一种半芯片制造用研磨组合物的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质：亲水基表面活性剂11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸锌6-8份，硫酸镁1-3份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份，分子筛2-3份，硅藻土5-12份，硼酸钠3-10份，纳米有机蒙脱土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，氯化钙2-5份。本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合。
【专利说明】一种半芯片制造用研磨组合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半芯片制造用研磨组合物。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中，化学机械研磨(CMP)技术可以实现整个晶圆的平坦化，成为芯片制造工艺中重要的步骤之一。在化学机械研磨中，化学机械研磨剂(Slurry)是化学机械研磨技术的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。设计化学机械研磨剂时，希望能达到去除速率高、平面度好、膜厚均匀、无残留、缺陷少等效果。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种半芯片制造用研磨组合物。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸锌6-8份，硫酸镁1-3份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份,分子筛2-3份,娃操土 5-12份,硼酸钠3-10份,纳米有机蒙脱土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，氯化钙2-5份。
[0005]本发明的化学机械研磨剂中包括亲水基表面洁性剂材料，可以降低化学机械研磨剂和正在水性薄膜间的表面张力，使化学机械研磨剂和琉水性薄膜更紧密贴合，从而减少琉水性薄膜表面上的残留物和颗粒等缺陷，改善化学机械研磨的效果。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸锌6-8份，硫酸镁1-3份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份,分子筛2-3份,娃操土 5-12份,硼酸钠3-10份,纳米有机蒙脱土 4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，氯化钙2-5份。
【权利要求】
1.一种半芯片制造用研磨组合物，其特征在于，包括下列重量份数的物质:亲水基表面活性剂11-19份，多聚甲醛5-19份，多聚甲醛4-6份，硫酸锌6-8份，硫酸镁1-3份，硫酸银4-9份，硫酸铜3-8份，分子筛2-3份，娃操土 5-12份，硼酸钠3-10份，纳米有机蒙脱土4-10份，滑石粉4-6份，硬脂酸锌4-6份，氯化钙2-5份。
【文档编号】C09K3/14GK104046330SQ201410296834
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年6月28日 优先权日:2014年6月28日
【发明者】范向奎 申请人:青岛宝泰新能源科技有限公司