a：

r1至r3分别独立地为氢、氘、卤素、c2～c12的烷基烷氧基、氨基、腈基、c2～c12的酰基、rcoo-、roco-、苯基或萘基，上述r为c1～c12的烷基，m、n及k分别独立地为0至4的整数，l为单键或者选自由取代或未取代的c6-c60的亚芳基及它们的组合组成的组中的一种，在上述l被取代的情况下的取代基为选自由c1-c12的烷基、c1-c12的烷氧基、c6-c30的芳基及它们的组合组成的组中的至少一种，x为o、s、n-ar3、c(ch3)2或si(ch3)2基，ar1、ar2及ar3分别独立地为取代或未取代的c6-c60的芳基、取代或未取代的c3-c60的杂芳基，在上述ar1至ar3被取代的情况下的取代基为选自由c1-c30的烷基、c6-c30的芳基、c5～c30的杂芳基及它们的组合组成的组中的至少一种。

具体地，上述l可以为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基或者取代或未取代的芴基，在上述l被取代的情况下的取代基为选自由c1-c12的烷基、c1-c12的烷氧基、c6-c30的芳基及它们的组合组成的组中的至少一种。

具体地，ar1至ar3分别独立地可以为苯基、氘苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、芴基、螺芴基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三联苯基、咔唑基、芘基或三亚苯基。

更具体地，ar1及ar3中的至少一个可以为由下述结构式表示的基团中的一种。

在上述结构式中，*表示在化学式a中与n相结合的位置。

在一实例中，上述化学式a可由下述化学式b、化学式c、化学式d或化学式e表示：

化学式b：

化学式c：

化学式d：

化学式e：

在上述化学式b、化学式c、化学式d及化学式e中，

ar1、ar2、x如上述化学式a中所定义。

例如，上述有机化合物可以为在下述表1中所记载的1至214中的一种化合物。

表1

上述有机化合物在用作有机电致发光器件的情况下，均能够优秀地满足在有机电致发光器件中可以使用的物质所需的条件，例如适当的能级、电化学稳定性及热稳定性等，根据取代基可起到在有机电致发光器件中所需的多种作用。

在本发明的再一实例中，提供如下的有机电致发光器件，即，在阴极与阳极之间夹有至少一个有机薄膜层，上述有机薄膜层具有包括至少一个发光层的多层结构，上述发光层或除了上述发光层以外的上述有机薄膜层内的至少一个层包含上述有机化合物或者包含两种以上的混合物。

包含在上述有机电致发光器件的有机薄膜层的上述有机化合物为由上述化学式a表示的化合物，与其相关的详细的说明如上所述。

在一实例中，根据所需用途，上述有机薄膜层可适当地包括选自由空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及电子阻挡层组成的组中的一种以上。

在另一实例中，上述有机薄膜层介于阳极与发光层之间，可包括具有空穴注入层、空穴传输层、功能层、缓冲层及电子阻挡层中的至少一种的空穴传输区域，上述功能层同时具有空穴注入功能及空穴传输功能。

上述空穴传输区域还可包含p型掺杂剂。

上述空穴注入层、空穴传输层、功能层、缓冲层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层，电子注入层等可分别使用公知的物质来形成，或者可包含一种以上由上述化学式a表示的有机化合物。

在上述有机电致发光器件中，也可以通过改变各材料性能来提高器件特性。并且，在共振结构的顶部发光(topemission)结构中，在阳极与阴极之间实现基于最佳光学厚度的色纯度提高及效率增大技术为提高有机电致发光器件的性能的重要因素之一。如上所述，为了提高有机电致发光器件的性能，在与上述阴极的有机薄膜层相接触的一面的相反侧上部还包括覆盖层(cappinglayer，cpl)，上述覆盖层还可包含上述有机化合物。

在本发明的另一实例中，提供如下的有机电致发光器件，即，在阴极与阳极之间夹有至少一个有机薄膜层，上述有机薄膜层为包括至少一个发光层的多层结构，在与上述阴极的有机薄膜层相接触的面的上部还包括覆盖层，上述覆盖层还包含上述有机化合物。

