1.一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状，其包含：
覆盖膜，和
配置在所述覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜，
所述切割片一体型粘接薄膜包含：
切割片，所述切割片包含以第1面和与所述第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与所述第1面接触的粘合剂层；以及
粘接薄膜，所述粘接薄膜以与所述粘合剂层接触的第1主面和与所述第1主面相向的第2主面来定义两面，
所述第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下，所述第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材层包含具有所述第1面的第1基材层和具有所述第2面的第2基材层，
所述第2基材层包含导电性成分。
3.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材层的厚度为1μm～30μm。
4.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述导电性成分为有机系导电性成分。
5.根据权利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述第2基材层还包含选自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物组成的组中的1种以上的树脂。
6.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述切割片的断裂伸长率为500％以上。
7.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘接薄膜包含：环氧树脂或酚醛树脂；以及丙烯酸类树脂，
所述粘接薄膜在25℃的粘着强度为0.2N以上且3.0N以下。
8.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述覆盖膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，
所述覆盖膜的厚度为20μm～75μm。
9.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
准备权利要求1～8中任一项所述的切割芯片接合薄膜的工序；
将半导体晶圆压接于所述切割片一体型粘接薄膜的所述粘接薄膜的工序；
在将所述半导体晶圆压接于所述粘接薄膜的工序之后，通过进行芯片分割而形成包含半导体芯片和配置在所述半导体芯片上的薄膜状粘接剂的芯片接合用芯片的工序；和
将所述芯片接合用芯片压接于被粘物的工序，
将所述半导体晶圆压接于所述粘接薄膜的工序包括从所述覆盖膜剥离所述切割片一体型粘接薄膜的步骤。
10.一种半导体装置，其是通过权利要求9所述的制造方法而得到的。