铝化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及具有特定结构的新型铝化合物、含有该化合物而成的薄膜形成用原料 及使用了该原料形成含铝的薄膜的薄膜制造方法。
【背景技术】
[0002] 含有铝元素的薄膜材料显示特异性的电特性及光学特性，被应用在各种用途中。 例如，铝及铝合金薄膜由于高的导电性、电迀移耐受性而被用作LSI的配线材料，氧化铝系 薄膜被用作机械部件或工具等的硬涂膜；半导体存储器的绝缘膜、栅极绝缘膜、电介质膜； 硬盘用MR头等电子部件；光通信用电路等的光学玻璃。
[0003] 作为上述薄膜的制造法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法或溶胶凝胶法等 MOD法，化学气相沉积法等，由于具有组成控制性、高低差覆盖性优异、适于量产化、能够混 合集成等多个优点，包括ALD (Atomic Layer Deposition，原子层沉积）法的化学气相沉积 (以下有时也仅记为CVD)法是最佳的制造工艺。
[0004] 作为CVD法用原料使用的铝化合物一直以来已知各种铝化合物。例如，专利文 献1中作为薄膜形成用原料公开了以三甲基铝或二甲基烷氧基铝为代表的烷氧基铝烷，但 并无本发明铝化合物的相关记载。作为烷氧基铝烷中最优选的薄膜形成用原料，报告了 AlM e2(〇ipr)。但是，AlMe2(〇ipr)的热稳定性低，作为化学气相沉积用原料是无法令人足够 满意的化合物。另外，由于三甲基铝具有自燃性，因此作为化学气相沉积用原料是无法令人 足够满意的化合物。非专利文献1中作为铝酰胺化合物公开了（Me 2NCH2CH2NMe)Al(NMe2) 2， 但并无本发明铝化合物的相关记载。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献 1 :US2009/203222A1
[0008] 非专利文献
[0009] 非专利文献 1 :Sean T. Barry, Roy G. Gordon and Valerie A. Wagner "Monomeric Chelated Amides of Aluminum and Gallium:Volatile, Miscible Liquid Precursors for CVD"Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 606(2000)P. 83-89
【发明内容】
[0010] 发明要解决的技术问题
[0011] 对适于CVD法等的使化合物汽化而形成薄膜的原料的化合物（前体）所要求的性 质是熔点低、能够以液体的状态进行输送、液体的粘度低、蒸汽压大而易于汽化、热稳定性 高。特别是在ALD法中，为了实施通过加热变成气相的前体在不发生热分解的情况下被输 送至基体、在不发生热分解的情况下吸附于被加热至高温的基体上、之后与导入的反应性 气体发生反应而形成薄膜的工序，前体的高热稳定性变得重要。对于以往的铝化合物，在这 些方面并非是可足够令人满意的化合物。
[0012] 用于解决技术问题的方法
[0013] 本发明人进行了反复研宄，结果发现具有特定结构的铝化合物可解决上述课题， 从而完成了本发明。
[0014] 本发明提供一种下述通式（I)所示的铝化合物。
【主权项】
1. 一种下述通式（I)所示的铝化合物，
式中，R1及R2各自独立地表示碳数为2~5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙 基。
2. 根据权利要求1所述的铝化合物，其中，所述通式（I)中，R1及R2为乙基。
3. 根据权利要求1或2所述的铝化合物，其中，所述通式（I)中，R3为甲基。
4. 一种薄膜形成用原料，其是含有权利要求1~3中任一项所述的铝化合物而成的。
5. -种薄膜的制造方法，其中，将使权利要求4所述的薄膜形成用原料汽化获得的、含 有所述铝化合物的蒸汽导入至设置有基体的成膜腔室内，使所述铝化合物分解和/或发生 化学反应，从而在所述基体的表面上形成含有铝的薄膜。
【专利摘要】本发明涉及下述通式(I)所示的铝化合物。另外，本发明涉及含有该铝化合物而成的薄膜形成用原料。下述通式(I)中，R1及R2各自独立地表示碳数为2～5的直链或支链状的烷基，R3表示甲基或乙基。优选R1及R2为乙基。本发明的化合物为低熔点，显示充分的挥发性且具有高的热稳定性，适合作为利用CVD法的薄膜形成用原料。
【IPC分类】C23C16-40, H01L21-316, C07F5-06
【公开号】CN104755485
【申请号】CN201380052746
【发明人】吉野智晴, 樱井淳, 白鸟翼, 畑濑雅子, 内生蔵广幸, 西田章浩
【申请人】株式会社艾迪科
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年11月26日
【公告号】US20150266904, WO2014103588A1