与上述有机薄膜层有关的详细说明如上所述。

以下，对本发明的实施例及比较例进行记载。下述这些实施例仅是本发明的一实施例，本发明并不限定于下述实施例。

实施例

以下，对反应例及比较例进行具体例示，但是本发明并不限定于下述反应例及实施例。在下述反应例中，以在终产物的编号添加序列号的方式来标记中间体化合物。例如，将化合物1标记为化合物[1]，并将上述化合物的中间体化合物标记为[1-1]等。在本说明书中，将化合物的编号标记为记载于上述表1的化学式的编号。例如，将由表1中的1表示的化合物标记为化合物1。

反应例1：化合物[10]的制备

反应式1

中间体化合物[10-1]的制备

向3l的反应烧瓶中投入75g(416.19mmol)的2-芴酮、156.6g(1664.7mmol)的苯酚、360g(2080.9mmol)的3-溴苯酚、200.1g(2080.9mmol)的甲磺酸，在氮气氛下，以152℃的温度搅拌24小时。反应结束后，添加900ml的乙醇来进行结晶化，然后进行过滤。利用甲醇、蒸馏水对所过滤的固体进行清洗后，过滤，并通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了33g(19重量百分比)的白色固体的中间体化合物[10-1]。

化合物[10]的制备

向500ml的反应烧瓶中加入6.68g(16.24mmol)的化合物[10-1]、5.87g(16.24mmol)的1，1’-联苯-4-基-9,9-二甲基-9h-芴-2-胺、2.34g(24.36mmol)的叔丁醇钠、0.32ml(0.6496mmol)的三丁基膦、290mg(0.3248mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、100ml的甲苯，回流搅拌3小时。反应结束后，利用乙酸乙酯/蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了10.2g(91重量百分比)的白色固体的目标化合物[10]。

反应例2：化合物[119]的制备

反应式2

中间体化合物[119-1]的制备

向500ml的反应烧瓶中加入10g(24.31mmol)的化合物[10-1]、5.08g(24.31mmol)的9，9-二甲基-9h-芴-2-胺、3.5g(36.47mmol)的叔丁醇钠、0.24ml(0.4862mmol)的三丁基膦、220mg(0.2431mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、100ml的甲苯，回流搅拌3小时。反应结束后，利用乙酸乙酯/蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了9.2g(70重量百分比)的白色固体的中间体化合物[119-1]。

化合物[119]的制备

向500ml的反应烧瓶中加入9.2g(17.05mmol)的化合物[119-1]、6.8g(17.05mmol)的3-(4-溴苯基)-9-苯基-9h-咔唑、2.46g(25.58mmol)的叔丁醇钠、0.33ml(0.682mmol)的三丁基膦、312mg(0.341mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、138ml的甲苯，回流搅拌3小时。反应结束后，冷却至室温，然后，加入甲醇进行结晶化后过滤。利用甲苯对所过滤的固体进行再结晶，从而制备了12.6g(86重量百分比)的白色固体的目标化合物[119]。

反应例3：化合物[132]的制备

反应式3

中间体化合物[132-1]的制备

向1l的反应烧瓶中加入30g(198.5mmol)的2-氨基苯甲酸甲酯、70.2g(297.8mmol)的1,3-二溴苯、28.6g(297.8mmol)的叔丁醇钠、1.93ml(3.970mmol)的三丁基膦、1.82g(1.985mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、300ml的甲苯，回流搅拌2小时。反应结束后，利用乙酸乙酯/蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了39.5g(65重量百分比)的白色固体的中间体化合物[132-1]。

中间体化合物[132-2]的制备

向3l的反应烧瓶中投入39.5g(129.02mmol)的化合物[132-1]后，加入1.2l的四氢呋喃后，在氮气氛下，加入400ml的甲醇和400ml的蒸馏水后，加入12.4g(516.08mmol)的氢氧化锂。在室温搅拌6小时。反应结束后，对反应物进行减压蒸馏，然后，加入蒸馏水稀释后，利用1n的盐酸进行酸性化后，过滤固体并用水清洗。经过干燥后，制备了34.7g(92重量百分比)的淡黄色的中间体化合物[132-2]。

