专利名称：切割模片粘接膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及切割模片粘接膜。切割模片粘接膜是在将用于粘合芯片状工件(半导体芯片等)和电极部件的胶粘剂在切割前附设在工件(半导体晶片等)上的状态下，用于对工件进行切割的薄膜。另外，本发明涉及使用切割模片粘接膜的芯片状工件的固定方法。进而涉及通过该固定方法胶粘固定有芯片状工件的半导体装置。例如本发明的切割模片粘接膜可以适用于硅半导体、化合物半导体、半导体封装、玻璃、陶瓷等的各种工件。
背景技术：
形成有电路图案的半导体晶片，在根据需要通过背面研磨而调整厚度后切割为芯片状工件(切割工序)。在切割工序中，为了除去切断层，一般通过适度的液压(通常为2kg/cm2左右)清洗半导体晶片。然后，利用胶粘剂将上述芯片状工件粘合在引线框等的被粘合体上(组装工序)后，进入键合工序。在所述组装工序中，将胶粘剂涂布在引线框或芯片状工件上。但是，在该方法中，胶粘剂层的均匀化困难，并且胶粘剂的涂布需要特殊的装置以及需要较长时间。因此，提出了以下的切割模片粘接膜，即，在切割工序中，在胶粘保持半导体晶片的同时，也付与组装工序中必要的芯片粘合用的胶粘剂层的切割模片粘接膜(例如参照特开昭60-57642号公报)。
所述专利文献1中记载的切割模片粘接膜是以能够剥离胶粘剂层的方式而设置在支撑基材上的薄膜。即，在基于胶粘剂层的保持下，对半导体晶片进行切割后，对支撑基材进行延伸将芯片状工件与胶粘层一起剥离，对其分别回收并借助该胶粘剂层使其粘合在引线框等的被粘合体上。
在这种切割模片粘接膜的胶粘剂层上，为了不产生不能切割或尺寸误差等，希望对半导体晶片的良好保持力以及能够将切割后的芯片状工件与胶粘剂层一体从支撑基材上剥离的良好剥离性。但是，使该两特性平衡是非常不容易的。特别是如利用旋转圆形刀具等对半导体晶片进行切割的方式等，要求在胶粘剂层上具有很大保持力时，很难获得满足上述特性的切割模片粘接膜。
因此，为了克服这种问题，提出了各种改良方法(例如参照特开平2-248064号公报)。在专利文献2中，提出了以下方法，即，使在支撑基材与胶粘剂层之间夹持能够紫外线固化的粘合剂层，在对其进行切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力降低，通过两者间的剥离而容易拾取芯片状工件的方法。
但是，即使通过该改良方法，有时也很难形成使切割时的保持力与之后的剥离性平衡的胶粘剂层。例如，在为了获得10mm×10mm以上的大型芯片状工件时，由于其面积大，通过一般的芯片焊接机不能很容易地对芯片状工件进行拾取。
对于上述问题，本申请人提出了一种切割模片粘接膜，即，在对工件进行切割时的保持力与将通过切割获得的芯片状工件与其模片胶粘用胶粘剂层一体剥离时的剥离性之间的平衡性优异的切割模片粘接膜(专利申请2002-299930号)。即使在使用该切割模片粘接膜的拾取工序中，也可以采用使用一般的切割用粘合薄膜时的方式。即，使切割模片粘接膜处于一定程度的伸张状态，以点状或线状对拾取的芯片状工件下部的切割模片粘接膜进行上顶或抹擦，在以助长该芯片状工件与切割模片粘接膜之间的剥离的状态下通过从上部真空吸附进行拾取，从而获得芯片状工件。根据上述已申请的切割模片粘接膜，可以很好地进行拾取。
但是，在近年来，随着IC卡等的普及，工件(半导体元件)进一步薄形化，具有在以上述手法进行拾取时芯片状工件容易变形，或者切割模片粘接膜与芯片状工件之间的剥离性降低的倾向。其结果剥离力变高，不利于拾取。
薄形芯片状工件的拾取机理，大概推断如下。即，在拾取薄形芯片状工件时，以顶针对切割模片粘接膜进行上顶而助长剥离时，由于工件薄、刚性低，因此工件端部变形，切割模片粘接膜与工件的剥离角度与以往的具有刚性的厚的工件相比变低，由此导致剥离力变高，因此变得不利于拾取。
发明内容
本发明提供一种以下所述的切割模片粘接膜，即在支撑基材上具有粘合剂层，在该粘合剂层上设置有能够剥离的模片胶粘用胶粘剂层，即使在工件是薄形的情况下，对该薄形工件进行切割时的保持力、与将通过切割得到的芯片状工件和该模片胶粘用胶粘剂层一体剥离时的剥离性之间的平衡特性优良的切割模片粘接膜。
另外，本发明目的在于提供一种使用了该切割模片粘接膜的芯片状工件的固定方法。进而其目的在于提供一种通过该固定方法胶粘固定了芯片状工件的半导体装置。
本发明人等为了解决上述课题，进行了锐意的研究，结果发现了以下所示的切割模片粘接膜，从而完成了本发明。
即，本发明涉及的切割模片粘接膜是一种在支撑基材1上具有粘合剂层2、并且在该粘合剂层2上具有模片胶粘用胶粘剂层3的切割模片粘接膜，其特征在于，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层2的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力进行测定时，对应于模片胶粘用胶粘剂层3上的工件粘贴部分3a的部分2a与对应于其之外的部分3b的一部分或全部的部分2b上不同，满足粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力，并且粘合剂层2a的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力为2.3N/25mm以下。
上述本发明的切割模片粘接膜1，在支撑基材1上具有粘合剂层2，在该粘合剂层2上设置有可以剥离的模片胶粘用胶粘剂层3。上述的粘合剂层2被设计为对应于模片胶粘用胶粘剂层3上的工件粘贴部分3a及其之外的部分3b的部分2a、2b上，相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力，粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力。即，粘合剂层2b在切割时或展开时与胶粘剂层3适度胶粘并且使粘合剂层2与胶粘剂层3不剥离。另一方面，使粘合剂层2a可以轻剥离。因此，可以获得一种即使对于超过10mm×10mm的大型芯片，也不会引起切割不良，并且使在切割后得到的芯片状工件容易剥离并拾取的切割模片粘接膜。这样，本发明的切割模片粘接膜1可以很好的平衡切割时等的保持力与拾取时的剥离性。
并且，粘合剂层2的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力，即使在剥离角度为15°比较低的状态下，粘合力为2.3N/25mm以下，比较低。因此，即使在工件为薄形而容易变形并且在拾取时的剥离角度小的时候，也可以良好地进行芯片状工件的拾取。所述粘合力为2.0N/25mm以下，进而优选为1.8N/25mm以下。另外，从芯片崩边等观点来看，优选为0.1N/25mm以上，进而优选为0.3N/25mm以上。
在所述切割模片粘接膜1中，模片胶粘用胶粘剂层3的工件粘贴部分3a处的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层2a的粘合力，优选满足相对于工件的粘合力＞相对于粘合剂层2a的粘合力。
