技术总结
本发明涉及切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可防止覆盖膜的剥离不良、能够防止半导体芯片的静电破坏的切割芯片接合薄膜等。本发明涉及一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状。切割芯片接合薄膜包含覆盖膜和配置在覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜。切割片一体型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和与第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与第1面接触的粘合剂层。切割片一体型粘接薄膜还包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以与粘合剂层接触的第1主面和与第1主面相向的第2主面来定义两面。第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下。第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。
技术研发人员：大西谦司;三隅贞仁;宍户雄一郎;木村雄大
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
文档号码：201610366194
技术研发日：2016.05.27
技术公布日：2016.12.07