中间体化合物[132-3]的制备

向3l的反应烧瓶中加入34.7g(118.78mmol)的化合物[132-2]、347g的ppa后，在氮气氛下，以115℃的温度搅拌24小时。反应结束后，在微温的状态下，缓慢加入1700ml的蒸馏水，生成黄色结晶。在微温的状态下，加入氨水将ph调至7后，过滤并用水清洗后，制备了31.8g(97.8重量百分比)的黄色固体的中间体化合物[132-3]。

中间体化合物[132-4]的制备

向2l的反应烧瓶中加入31.8g(116.01mmol)的化合物[132-3]、26g(127.61mmol)的碘苯、1.1g(5.8mmol)的碘化亚铜、32.06g(232.02mmol)的碳酸钾、4.27g(23.2mmol)的二叔戊酰甲烷，并加入540ml的二甲基甲酰胺回流搅拌24小时。反应结束后，加入水和甲醇进行固体化后，过滤绿色固体并用水清洗，利用甲醇清洗并过滤。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了21.1g(52重量百分比)的黄色固体的中间体化合物[132-4]。

中间体化合物[132-5]的制备

在1l的反应烧瓶中，利用75ml的四氢呋喃溶解14.04g(60.25mmol)的2-溴联苯后，在-78℃的温度注入氮的条件下，利用24.1ml的正丁基锂(己烷中2.5m，60.25mmol)进行处理。搅拌混合物30分钟。滴加利用75ml的四氢呋喃溶解的21.1g(60.25mmol)的化合物[132-4]的溶液。在-78℃的温度下进行反应30分钟后，在室温搅拌24小时。利用水对反应进行淬火，利用乙酸乙酯萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用乙醇去除中间体中的溶剂后，制备了19.5g(64重量百分比)的中间体化合物[132-5]。

中间体化合物[132-6]的制备

向2l的反应烧瓶中加入19.5g(38.66mmol)的化合物[132-5]、800ml的乙酸及60ml的hcl后，回流搅拌2小时。冷却后，过滤混合物，并用水清洗。利用甲苯对残留物进行结晶化。利用甲苯和水萃取残留液，利用无水硫酸镁过滤。利用甲苯进行再结晶，从而制备了10.1g(54重量百分比)的淡黄色的中间体化合物[132-6]。

化合物[132]的制备

向500ml的反应烧瓶中加入10.1g(20.76mmol)的化合物[132-6]、6.7g(20.76mmol)的n-[1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺、2.99g(31.14mmol)的叔丁醇钠、0.40ml(0.8304mmol)的三丁基膦、378mg(0.4152mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、120ml的甲苯，回流搅拌4小时。反应结束后，冷却至室温，然后，加入甲醇进行结晶化后，过滤。利用甲苯对所过滤的固体进行再结晶，从而制备了13.4g(89重量百分比)的白色固体的目标化合物[132]。

反应例4：化合物[138]的制备

反应式4

中间体化合物[138-1]的制备

在2l的反应烧瓶中，利用400ml的四氢呋喃溶解40g(208.93mmol)的1-溴-4-氯-苯后，在0℃的温度注入氮的条件下，加入5.08g(208.93mmol)的镁后，回流搅拌3小时。反应结束后，在0℃的温度下，向200ml的四氢呋喃中缓慢滴加38.6g(208.93mmol)的2-氯甲基苯甲酸甲酯。搅拌混合物30分钟。在室温搅拌24小时。反应结束后，向水中缓慢滴加反应物进行淬火后，利用乙酸乙酯和蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用二氯甲烷和己烷进行结晶化，从而制备了29.9g(55重量百分比)的白色固体的中间体化合物[138-1]。