所述模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力通过在工件与粘合剂层2a之间的关系上满足上述关系，可以在对工件进行切割之后以将模片胶粘用胶粘剂层3附设在芯片状工件上的状态下很容易地从粘合剂层2a上剥离。
上述切割模片粘接膜1可以将工件粘贴部分3a以外的部分3b的一部分设为切割环粘贴部分3b’。在该切割模片粘接膜1中，模片胶粘用胶粘剂层3的切割环粘贴部分3b’上相对于切割环的粘合力与相对于粘合剂层2b’的粘合力，优选满足相对于切割环的粘合力＜相对于粘合剂层2b’的粘合力。
通过使模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力满足上述关系，可以进一步很好地平衡切割时等的保持力与拾取时的剥离性。
另外，本发明涉及的切割模片粘接膜2是一种在支撑基材1上具有粘合剂层2并且在该粘合剂层2上具有模片胶粘用胶粘剂层3的切割模片粘接膜，其特征在于，上述模片胶粘用胶粘剂层3作为工件粘贴部分3a被设置在粘合剂层2的一部分上，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层2的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力进行测定时，在粘合剂层2上的对应于工件粘贴部分3a的部分2a与其之外的部分2b上粘合力不同，满足粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力，并且粘合剂层2a的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力为2.3N/25mm以下。
上述本发明的切割模片粘接膜2在支撑基材1上具有粘合剂层2，并且在该粘合剂层2上的一部分上，模片胶粘用胶粘剂层3作为工件粘贴部分3a被设置为可以剥离。上述的粘合剂层2被设计为对应于工件粘贴部分3a的部分2a及其之外的部分2b上，粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力。即，使粘合剂层2a可以轻剥离。另一方面，在粘合剂层2b上能够胶粘晶片环，并且在切割时或展开时它们可以被固定不剥离。因此，可以获得一种即使对于超过10mm×10mm的大型芯片，也不会引起切割不良，并且使在切割后得到的芯片状工件容易剥离并拾取的切割模片粘接膜。这样，本发明的切割模片粘接膜2可以很好地平衡切割时等的保持力与拾取时的剥离性。
并且，粘合剂层2的相对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力，即使在剥离角度为15°比较低的状态下，粘合力为2.3N/25mm以下，比较低。因此，即使在工件为薄形而容易变形并且在拾取时的剥离角度小的时候，也可以良好地进行芯片状工件的拾取。所述粘合力为2.0N/25mm以下，进而优选为1.8N/25mm以下。另外，从芯片崩边等观点来看，优选为0.1N/25mm以上，进而优选为0.3N/25mm以上。
在所述切割模片粘接膜2中，工件粘贴部分3a的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层2a的粘合力优选满足相对于工件的粘合力＞相对于粘合剂层2a的粘合力。
所述模片胶粘用胶粘剂层3a的粘合力通过在工件与粘合剂层2a之间的关系上满足上述关系，可以在对工件进行切割之后以将模片胶粘用胶粘剂层3a附设在芯片状工件上的状态下很容易地从粘合剂层2a上剥离。
上述切割模片粘接膜1、2的粘合剂层2，优选通过放射线固化型粘合剂形成，对应于工件粘贴部分3a的粘合剂层2a可以通过对其照射放射线而形成。
所述放射线固化型粘合剂可以优选使用含有丙烯酸系聚合物并且其玻璃化温度为-70℃以上的粘合剂。另外，所述放射线固化型粘合剂优选含有丙烯酸系聚合物并且其重均分子量为50万以上。此外，所述放射线固化型粘合剂优选含有40重量％以上的平均在一个分子中含有6个以上的碳-碳双键的放射线固化型树脂。
另外，所述切割模片粘接膜1、2的模片胶粘用胶粘剂层3，从减小粘合剂层与模片胶粘用胶粘剂层的粘合力的观点来看，优选进而将贴合在芯片状工件等上的薄膜进一步贴合在半导体元件上并且最终进行固定化(热固化型时使固化)的、在贴合前的、25℃下的拉伸储能弹性模量为50MPa以上。拉伸储能弹性模量优选为70MPa以上，进一步优选为80MPa以上。此外，从向工件贴合的观点来看，拉伸储能弹性模量优选为2500MPa以下，进一步优选为1000MPa以下，尤其优选为500MPa以下。
另外，本发明涉及的芯片状工件的固定方法，其特征在于，具有在所述切割模片粘接膜1、2的模片胶粘用胶粘剂层3a上压接工件的工序，将工件切割为芯片状的工序，将芯片状工件与模片胶粘用胶粘剂层3a一起从粘合剂层2a上剥离的工序，经由模片胶粘用胶粘剂层3a将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上的工序。
所述芯片状工件的固定方法也优选使用在工件厚度低于100μm的情况。进而也可以优选使用在工件的厚度低于50μm的情况。
此外，本发明还涉及一种通过将芯片状工件向基板或芯片上固定的方法，借助模片胶粘用胶粘剂层3a将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上的半导体装置。
本发明的另外其它目的、特征以及优点通过以下记载可以会更加清楚。此外，本发明的优点通过参照附图的以下说明也会变得更加清楚。
图1是本发明的切割模片粘接膜1的一例剖面图。
图2是本发明的切割模片粘接膜1的一例剖面图。
图3是本发明的切割模片粘接膜2的一例剖面图。
具体实施例方式
以下参照附图对本发明的切割模片粘接膜进行说明。图1、2是本发明的切割模片粘接膜1的一例剖面图，在支持基材1上具有粘合剂层2，在该粘合剂层2上具有模片胶粘用胶粘剂层3。
在图1中，在所述粘合剂层2上设计各个部分2a、2b，以便使与模片胶粘用胶粘剂层3的剥离性满足在对应于工件粘贴部分3a的界面A与对应于其之外的部分3b的界面B上、界面A的剥离力＞界面B的剥离力的关系。粘合剂层2a对应于模片胶粘用胶粘剂层3上的工件粘贴部分3a，粘合剂层2b对应于其之外的部分3b。
图2是所述部分3b的一部分对应于切割环粘贴部分3b’的例子。即，切割环粘贴部分3b’和与之对应形成的粘合剂层2b’之间的界面B’的剥离力被设计为界面A的剥离力＞界面B’的剥离力的关系。另外，图1的粘合剂层2的除了粘合剂层2a以外的全部设为粘合剂层2b，但是也可以如图2所示，将粘合剂层2a以外的一部分设为粘合剂层2b。
图3是表示本发明的切割模片粘接膜2的一例剖面图，在支撑基板1上具有粘合剂层2，在该粘合剂层2上的一部分上具有工件粘贴部分3a。所述粘合剂层2的各个部分2a、2b被设计为对应于工件粘贴部分3a的部分2a与其以外的部分2b的粘合力满足粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力的关系。
