技术特征：
技术总结
本发明涉及一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途，所述铝掺杂半导体量子棒具有核壳结构，核为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe或ZnMnSe中的任意一种或至少两种的混合物，壳层为Al掺杂的壳基材，所述壳基材为CdS、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe中的任意一种或至少两种的混合物。本发明不改变核材料的结构和组成，而是铝原子融入量子棒壳材料的晶格中，在量子棒表面形成一层钝化层，提高量子棒的光稳定性，不仅稳定性更高，而且不易引起猝灭。
技术研发人员：孙小卫;王恺;周劭臣;刘皓宸
受保护的技术使用者：深圳扑浪创新科技有限公司;南方科技大学
技术研发日：2018.04.08
技术公布日：2018.07.27