防静电层、防静电性粘合片和光学薄膜的制作方法_6

文档序号:8491294阅读:来源:国知局
此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0331] 〔实施例3〕
[0332] (防静电剂溶液的制备)
[0333] 使用DMAEA-TFSI 20. 0份代替上述DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样 地制备防静电剂溶液(3)。
[0334] (防静电处理薄膜的制作)
[0335] 使用上述防静电剂溶液⑶代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(3)。
[0336] (粘合片的制作)
[0337] 使用上述防静电处理薄膜(3)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0338] 〔实施例4〕
[0339] (防静电剂溶液的制备)
[0340] 使用Coronate HX (六亚甲基二异氰酸醋的异氰脲酸醋形式,日本聚氨醋工业公司 制)3. 0份代替上述Coronate L(三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚物加成物的固体成 分75质量%的乙酸乙酯溶液,日本聚氨酯工业公司制)4. 0份,并且不使用作为导电剂的 DMAEA-TFSI 5.0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液(4)。
[0341] (防静电处理薄膜的制作)
[0342] 使用上述防静电剂溶液(4)代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(4)。
[0343] (粘合片的制作)
[0344] 使用上述防静电处理薄膜(4)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0345] 〔实施例5〕
[0346] (防静电剂溶液的制备)
[0347] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(B)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物(A),并 且不使用作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液 (5) 。
[0348] (防静电处理薄膜的制作)
[0349] 使用上述防静电剂溶液(5)代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(5)。
[0350] (粘合片的制作)
[0351] 使用上述防静电处理薄膜(5)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0352] 〔实施例6〕
[0353] (防静电剂溶液的制备)
[0354] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(C)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物㈧,并 且不使用作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液 (6) 〇
[0355] (防静电处理薄膜的制作)
[0356] 使用上述防静电剂溶液(6)代替上述防静电剂溶液⑴,除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(6)。
[0357] (粘合片的制作)
[0358] 使用上述防静电处理薄膜(6)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0359] 〔实施例7〕
[0360] (防静电剂溶液的制备)
[0361] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(C)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物(A),并 且使用N- 丁基-3-甲基吡啶键-双(三氟甲磺酰基)亚胺盐(表1中的BMP-TFSI) 20. 0 份代替作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液 ⑵。
[0362] (防静电处理薄膜的制作)
[0363] 使用上述防静电剂溶液(7)代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(7)。
[0364] (粘合片的制作)
[0365] 使用上述防静电处理薄膜(7)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0366] 〔实施例8〕
[0367] (防静电剂溶液的制备)
[0368] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(C)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物(A), 并且使用DMAPAA-TFSI 20. 0份代替作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例 1同样地制备防静电剂溶液(8)。
[0369] (防静电处理薄膜的制作)
[0370] 使用上述防静电剂溶液(8)代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同样 地制作防静电处理薄膜(8)。
[0371] (粘合片的制作)
[0372] 使用上述防静电处理薄膜(8)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0373] 〔实施例9〕
[0374] (防静电剂溶液的制备)
[0375] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(D)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物(A),并 且不使用作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液 (9)〇
[0376] (防静电处理薄膜的制作)