支撑基材1是作为切割模片粘接膜的强度母体的构件。例如可以举出低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，离聚物树脂，乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物，乙烯-丁烯共聚物，乙烯-己烯共聚物，聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯，聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯基硫化物、芳香族酰胺(纸)、玻璃、玻璃纤维布、氟树脂、聚氯乙稀、聚片氯乙烯、纤维素系树脂、硅酮树脂、金属(箔)、纸等。另外，作为支撑基材的材料可以举出所述树脂的交联体等的聚合物。另外，构成支撑基材的所述示例材料也可以根据需要对官能团、功能性单体或改性单体进行接枝而使用。
在所述支撑基材由塑料薄膜构成的情况下，该塑料薄膜可以无拉伸使用，也可以根据需要使用实施了单轴拉伸或双轴拉伸后的薄膜。若根据通过拉伸处理等付与热收缩性的树脂薄片，可以在切割后使该支撑基材热收缩而使粘合剂层2a与胶粘剂层3a之间的接触面积减少，从而可以容易回收芯片状工件。
支撑基材的制膜方法，可以采用以往的公知制膜方法进行制膜。例如可以优选使用压延机制膜、浇注机制膜、膨胀挤压、T模挤压等。支撑基材的表面，为了提高与邻接的层之间的密接性、保持性等，可以实施惯用的表面处理，例如实施铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等的化学或物理处理、基于底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂敷处理。
所述支撑基材可以适宜选择使用同种或不同种的材料。另外，支撑基材可以是单层或者多层，也可以是将上述两种以上的树脂进行干掺合后的掺合基材。多层薄膜可以使用所述树脂等，通过共挤压法、干式层压法等惯用的薄膜叠层法制造。另外，为了在支撑基材上付与抗静电性能，可以在上述的基材上设置由金属、合金、它们的氧化物等构成的厚度30～500左右的导电性物质的蒸镀层。支撑基材可以是单层也可以是两种以上的多层。另外，在粘合剂层2是放射线固化型的情况下，使用至少部分透过X线、紫外线、电子线等的放射线的粘合剂层。
支撑基材1的厚度没有特别限定可以根据情况适宜确定，但是一般优选10～300μm左右，更优选30～200μm。
粘合剂层2的形成中所用的粘合剂没有特别限定，优选使用容易在粘合剂层2a、2b中设置粘合力差的放射线固化型粘合剂层。放射线固化型粘合剂可以通过紫外线等的放射线照射使交联度增大而容易地使其粘合力降低。因此，对应于工件粘贴部分3a，通过使放射线固化型粘合剂层固化，可以容易地形成粘合力显著降低的粘合剂层2a。为了在固化并且粘合力降低的粘合剂层2a上粘贴胶粘剂层3或3a，粘合剂层2a与胶粘剂层3a之间的界面，具有在拾取时容易剥离的性质。另一方面，没有照射放射线的部分具有足够的粘合力，形成粘合剂层2b。
在切割模片粘接膜1中，通过未固化的放射线固化型粘合剂形成的粘合剂层2b与胶粘剂层3粘合，可以确保切割时的保持力。这样，放射线固化型粘合剂可以很好的维持对用于将芯片状工件(半导体芯片等)固定在基板、芯片状工件等的被粘结体(称为半导体元件)上的模片胶粘用胶粘剂层3进行剥离和胶粘的平衡。在切割模片粘接膜2中，粘合剂层2b可以固定晶片环等。
在粘合剂层2的形成中所用的放射线固化型粘合剂，可以使用具有碳-碳双键等的放射线固化型的官能团并且显示粘合性的粘合剂，没有特别限定。
作为放射线固化型粘合剂，例如可以示例在所述丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、硅酮系粘合剂、聚乙烯醚类粘合剂等一般的压敏性粘合剂中配合了放射线固化型的单体成分或低聚物成分的添加型的放射线固化型粘合剂。作为所述压敏性粘合剂，从避免半导体晶片或玻璃等的污染的电子部件的基于超纯水或者乙醇等的有机溶剂的清洗性等的观点来看，优选将丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂。
作为形成上述丙烯酸类聚合物的单体成分，可以列举出如(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一酯、十二酯、十三酯、十四酯、十六酯、十八酯、二十酯等烷基的碳原子数1～30、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸环烷基酯(例如，环戊酯、环己酯等)等。它们可以单独使用，也可以合用2种以上。其中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，是完全和本发明的(甲基)相同的意思。另外，丙烯酸类聚合物从撕下粘合力的观点来看，优选是玻璃化温度-70℃以上、更优选-60℃以上的物质。进而，更优选玻璃化温度在-40～-10℃的物质。因此，形成丙烯酸系聚合物的主要单体优选均聚物的玻璃化温度为-70℃以上的单体。
上述丙烯酸类聚合物必要时可以含有与能够和上述(甲基)丙烯酸烷基酯或者环烷基酯共聚的其他单体成分相对应的单元，以进行内聚力、耐热性等的改性。作为这种单体成分，可以列举出如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸以及巴豆酸等含羧基单体，马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、以及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰羟基萘磺酸等含磺酸基单体，2-羟乙基丙烯酰磷酸等含磷酸基单体，(甲基)丙烯酸缩水甘油酸酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸-N-羟甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰吗啉、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。这些能够共聚的单体成分可以使用一种，也可以使用两种以上。这些能够共聚的单体的使用量优选在整个单体成分的40重量％以下。
而且，上述丙烯酸类聚合物为了进行交联，也可以根据需要作为共聚用单体成分含有多官能性单体等。作为这种多官能性单体，可以举例为己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、以及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能单体可以使用1种或2种以上。从粘合特性等观点来看，多官能单体的使用量优选为整个单体成分的30重量％以下。
