N-异丙基丙烯酰胺)后，介孔硅分子印迹聚合物界面变得模糊。
[0022]pH响应试验:
将pH-T-M-MIPs和用不同pH的I3BS缓冲溶液配制成浓度为40 mg/L的溶液，分别向其内部加入BHb，使其浓度为0.5μΜ。维持溶液温度在37 °C，待BHb与印迹材料相互作用30min后，测印迹聚合物溶液响应前后的荧光强度，计算其粹灭效率，考查pH-T-M-MIPs的pH响应性能。结果如图2所示，M-MIPs(用符号“■”表示)在pH 7.4左右表现出最高的荧光猝灭效率。当PH逐渐减弱至酸性后，由于蛋白质会在酸性条件下变性，因此进入印迹聚合物识别位点的蛋白质数量减少，引起猝灭效率降低。相比，PH-T-M-MIPs(用符号“ ?”表示)在pH 6.0以上的粹灭效率很低。原因在于pH 6.0以上，Schiff base结构稳定存在，使得起门阀作用的PNIPAAm覆盖在介孔印迹层表面，阻碍蛋白质进入识别位点，因此无法猝灭量子点荧光。当pH低于6.0后，Schiff base开始水解，导致PNIPAAm从印迹材料表面脱离，从而蛋白质进入识别位点，猝灭荧光，使得猝灭效率大大提高，上述结果表明，pH-T-M-MIPs对pH的刺激响应性能。
[0023]温度响应试验:
将pH-T-M-MIPs和M-MIPs*别用pH 7.4的I3BS缓冲溶液配制成浓度为40 mg/L的溶液，分别向其内部加入BHb，使其浓度为0.5μΜ。改变溶液的温度从20-40°C，待BHb与印迹材料相互作用30min后，测印迹聚合物溶液响应前后的荧光强度，计算其猝灭效率，考查ρΗ-Τ-M-MIPs的温度响应性能。结果如图3所示，M-MIPs(用符号“■”表示)在20-40°C范围内表现出较高的猝灭性能。而pH-T-M-MIPs(用符号“籲”表示)在温度高于32°C，焚光猝灭效率较低。原因在于此时PNIPAAm以蜷缩无规线团形式存在，阻碍了蛋白质分子的进入。当温度低于32°C时，PNIPAAm以伸展链状态存在，蛋白质可以进入识别位点猝灭量子点荧光，因此猝灭效率大大提高。上述结果表明，pH-T-M-MIPs对温度的刺激响应性能。
[0024]图4为本发明pH和温度双重刺激分子印迹聚合物的制备流程图。图5为介孔硅分子印迹聚合物修饰苯甲醛封端的聚(N-异丙基丙烯酰胺)的路线图。图6为介孔硅分子印迹聚合物对pH和温度双重刺激响应的原理示意图。
[0025]在介孔硅分子印迹聚合物表面引入对pH刺激响应的Schif base基团和对温度刺激响应的聚异丙基丙烯酰胺。在pH 7.4和37°C下，Schiff base稳定存在，PNIPAAm聚合物以无规则线团形式存在，阻挡在介孔硅表面，起到门阀的作用，使目标分子无法进入介孔娃内部的识别位点。当改变溶液的pH<6.0，Schiff base水解，导致作为门阀的聚合物PNIPAAm从介孔材料表面脱离，目标分子进入介孔硅层，猝灭量子点荧光，从而实现荧光检测。在不改变溶液PH的情况下，通过改变温度也可实现目标物的检测。降低体系温度低于PNIPAAm的临界溶解温度(32°C) ,PNIPAAm以伸展链状态存在，此时目标分子同样可进入介孔硅层进行识别。由此实现对温度和PH双重刺激响应。
[0026]本发明的氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物并不限于采用本发明所述的方法制备，也可采用传统方法制备，如“多巴胺朋序介孔硅表面分子印迹传感器的研究”，龚伟等，分析测试学报，2012年4月第31卷第4期，417-422页。“两种介孔硅分子印迹聚合物的制备及其应用研究”，唐菲等，安徽农业大学，2013年。
[0027]最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法，包括， 将苯甲醛封端的聚(N-异丙基丙烯酰胺)与氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物混合反应，即得到pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在碱性条件下，由N-羟基琥珀酰亚胺酯封端的聚(N-异丙基丙烯酰胺)与对羟基苯甲醛反应得到所述的苯甲醛封端的聚(N-异丙基丙烯酰胺)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物附着在载体表面。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述载体为纳米二氧化硅。5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物的制备过程包括: (I)向载体分散液中加入十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸乙酯、3-氨丙基三乙氧基硅烧、焚光量子点和模板分子，在碱性条件下反应1-30小时后，分尚，在载体表面上得到介孔娃层； (II)将经过步骤(I)处理的载体分散于介质中，加入氨水和3-氨丙基三乙氧基硅烷，反应1-30小时后，分离，洗脱，即得到氨基修饰的介孔硅分子印迹聚合物。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述荧光量子点为CdTe量子点。7.权利要求1-6任一所述方法制备的pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。8.权利要求6所述分子印迹聚合物用于制备分子印迹荧光传感器。
【专利摘要】本发明公开一种pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物的制备方法，包括，将苯甲醛封端的聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PNIPAAm）与氨基修饰的介孔硅分子印迹荧光聚合物混合反应，即得到pH和温度双重刺激响应的分子印迹聚合物。本发明利用介孔硅分子印迹聚合物表面的Schiff？base基团和PNIPAAm聚合物对pH和温度的刺激响应，起到门阀的作用，从而对目标分子进入介孔硅内部识别位点的条件进行有效控制，可用于分子印迹荧光传感器。
【IPC分类】C08G77/26, C08G81/02, C08F120/54, C08F8/00
【公开号】CN105601938
【申请号】CN201610063579
【发明人】徐守芳, 陆宏志
【申请人】临沂大学
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年1月29日