中间体化合物[138-2]的制备

向2l的反应烧瓶中加入29.9g(114.68mmol)的化合物[138-1]及450ml的乙醚后，在-78℃的温度注入氮的条件下，利用143.4ml的甲基锂(乙醚(diethylether)中1.6m，229.36mmol)进行处理。在-78℃的温度下进行反应1小时后，在室温搅拌24小时。反应结束后，向甲醇中缓慢滴加反应物后，利用乙酸乙酯萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用二氯甲烷和己烷进行结晶化，从而制备了19.5g(70重量百分比)的白色固体的中间体化合物[138-2]。

中间体化合物[138-3]的制备

向500ml的反应烧瓶中加入19.5g(74.78mmol)的化合物[138-2]，在注入氮的条件下加入117ml的硫酸后，在常温下搅拌2小时。反应结束后，缓慢加入净化水后，缓慢加入naoh水溶液，将ph调至7。利用乙酸乙酯和蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用二氯甲烷和己烷进行结晶化，从而制备了15.07g(83重量百分比)的白色固体的中间体化合物[138-3]。

中间体化合物[138-4]的制备

向2l的反应烧瓶中加入15.07g(62.08mmol)的化合物[138-3]及150ml的冰醋酸，并加热至55～58℃，将向450ml的冰醋酸溶解的9.9g(99.33mmol)的三氧化铬滴加到反应物中，在55～58℃的温度下搅拌4小时。反应结束后，蒸发去除溶剂，在残留物中加入150ml的蒸馏水并搅拌10分钟来分散固体。过滤固体并用水清洗后，利用二氯甲烷和蒸馏水萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用比例为3:1的乙醇和水对通过减压蒸馏来去除溶剂的残留物进行再结晶后，制备了10g(63重量百分比)的白色固体的中间体化合物[138-4]。

中间体化合物[138-5]的制备

在1l的反应烧瓶中，利用54ml的四氢呋喃溶解9.08g(38.95mmol)的2-溴联苯后，在-78℃的温度注入氮的条件下，利用18.7ml的正丁基锂(己烷中2.5m，46.74mmol)进行处理。搅拌混合物30分钟。滴加利用50ml的四氢呋喃溶解的10g(38.95mmol)的化合物[138-4]的溶液。在-78℃的温度下进行反应30分钟后，在室温搅拌24小时。利用水对反应进行淬火，利用乙酸乙酯萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用乙醇去除中间体中的溶剂后，制备了11.3g(71重量百分比)的中间体化合物[138-5]。

中间体化合物[138-6]的制备

向1l的反应烧瓶中加入11.3g(27.49mmol)的化合物[138-5]、400ml的乙酸及30ml的hcl后，回流搅拌3小时。冷却后，过滤混合物，并用水清洗。利用二氯甲烷结晶化。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了5.8g(54重量百分比)的白色固体的中间体化合物[138-6]。

化合物[138]的制备

向250ml的反应烧瓶中加入5.8g(14.76mmol)的化合物[138-6]、4.74g(14.76mmol)的n-[1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺、2.13g(22.14mmol)的叔丁醇钠、0.29ml(0.5904mmol)的三丁基膦、270mg(0.2952mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、58ml的甲苯，回流搅拌3小时。反应结束后，冷却至室温，然后，加入甲醇进行结晶化后，过滤。利用甲苯对所过滤的固体进行再结晶，从而制备了8.1g(81重量百分比)的白色固体的目标化合物[138]。

反应例5：化合物[144]的制备

反应式5

中间体化合物[144-1]的制备

在1l的反应烧瓶中，利用85ml的四氢呋喃溶解16.01g(68.69mmol)的2-溴联苯后，在-78℃的温度注入氮的条件下，利用27.5ml的正丁基锂(己烷中2.5m，60.25mmol)进行处理。搅拌混合物30分钟。滴加利用106ml的四氢呋喃溶解的20g(68.69mmol)的3-溴-9h-噻吨-9-酮的溶液。在-78℃的温度下进行反应30分钟后，在室温搅拌24小时。利用水对反应进行淬火，利用乙酸乙酯萃取，并利用无水硫酸镁过滤。利用乙醇去除中间体中的溶剂后，制备了19.9g(65重量百分比)的中间体化合物[144-1]。