上述丙烯酸类聚合物可以通过聚合单一的单体或2种以上的单体混合物而成。聚合也能够通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、或悬浮聚合等适宜的方式而进行。从防止清洁的被粘结体的污染等观点来看，优选其低分子量成分的含量小。从这一点出发，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选50万以上，进一步优选80万～300万左右。
另外，在所述粘合剂中为了提高作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物等的数均分子量，可以适宜采用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以举出添加具异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、密胺系交联剂、尿素树脂、酸酐、聚胺、含有羧基的聚合物等的所谓交联剂使其反应的方法。在使用外部交联剂时，其使用量可以根据与应交联的基础聚合物的平衡、进而根据作为粘合剂的使用用途来适宜确定。一般来说，相对于上述基础聚合物100重量份优选配合5重量份以下，更优选配合0.01～5重量份。另外，也可以根据需要除了在粘合剂中添加上述成分以外还可以添加以往公知的各种粘合赋予剂、抗老化剂、填充剂、着色剂等的添加剂。
作为配合在粘合剂中的放射线固化型的单体成分，可以列举出如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇一羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等的甲基丙烯酸与多元醇的酯化物，丙烯酸酯低聚物，2-丙烯基-3-三聚氰酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧乙基)异三聚氰酸酯等的异三聚氰酸酯或异三聚氰酸酯化合物等。另外，作为放射线固化型低聚物成分，可以举例为氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种丙烯酸酯低聚物，其分子量在100～30000左右的范围内的低聚物比较合适。
所述单体成分或低聚物成分的粘度没有特别限定。另外，可以混合一种放射线固化型单体成分或低聚物成分，也可以混合两种以上使用。其配合量可以根据所述粘合剂层的种类适宜确定能够使所述粘合剂层的粘合力降低的量。放射线固化型的单体成分或低聚物成分的配合量没有特别限定，但是考虑到拾取时、也就是使放射线照射后的粘合力降低的情况，优选在放射线固化型粘合剂中含有40～75重量％，特别优选含有50～70重量％。
另外，作为放射线固化型粘合剂，除了上述说明的添加型放射线固化型粘合剂之外，作为基础聚合物，还可以举出使用了在聚合物侧链或主链、或者主链末端具有碳-碳双键的内在型放射线固化型粘合剂。内在型的放射线固化型粘合剂，因为不需要含有作为低分子成分的低聚物成分等，或者没有大量含有，因此低聚物成分等不会经时地在粘合剂内移动，从而能够形成稳定的层结构的粘合剂层，所以优选。
具有上述碳-碳双键的基础聚合物能够没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这种基础聚合物，优选将丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为丙烯酸类聚合物的基本骨架，可以举出上述例示的丙烯酸类聚合物。
对将碳-碳双键向上述丙烯酸类聚合物中的引入法没有特别限制，能够采用各种方法，但碳-碳双键引入到聚合物侧链的分子设计较容易。可以举例为，事先，在丙烯酸类聚合物中共聚具有官能团的单体之后、使具有可以和该官能团发生反应的官能团以及碳-碳双键的化合物在维持其碳-碳双键的放射线固化型的同时使其发生缩合或加成反应的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可以列举出羧基和环氧基、羧基和氮丙啶基、羟基和异氰酸酯基等。在这些官能团的组合当中，从反应追踪的容易程度来看，优选羟基和异氰酸酯基的组合。另外，通过这些官能团的组合，如果是生成具有上述碳-碳双键的丙烯酸类聚合物的组合，官能团可以在丙烯酸类聚合物和上述化合物的任何一侧，在上述优选的组合中，优选丙烯酸类聚合物具有羟基，上述化合物具有异氰酸酯基的情况。此时，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，可以列举出如甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰羟乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。另外，作为丙烯酸类聚合物，可以使用共聚了上述例示的含羟基单体或2-羟乙基乙烯醚、4-羟丁基乙烯醚、双甘醇单乙烯醚的醚类化合物等的聚合物。
上述内在型的放射线固化型粘合剂，能够单独使用具有上述碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，但在不使其特性恶化的程度下，也能够配合上述放射线固化型单体成分或低聚物成分。在内在型的放射线固化型粘合剂的情况下，优选含有40重量以上的具有所述碳-碳双键的基础聚合物，进一步优选含有50重量％以上。
在上述放射线固化型粘合剂中含有光聚合引发剂以使其在紫外线等的作用下发生固化。作为光聚合引发剂，可以列举出如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-乙酮醇类化合物，甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等苯乙酮类化合物，类似苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物，苄基二甲基缩酮等缩酮类化合物，2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物，1-苯酮-1，1-propanedione-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物，二苯酮、苯甲酰苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯酮等二苯酮类化合物，硫杂蒽酮、2-氯硫杂蒽酮、2-甲基硫杂蒽酮、2，4-二甲基硫杂蒽酮、异丙基硫杂蒽酮、2，4-二氯硫杂蒽酮、2，4-二乙基硫杂蒽酮、2，4-二异丙基硫杂蒽酮等硫杂蒽酮类化合物，樟脑醌，卤化酮，酰基氧化膦以及酰基膦酸酯等。关于光聚合引发剂的配合量，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为0.1～10重量份左右，优选0.5～5重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂可以举出例如在特开昭60-196956号公报中公开的含有光聚合性化合物以及光聚合引发剂的橡胶类粘合剂或丙烯酸类粘合剂等，所述光聚合性化合物是具有两个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧硅烷等的光聚合性化合物等，所述光聚合引发剂是羰基化合物、有机硫磺化合物、过氧化合物、胺、鎓盐系化合物等。
在所述放射线固化型粘合剂层2中，也可以根据需要含有通过照射放射线而着色的化合物。通过使在粘合剂层2中含有照射放射线而着色的化合物，可以仅对照射放射线的部分进行着色。即，可以使对应于工件粘贴部分3a的粘合剂层2a着色。因此，可以通过目视直接判定在粘合剂层2上是否照射了放射线，从而容易识别工件粘贴部分3a，使工件的粘合变得容易。另外，在通过光传感器等对半导体元件进行检测时，其检测精度变高，在半导体元件的拾取时不会产生误操作。
通过照射放射线而着色的化合物是在照射放射线之前是无色或淡色而通过照射放射线变为有色的化合物。作为该化合物的优选的具体例子可以举出白色染料。作为白色染料可以优选使用惯用的三苯基甲烷系、芴系、吩噻嗪系、金胺系、螺环吡喃系的化合物。具体可以举出3-[N-(对甲苯基氨基)]-7-苯胺基芴、3-[N-(对甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基芴、3-[N-(对甲苯基)-N-乙基氨基]-7-苯胺基芴、3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基芴、结晶紫内酯、4，4’，4”-三(二甲基氨基)三苯基甲醇、4，4’，4”-三(二甲基氨基)三苯基甲烷等。
作为优选与这些白色染料一起使用的显色剂可以举出目前使用的苯酚甲醛树脂的初期聚合体、芳香族羧酸衍生物、活性白土等的电子受体，进而在使色调变化的情况下也可以与各种公知的发色剂组合使用。
这种通过照射放射线而着色的化合物，可以在有机溶剂等中暂时溶解后加入放射线固化型粘合剂中，也可以作为微粉末状加入该粘合剂中。该化合物的使用比例，优选在粘合剂层2中含有10重量％以下、更优选0.01～10重量％、进一步优选0.5～5重量％。该化合物的比例一旦超过10重量％，则由于照射粘合剂层2的放射线被该化合物过分地吸收，因此粘合剂层2a的固化不充分，有时粘合力不能充分的降低。另一方面，为了使其充分着色，优选将该化合物的比例设为0.01重量％以上。
粘合剂层2被设置为粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力。在切割模片粘接膜1中，对于模片胶粘用胶粘剂层3的粘合力被设置为界面A的剥离性大于所述界面B的剥离性。在切割模片粘接膜2中，例如作为被粘结体相对于SUS304板(#2000研磨)的关系，被设置为粘合剂层2a的粘合力＜粘合剂层2b的粘合力。
在通过放射线固化型粘合剂形成粘合剂层2时，可以举出在支持基材1上形成放射线固化型粘合剂层2后，在对应于工件粘贴部分3a的部分上部分照射放射线使其固化，从而形成粘合剂层2a的方法。部分的放射线照射可以借助形成有对应于工件粘贴部分3a以外的部分(3b等)的图形的光掩模进行。另外，也可以举出进行点照射紫外线使其固化的方法等。放射线固化型粘合剂层2的形成，可以通过将设置在隔件上的粘合剂层转印到支撑基材1上而进行。部分的放射线固化也可以在设置于隔件上的放射线固化型粘合剂层2上进行。
另外，在通过放射线固化型粘合剂形成粘合剂层2时，可以通过以下方式形成，即、使用在支撑基材1的至少单面上的对应于工件粘贴部分3a的部分以外的部分或全部被遮光的构件，在其上形成放射线固化型粘合剂层2后，照射放射线，使对应于工件粘贴部3a的部分固化，从而形成使粘合力降低的粘合剂层2a。作为遮光材料可以通过在支撑薄膜上对能够成为光掩模的材料进行印刷或者蒸镀而形成。根据该制造方法可以有效地制造本发明的切割模片粘接膜。
另外，在照射放射线时，在引起基于氧的固化阻碍时，优选从放射线固化型粘合剂层2的表面通过适当方法阻断氧(空气)。例如可以举出在上述粘合剂层2的表面用隔件被覆的方法或者在氮气气氛中进行紫外线等放射线的照射的方法等。
粘合剂层的厚度与以往的切割用粘合片相同，为1～50μm。若粘合剂层2的厚度厚，则被切断体的振动幅度变大，容易导致切断芯片的缺欠(chipping)，因此优选在20μm以下。另一方面，若粘合剂层2的厚度变薄，则切割时很难获得用于保持半导体元件的足够的粘合力，因此优选3μm以上。从这些方面来看，粘合剂层的厚度特别优选3～20μm。
模片胶粘用胶粘剂层3，在将该胶粘剂层3上压接的工件(半导体晶片等)切割成芯片状时，在对与工件密接而支持并且成为切断片的芯片状工件(半导体芯片等)进行组装时，作为将芯片状工件固定在半导体元件(基板、芯片等)上的胶粘剂层发挥作用。特别是作为模片胶粘用胶粘剂层3，重要的是具有在工件的切割时不使切断片飞散的胶粘性。在切割模片粘接膜2上，模片胶粘用胶粘剂层3可以作为预先形成的工件粘贴部分3a设置。
模片胶粘用胶粘剂层3可以通过普通的模胶粘剂形成。作为模胶粘剂优选使用可以形成为薄片状的胶粘剂。作为具体的模胶粘剂例如可以很好地使用由热塑性树脂、热固性树脂构成的模胶粘剂。模胶粘剂可以单独使用，也可以组合两种以上使用。另外，模片胶粘用胶粘剂层优选在70℃以下能够与半导体晶片等的工件或切割环粘合的胶粘剂层。进一步优选在常温下可以粘合的胶粘剂层。
作为用于模胶粘剂的热塑性树脂(热塑性模胶粘剂)，例如可以举出饱和聚酯树脂、热塑性聚氨酯树脂、酰胺系树脂(尼龙系树脂)、酰亚胺系树脂等。另外，作为热固性树脂(热固性模胶粘剂)例如可以举出环氧树脂、不饱和聚酯系树脂、热固化性丙烯酸树脂、酚醛系树脂等。作为热固性树脂优选脱溶剂化、薄片化、B阶段化(B stage)后的热固化性树脂。另外，这些热固性树脂与热塑性树脂的混合物也可以以B阶段化后的状态使用。另外，在本发明中，也可以将玻璃化温度高的硅酮系、橡胶系、聚氨酯系、酰亚胺系、丙烯酸系等的树脂作为模胶粘剂使用。
模片胶粘用胶粘剂层3，也可以适当地组合玻璃化温度不同的热塑性树脂、热固化温度不同的热固性树脂使其具有两层以上的多层结构。另外，在工件(半导体晶片等)的切割工序中，由于使用切削水，因此，模片胶粘用胶粘剂层3吸湿，有时变为常态以上的含水率。将以这种高含水率的状态直接与基板等胶粘时，在后固化阶段在胶粘界面处滞留水蒸气，有时产生浮起。因此，作为模片胶粘用胶粘剂层，通过构成为用模胶粘剂夹持透湿性高的薄膜的结构，在后固化的阶段，使水蒸气通过薄膜扩散，从而可以回避所述问题。因此，模片胶粘用胶粘剂层3可以构成为以胶粘剂层、薄膜、胶粘剂层的顺序叠层的多层结构。
模片胶粘用胶粘剂层3的厚度没有特别限定，例如可以是5～100μm左右，优选是10～50μm左右。
这样就可以得到在支撑基材1上具有粘合剂层2、在该粘合剂层2上具有模片胶粘用胶粘剂层3的切割模片粘接膜1、2。