中间体化合物[144-2]的制备

向2l的反应烧瓶中加入19.9g(44.68mmol)的化合物[144-1]、800ml的乙酸及60ml的hcl后，回流搅拌3小时。冷却后，过滤混合物，并用水清洗。利用二氯甲烷结晶化。通过硅胶层析进行分离提纯，从而制备了9.7g(51重量百分比)的白色固体的中间体化合物[144-2]。

化合物[144]的制备

向250ml的反应烧瓶中加入9.7g(22.69mmol)的化合物[144-2]、7.29g(22.69mmol)的n-[1,1’-联苯]-4-基-[1,1’-联苯]-4-胺、3.27g(34.04mmol)的叔丁醇钠、0.44ml(0.9076mmol)的三丁基膦、416mg(0.4538mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯(0)、97ml的甲苯，回流搅拌3小时。反应结束后，冷却至室温，然后，加入甲醇进行结晶化后，过滤。利用甲苯对所过滤的固体进行再结晶，从而制备了12.9g(85重量百分比)的白色固体的目标化合物[144]。

反应例6：化合物[151]的制备

反应式6

化合物[151]的制备

向250ml的反应烧瓶中加入10g(24.31mmol)的化合物[10-1]、11.27g(25.53mmol)的4-(二苯基-4-基-氨基)苯硼酸，并加入100ml的1,4-二氧六环，加温。在60℃的温度下，加入0.56g(0.4862mmol)的四(三苯基膦)钯(0)，并加入向蒸馏水中溶解的5.04g(36.47mmol)的碳酸钾后，回流搅拌5小时。反应结束后，冷却至室温，然后，加入甲醇进行结晶化后，过滤。利用甲苯对所过滤的固体进行再结晶，从而制备了15.9g(90重量百分比)的白色固体的目标化合物[151]。

根据上述反应式1至反应式6的制备方法制备了化合物1至化合物214，在下列表2中示出了其结果。

表2

比较例化合物

α-npd：

化学式h：

化学式i：

化学式j：

化学式k：

化学式l：

比较例1

将由下述化学式f表示的化合物f用作荧光蓝色主机，由下述化学式g表示的化合物g用作荧光蓝色掺杂剂，2-tnata(4,4',4”-三(n-萘-2-基)-n-苯氨基-三苯基胺(4,4’,4”-tris(n-naphthalen-2-yl)-n-phenylamino)-triphenylamine))用作空穴注入层物质，将α-npd(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯联苯胺(n,n’-di(naphthalene-1-yl)-n,n’-diphenylbenzidine))用作空穴传输层物质，由此制备了具有如下结构的有机发光器件：ito/2-tnata(60nm)/α-npd(30nm)/化合物f+化合物g(30nm)/alq3(25nm)/liq(1nm)/al(100nm)。

使用如下的阳极，即，将康宁公司(corning)的15ω/cm²ito玻璃基板切割成25mm×25mm×0.7mm的大小，在分别在丙酮异丙醇和纯净水中超声波清洗15分钟后，进行30分钟的紫外(uv)臭氧清洗。在上述基板的上部真空蒸镀2-tnata来形成60nm厚度的空穴注入层。在上述空穴注入层的上部真空蒸镀α-npd来形成30nm厚度的空穴传输层。在上述空穴传输层的上部真空蒸镀由化学式f表示的化合物及由化学式g表示的化合物(掺杂率：4重量百分比)来形成30nm厚度的发光层。然后，在上述发光层的上部以25nm的厚度真空蒸镀alq3化合物来形成电子传输层。在上述电子传输层的上部依次真空蒸镀1nm的liq(电子注入层)和100nm的al(阴极)来制备如表3所示的有机发光器件。将其称为比较样品1。