切割模片粘接膜1、2，为了防止在其胶粘时或剥离时产生静电、或者基于该静电引起的工件(半导体晶片等)的带电导致电路破坏等，也可以使其具有抗静电功能。抗静电功能的赋予，可以通过以下适宜的方式进行，即，向支撑基材1、粘合剂层2以至于胶粘剂层3上添加抗静电剂或导电性物质的方法，以及向支撑基材1上设置由电荷移动配位体或金属膜等构成的导电层等。这些方式中优选不容易发生使半导体晶片变质的杂质离子的方式。作为用于赋予导电性、提高热传导性等而配合的导电性物质(导电填料)，可以举出银、铝、金、铜、镍、导电合金等的球状、针状、片状的金属粉、氧化铝等的金属氧化物、无定形碳黑、石墨等。
另外在切割模片粘接膜1、2中，优选将工件粘贴部分3a的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层2a的粘合力设计为相对于工件的粘合力＞相对于粘合剂层2a的粘合力。相对于工件的粘合力可以根据工件的种类进行适宜地调整。
在切割模片粘接膜1中，在将工件粘贴部分3a以外的部分设为切割环粘贴部分3b’时，模片胶粘用胶粘剂层3的在切割环粘贴部分3b’的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层2b’的粘合力，优选设计为相对于切割环的粘合力＜相对于粘合剂层2b’的粘合力。相对于切割环的粘合力可以根据切割环的种类而进行适宜地调整。
上述切割模片粘接膜1、2的模片胶粘用胶粘剂层3、3a也可以通过隔件来保护(未图示)。即，隔件可以任意设置。隔件在供于实用之前具有作为保护模片胶粘用胶粘剂层3、3a的保护材或标签加工的功能或者具有使粘合剂平滑的功能。另外，隔件进而也可以作为将模片胶粘用胶粘剂层3、3a转印到粘合剂层2上时的支撑基材使用。隔件在将工件粘贴在切割模片粘接膜1、2的模片胶粘用胶粘剂层3、3a时剥离。
作为隔件的构成材料，可以举出纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的合成树脂薄膜等。在隔件的表面上，为了提高从粘合剂层上的剥离性，可以根据需要实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等的剥离处理。另外，也可以根据需要实施防紫外线处理，以便不使粘合片由于环境紫外线而反应。隔件的厚度通常为10～200μm，优选为25～100μm左右。
切割模片粘接膜1、2，可以通过适宜地剥离任意设置在胶粘剂层3、3a上的隔件而通过以下的方式使用。即，在切割模片粘接膜1、2的模片胶粘用胶粘剂层3a上，压接工件，在胶粘剂层3a上使工件胶粘保持而固定。压接可以通过常法进行。粘贴温度没有任何限定，优选20～80℃。在本发明中，作为工件可以很好地使用半导体晶片。然后，将工件切割为芯片状。作为工件例如还可以举出半导体晶片、多层基板、一体密封模块等。在本发明中作为工件可以很好地使用半导体晶片。
切割是通过基于旋转圆形刀具等的适宜的手段将包括胶粘剂层3在内的工件形成芯片状工件(半导体晶片等)。即，在切割工序中，使刀片高速旋转而将被切断体切断成规定的尺寸。另外，也可以采用一直切入到粘合剂层2的所谓全切的切断方式。
接着，将芯片状工件与模片胶粘用胶粘剂层3a一起从粘合剂层2a上剥离。拾取的芯片状工件借助模片胶粘用胶粘剂层3a胶粘固定在被粘结体的半导体元件上。作为半导体元件可以举出引线框、TAB薄膜、基板或另外制作的芯片状工件等。被粘结体可以是例如容易变形的变形型被粘结体，也可以是很难变形的非变形型被粘结体(半导体晶片等)。被粘结体优选是半导体晶片。在胶粘剂层3、3a是热固化型的情况下，可以通过加热固化将工件胶粘固定在被粘结体上，使其耐热强度提高。另外通过胶粘层3a而在基板等上胶粘固定有芯片状工件的构件也可以供于逆流(reflow)工序。
以下记载了本发明的实施例，对本发明进行具体说明。另外，以下份是指重量份。此外，紫外线照射是使用紫外线(UV)照射装置NEL UM-110(日东精机(株)制)。
玻璃化温度(以下称为Tg)的测定，由各单体的均聚物的Tg1-n与各单体的重量分率W1-n根据1/Tg＝W1/Tg1+----+Wn/Tgn测定的值。
分子量测定条件重量分子量根据以下的条件进行测定，作为“TSK标准聚乙烯”换算值计算。GPC装置TOSOH制HLC-8120GPC，柱TSKgel GMH-H(S)×2柱，尺寸7.8ml I.D.×300mm，流量0.5ml/min，检测器RI，注入量100μl，柱温度40℃，洗脱液四氢呋喃制造例1(支撑基材)作为支撑基材使用厚度70μm的直链状低密度聚乙烯。在该薄膜的单面实施电晕处理。
(放射线固化型丙烯酸系粘合剂层的调制)将丙烯酸丁酯(均聚物的Tg-55℃)70份、丙烯酸乙酯(均聚物的Tg-21℃)30份以及丙烯酸5份(均聚物的Tg106℃)通过常法在乙酸乙酯中共聚，得到重均分子量80万的浓度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化温度为-4.5℃。在该丙烯酸系聚合物溶液中添加季戊四醇单羟基五丙烯酸酯20份以及光聚合引发剂(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份、环氧系化合物(商品名テトラツドC、三菱气体化学社制)0.5份以及聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式会社制造)2份，得到丙烯酸系粘合剂溶液。
(粘合薄膜的制作)在上述支撑基材的电晕处理面上涂布上述放射线固化型丙烯酸系粘合剂的溶液，在80℃下干燥10分钟，形成厚度为5μm的粘合剂层。然后，仅在粘合剂层上的对应于晶片粘贴部分照射紫外线500mJ/cm2(紫外线照射装置累算光量)，得到具有对应于晶片粘贴部分被照射放射线固化的粘合剂层的薄膜。以下将其称为粘合薄膜A。
制造例2(支撑基材)作为支撑基材使用厚度80μm的聚乙烯薄膜。
(放射线固化型丙烯酸系粘合剂的调制)使由丙烯酸乙酯(均聚物的Tg-21℃)50重量份、丙烯酸丁酯(均聚物的Tg-55℃)50份以及2-羟基乙基丙烯酸酯(均聚物的Tg-25℃)16份构成的配合组合物在甲苯溶液中共聚，得到重均分子量50万的浓度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化温度为-37.5℃。然后，使20份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯相对于该丙烯酸系聚合物的溶液加成反应，在聚合物分子内侧链上引入碳-碳双键。相对于该聚合物100份(固形分)，进而配合聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式会社制造)2份以及光聚合引发剂(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份。
(粘合薄膜的制作)在上述支撑基材上涂布上述放射线固化型丙烯酸系粘合剂的溶液，在80℃下干燥10分钟，形成厚度为5μm的粘合剂层。然后，仅在粘合剂层上的对应于晶片粘贴部分照射紫外线500mJ/cm2(紫外线照射装置累算光量)，得到具有对应于晶片粘贴部分被照射放射线固化的粘合剂层的薄膜。以下将其称为粘合薄膜B。
制造例3(支持基材)作为支撑基材使用厚度80μm的聚乙烯薄膜。
(放射线固化型丙烯酸系粘合剂的调制)使由丙烯酸2-乙基己酯(均聚物的Tg-85℃)95份、丙烯酸(均聚物的Tg106℃)5份构成的配合组合物在乙酸乙酯中共聚，得到重均分子量70万的浓度30重量％的丙烯酸系聚合物的溶液。丙烯酸系聚合物的玻璃化温度为-65.2℃。然后，在该丙烯酸系聚合物溶液中配合使二季戊四醇丙烯酸酯与二异氰酸酯反应而得到的放射线固化型低聚物(25℃的粘度10Pa·sec)130份、光聚合引发剂(商品名“IRGACURE651”，Ciba Specialty Chemicals社制)3份以及聚异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯株式会社制造)5份，得到丙烯酸系粘合剂溶液。
(粘合薄膜的制作)在上述支撑基材上涂布上述放射线固化型丙烯酸系粘合剂的溶液，在80℃下干燥10分钟，形成厚度为5μm的粘合剂层。然后，仅在粘合剂层上的对应于晶片粘贴部分照射紫外线500mJ/cm2(紫外线照射装置累算光量)，得到具有对应于晶片粘贴部分被照射放射线固化的粘合剂层的薄膜。以下将其称为粘合薄膜C。
制造例A～C(模片胶粘用胶粘剂层的制作)调制以表1所示的比例配合下述表1所示的环氧树脂、酚醛树脂、合成橡胶、无机填料以及固化促进剂等各成分的模胶粘用胶粘剂A～C的组合物，将该组合物混合溶解在甲基乙基酮中。将该混合溶液涂敷在脱模处理后的聚酯薄膜(隔件)上。然后，通过将涂敷了上述混合溶液的聚酯薄膜在120℃下干燥，除去甲苯而得到在上述聚酯薄膜上实施了厚度20μm的B阶段化的模片胶粘用胶粘剂层A～C。
表1
表1中<环氧树脂(a1)>酚醛清漆型环氧树脂(环氧基当量195g/eq、软化点80℃，粘度0.08Pa·s/150℃)，<环氧树脂(a2)>双酚A型环氧树脂(环氧基当量185g/eq、粘度15Pa·s/25℃)，<酚醛树脂(b1)>酚醛清漆型树脂(羟基当量106g/eq、软化点60℃)，<酚醛树脂(b2)>酚基芳烷基型树脂(羟基当量168g/eq、软化点60℃)，<丙烯基橡胶>丙烯腈-丁二烯橡胶(丙烯腈含量40重量％)，<无机填料>球状二氧化硅(平均粒径1μm，最大粒径10μm)，<固化促进剂>四苯基磷鎓·四(4-甲基苯基)硼酸盐。
(模片胶粘用胶粘剂层的拉伸储能弹性模量)利用切刀将模片胶粘用胶粘剂层(焊接薄膜)切成宽10mm的长方形状，利用固体粘弹性测定装置RSAII(レオメトリツクサイエンテイフイツク社制)，通过频率10Hz测定0℃～50℃的拉伸储能弹性模量，表示为25℃的值。
实施例以及比较例在以上述制造例1～3所得的粘合薄膜A～C的粘合剂层侧在40±3℃下贴合上述模片胶粘用胶粘剂层A～C，得到切割模片粘接膜。
(撕下粘合力)将所得的切割模片粘接膜切断成25mm宽的长方形状，在40±3℃下粘贴在硅反射镜晶片面(信越半导体株式会社制，CZN<100>2.5-3.5(4英寸))上。在室温气氛下静置30分钟后，在23℃的恒温室内测定15°的撕下粘合力(剥离点移动速度2.5mm/sec)。粘合力的测定是对于粘合剂层被紫外线照射的地方进行的。结果表示在表2中。
(拾取计数)在所得的切割模片粘接膜的粘合剂层被紫外线照射的地方粘贴硅反射镜晶片面(信越半导体株式会社制，CZN<100>2.5-3.5(4英寸))，然后，在下述条件下进行切割、拾取，评价能否拾取。在50个芯片状晶片中，能够拾取的个数表示在表3中。<切割条件>切割器DISCO社制、DFD-651刀片DISCO社制、27HECC刀片转速40000rpm、切割速度120mm/sec、切割深度25μm、切断模式向下切断、切割尺寸5.0mm×5.0mm、<拾取条件>芯片焊接机NEC Machinery-制造的CPS-100、针数四根、针的间隔3.5mm×3.5mm、针前端的曲率0.250mm、针上顶量0.50mm、吸附保持时间0.2秒、延伸量3mm。
表2
表3
从表2、3可以看出撕下粘合力为2.3N/25mm以下的切割模片粘接膜的拾取性良好。
本发明的具体实施方式
以及实施例只是对本发明进行更好说明的实施方式和实施例，并不能狭义地理解为本发明就限定于这些实施方式和实施例，只要能够完成本发明的变更并且不脱离本发明的发明构思的情况下都在本发明的保护范围之内。
本说明书中的“以上、以下”均包括端点。
权利要求
1.一种切割模片粘接膜，是在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合剂层(2)上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)的切割模片粘接膜，其特征在于，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层(2)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力进行测定时，对应于模片胶粘用胶粘剂层(3)上的工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与对应于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，满足粘合剂层(2a)的粘合力＜粘合剂层(2b)的粘合力，并且粘合剂层(2a)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力为2.3N/25mm以下。
2.根据权利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片胶粘用胶粘剂层(3)的在工件粘贴部分(3a)处的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层(2a)的粘合力，满足相对于工件的粘合力＞相对于粘合剂层(2a)的粘合力。
3.根据权利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，工件粘贴部分(3a)以外的部分(3b)的一部分是切割环粘贴部分(3b’)。
4.根据权利要求3所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片胶粘用胶粘剂层(3)的在切割环粘贴部分(3b’)处的相对于切割环的粘合力与相对于粘合剂层(2b’)的粘合力，满足相对于切割环的粘合力＜相对于粘合剂层(2b’)的粘合力。
5.根据权利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，所述粘合剂层(2)通过放射线固化型粘合剂形成，对应于工件粘贴部分(3a)的粘合剂层(2a)被照射放射线。
6.根据权利要求1所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片胶粘用胶粘剂层(3)的25℃的拉伸储能弹性模量为50MPa以上。