化学式f：

化学式g：

比较例2

在上述比较例1中，在空穴传输层α-npd与发光层(化学式f+化学式g－掺杂率：4％)之间使用由化学式h表示的化学物h作为电子阻挡化合物，由此制备了具有如下结构的有机发光器件：ito/2-tnata(60nm)/α-npd(30nm)/化合物h(10nm)/化合物f+化合物g(30nm)/alq3(25nm)/liq(1nm)/al(100nm)。

使用如下的阳极，即，将康宁公司(corning)的15ω/cm²ito玻璃基板切割成25mm×25mm×0.7mm的大小，在分别在丙酮异丙醇和纯净水中超声波清洗15分钟后，进行30分钟的紫外(uv)臭氧清洗。在上述基板的上部真空蒸镀2-tnata来形成60nm厚度的空穴注入层。在上述空穴注入层的上部真空蒸镀α-npd来形成30nm厚度的空穴传输层。在上述空穴传输层的上部真空蒸镀由化合式h表示的化合物h来形成10nm厚度的电子阻挡层。真空蒸镀化学式f表示的化合物f及由化学式g表示的化合物g(掺杂率：4重量百分比)来形成30nm厚度的发光层。然后，在上述发光层的上部以25nm的厚度真空蒸镀alq3化合物来形成电子传输层。在上述电子传输层的上部依次真空蒸镀1nm的liq(电子注入层)和100nm的al(阴极)来制备如表3所示的有机发光器件。将其称为比较例2。

比较例3

作为电子阻挡化合物，除了将化合物h变更为化合物i以外，通过与比较例2相同的方法制备有机电致发光器件，进行评价并在表3中示出。将其称为比较例3。

比较例4

作为电子阻挡化合物，除了将化合物h变更为化合物j以外，通过与比较例2相同的方法制备有机电致发光器件，进行评价并在表3中示出。将其称为比较例4。

比较例5

作为电子阻挡化合物，除了将化合物h变更为化合物k以外，通过与比较例2相同的方法制备有机电致发光器件，进行评价并在表3中示出。将其称为比较例5。

比较例6

作为电子阻挡化合物，除了将化合物h变更为化合物l以外，以与比较例2相同的方法制备有机电致发光器件，进行评价并在表3中示出。将其称为比较例6。

实施例1～9

除了使述表1中示出的化合物55、65、81、119、151、152、170、200、206通过升华提纯过程来分别代替α-npd而用作空穴传输层以外，以与上述比较例1相同的方法制备有机发光器件，并在表3中示出。将其分别称为实施例1至实施例9。

实施例10～17

除了使上述表1中示出的化合物9、10、12、30、54、132、138、144通过升华提纯过程来分别代替化学式h而用作电子阻挡层以外，以与上述比较例2相同的方法制备有机发光器件，并在表3中示出。将其分别称为实施例10至实施例17。

评价例1：比较例1～6及实施例1～17的发光特性及寿命评价

对于比较例1及实施例1～9，利用吉时利数字源表(keithleysourcemeter)“2400”、柯尼卡美能达(konikaminolta)“cs-2000”来评价了发光亮度、发光效率，利用脉科学(mcscience)公司的m6000s寿命分别测定装置并以1000nit的初期亮度(l0)为基准，测定亮度(l)达到97％的时间(lt97)，将其结果示出在下列表3及图1至图4。

表3

如上述表3所示，与比较例1～6相比，实施例1～17呈现了低电压驱动及得到提高的发光特性。

图1及图2为示出相对在实施例1～9及比较例1中所制备的有机电致发光器件的上述测定结果的寿命特性评价曲线图。

图3及图4为示出相对在实施例10～17及比较例2～6中所制备的有机电致发光器件的上述测定结果的寿命特性评价曲线图。

如上述表3所示，与比较例1～3相比，实施例1～17呈现了得到提高的寿命特性。

以上，对本发明的多个优选实施例进行了详细说明，但是本发明的发明要求保护范围并不限定于此，该领域技术人员利用发明要求保护范围中所定义的本发明的基本概念来进行的多种变形及改良形态也属于本发明的发明要求保护范围。