7.一种切割模片粘接膜，是在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合剂层(2)上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)的切割模片粘接膜，其特征在于，上述模片胶粘用胶粘剂层(3)作为工件粘贴部分(3a)被设置在粘合剂层(2)的一部分上，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层(2)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力进行测定时，在粘合剂层(2)上的对应于工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与其之外的部分(2b)上的粘合力不同，满足粘合剂层(2a)的粘合力＜粘合剂层(2b)的粘合力，并且粘合剂层(2a)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力为2.3N/25mm以下。
8.根据权利要求7所述的切割模片粘接膜，其特征在于，工件粘贴部分(3a)的相对于工件的粘合力与相对于粘合剂层(2a)的粘合力，满足相对于工件的粘合力＞相对于粘合剂层(2a)的粘合力。
9.根据权利要求7所述的切割模片粘接膜，其特征在于，粘合剂层(2)通过放射线固化型粘合剂形成，对应于工件粘贴部分(3a)的粘合剂层(2a)被照射放射线。
10.根据权利要求9所述的切割模片粘接膜，其特征在于，放射线固化型粘合剂包含丙烯酸系聚合物，其玻璃化温度为-70℃以上。
11.根据权利要求9所述的切割模片粘接膜，其特征在于，放射线固化型粘合剂包含丙烯酸系聚合物，其重均分子量为50万以上。
12.根据权利要求11所述的切割模片粘接膜，其特征在于，模片胶粘用胶粘剂层(3)在25℃的拉伸储能弹性模量为50MPa以上。
13.一种芯片状工件的固定方法，是使用了在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合剂层(2)上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)的切割模片粘接膜的芯片状工件的固定方法，其特征在于，作为所述切割模片粘接膜，使用下述薄膜，即，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层(2)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力进行测定时，对应于模片胶粘用胶粘剂层(3)上的工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与对应于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，满足粘合剂层(2a)的粘合力＜粘合剂层(2b)的粘合力，并且粘合剂层(2a)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力为2.3N/25mm以下，该固定方法具有在上述切割模片粘接膜的模片胶粘用胶粘剂层(3a)上压接工件的工序，将工件切割为芯片状的工序，将芯片状工件与模片胶粘用胶粘剂层(3a)一起从粘合剂层(2a)上剥离的工序，通过模片胶粘用胶粘剂层(3a)将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上的工序。
14.根据权利要求13所述的芯片状工件的固定方法，其特征在于，工件厚度低于100μm。
15.一种芯片状工件的固定方法，是使用了在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合剂层(2)上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)的切割模片粘接膜的芯片状工件的固定方法，其特征在于，作为所述切割模片粘接膜，使用下述薄膜，即，上述模片胶粘用胶粘剂层(3)作为工件粘贴部分(3a)被设置在粘合剂层(2)的一部分上，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层(2)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力进行测定时，在粘合剂层(2)上的对应于工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与其之外的部分(2b)上粘合力不同，满足粘合剂层(2a)的粘合力＜粘合剂层(2b)的粘合力，并且粘合剂层(2a)的相对于模片胶粘用胶粘剂层(3)的粘合力为2.3N/25mm以下，该固定方法具有在上述切割模片粘接膜的模片胶粘用胶粘剂层(3a)上压接工件的工序，将工件切割为芯片状的工序，将芯片状工件与模片胶粘用胶粘剂层(3a)一起从粘合剂层(2a)上剥离的工序，通过模片胶粘用胶粘剂层(3a)将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上的工序。
16.根据权利要求15所述的芯片状工件的固定方法，其特征在于，工件厚度低于100μm。
17.一种半导体装置，其特征在于，通过所述权利要求13所述的芯片状工件的固定方法，通过模片胶粘用胶粘剂层(3a)将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上。
18.一种半导体装置，其特征在于，通过所述权利要求15所述的芯片状工件的固定方法，通过模片胶粘用胶粘剂层(3a)将芯片状工件胶粘固定在半导体元件上。
全文摘要
本发明提供一种切割模片粘接膜，在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合层上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层的相对于模片胶粘用胶粘剂层的粘合力进行测定时，对应于模片胶粘用胶粘剂层上的工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与对应于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，满足粘合剂层的粘合力＜粘合剂层的粘合力，并且粘合剂层的相对于模片胶粘用胶粘剂层的粘合力为2.3N/25mm以下。根据本发明可以获得在对薄型工件进行切割时的保持力与将通过切割获得的芯片状工件与其模片胶粘用胶粘剂层一体剥离时的剥离性之间的平衡性。
文档编号C09J7/02GK1670942SQ200510054589
公开日2005年9月21日 申请日期2005年3月14日 优先权日2004年3月17日
发明者松村健, 水谷昌纪, 三隅贞仁 申请人:日东电工株式会社