[0377] 使用上述防静电剂溶液(9)代替上述防静电剂溶液(1),使用绕线棒将其涂布到 聚对苯二甲酸乙二醋(PET)薄膜(厚度38 μ m,东丽公司制Lumirror S10)上,在130°C干 燥1分钟从而除去溶剂,形成防静电层(厚度0. 1 μ m),制作防静电处理薄膜(9)。
[0378] (粘合片的制作)
[0379] 使用上述防静电处理薄膜(9)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例1 同样地制作粘合片。
[0380] 〔实施例 10〕
[0381] (防静电剂溶液的制备)
[0382] 使用上述(甲基)丙烯酸类聚合物(E)代替上述(甲基)丙烯酸类聚合物(A),并 且不使用作为导电剂的DMAEA-TFSI 5. 0份,除此以外与实施例1同样地制备防静电剂溶液 (10)0
[0383] (防静电处理薄膜的制作)
[0384] 使用上述防静电剂溶液(10)代替上述防静电剂溶液(1),使用绕线棒将其涂布到 聚对苯二甲酸乙二醋(PET)薄膜(厚度38 μ m,东丽公司制Lumirror S10)上,在130°C干 燥1分钟从而除去溶剂,形成防静电层(厚度0. 25 μ m),制作防静电处理薄膜(10)。
[0385] (粘合片的制作)
[0386] 使用上述防静电处理薄膜(10)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例 1同样地制作粘合片。
[0387] 〔实施例 11〕
[0388] (防静电处理薄膜的制作)
[0389] 使用上述防静电剂溶液(10)代替上述防静电剂溶液(1),使用绕线棒将其涂布到 聚对苯二甲酸乙二醋(PET)薄膜(厚度38 μ m,东丽公司制Lumirror S10)上,在130°C干 燥1分钟从而除去溶剂,形成防静电层(厚度0.1 ym),制作防静电处理薄膜(11)。
[0390] (粘合片的制作)
[0391] 使用上述防静电处理薄膜(11)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例 1同样地制作粘合片。
[0392] 〔比较例1〕
[0393] (防静电剂溶液的制备)
[0394] 用异丙醇:软水=2 :1的混合溶剂将共聚有季铵氯化物的丙烯酸类树脂(小西 (3二シ)公司制,BONDEIP PA-200(32质量% ),离子传导性聚合物)调节至2. 1质量%。 在该溶液100份中加入作为固化剂的环氧树脂(小西公司制,BONDEIP PA-100(8. 2质 量%))25份,在251下进行约5分钟混合搅拌,从而制备2.5质量%的防静电剂溶液(11)。
[0395] (防静电处理薄膜的制作)
[0396] 使用上述防静电剂溶液(11)代替上述防静电剂溶液(1),并且使用电晕处理聚对 苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(厚度38 μπι,三菱树脂公司制,Diafoil T100C)代替聚对苯二 甲酸乙二醋(PET)薄膜(厚度38 μ m,东丽公司制,Lumirror S10),除此以外与实施例1同 样地制作防静电处理薄膜(12)。
[0397] (粘合片的制作)
[0398] 使用上述防静电处理薄膜(12)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例 1同样地制作粘合片。
[0399] 〔比较例2〕
[0400](防静电处理薄膜的制作)、
[0401] 使用上述防静电剂溶液(11)代替上述防静电剂溶液(1),除此以外与实施例1同 样地制作防静电处理薄膜(13)。
[0402] (粘合片的制作)
[0403] 使用上述防静电处理薄膜(13)代替上述防静电处理薄膜(1),除此以外与实施例 1同样地制作粘合片。
[0404] 〈重均分子量(Mw)的测定〉
[0405] 上述防静电层用(甲基)丙烯酸类聚合物(E)的重均分子量(Mw)使用东曹公司 制GPC装置(HLC-8220GPC)进行测定。测定条件如下所述。需要说明的是,重均分子量利 用聚甲基丙烯酸甲酯换算值求出。
[0406] 样品浓度:0· 1重量% (1,1,1,3, 3, 3-六氟-2-丙醇)(HFIP)溶液)
[0407] 样品注入量:20 μ 1
[0408] 洗脱液:HFIP+10mM三氟乙酸钠
[0409] 流速:0· 3ml/ 分钟
[0410] 测定温度:40°C [0411 ] 色谱柱:
[0412] 样品柱:TSKgel SuperAWM-H(6. Omm 内径 X 15cm) (2 根)
[0413] 检测器:差示折射计(RI)
[0414] 另外,上述粘合剂层用(甲基)丙烯酸类聚合物(F)的重均分子量(Mw)使用东曹 公司制GPC装置(HLC-8220GPC)进行测定。测定条件如下所述。需要说明的是,重均分子 量利用聚苯乙烯换算值求出。
[0415] 样品浓度:0· 2重量% (四氢呋喃(THF)溶液)
[0416] 样品注入量:10 μ 1 [0417]洗脱液:THF [0418]流速:0.6ml/分钟 [0419] 测定温度:40°C
[0420] 色谱柱:
[0421] 样品柱;TSKguardcolumn SuperHZ-H(1 根)+TSKgel SuperHZM-H(2 根)
[0422] 参比柱;TSKgel SuperH-RC (1 根)
[0423] 检测器:差示折射计(RI)
[0424] <低速剥离试验:180°剥离粘合力>
[0425] 将各实施例和比较例的粘合片切割成宽25mm、长IOOmm的尺寸,将剥离衬垫剥离 后,用手动辊压接在三乙酰纤维素偏振板(日东电工公司制造、SEG142OTU、宽:70mm、长: 100mm)的表面,之后,在0.25MPa、0. 3m/分钟的压接条件下进行层压,从而制作评价样品 (带防静电性粘合片的光学薄膜)。
[0426] 上述层压后,在23 °C X 50 % RH的环境下放置30分钟,之后,将三乙酰纤维素偏振 板的相反面用双面粘合带固定于丙烯酸类树脂板,利用万能拉伸试验机测定将上述粘合片 的一个端部以拉伸速度〇. 3m/分钟(低速剥离)、剥离角度180°进行剥离时的粘合力。测 定在23°C X50% RH的环境下进行。作为低速剥离时的粘合力,从抑制粘合带的翘起或剥 离的观点出发,将〇. 〇7N/25mm以上的情况设为良好,将小于0. 07N/25mm的情况设为不良。 另外,测定结果如表2所示。
[0427] <高速剥离试验:180°剥离粘合力>
[0428] 将各实施例和比较例的粘合片切割成宽25mm、长IOOmm的尺寸,将剥离衬垫剥离 后,用手动辊压接在三乙酰纤维素偏振板(日东电工公司制造、SEG142OTU、宽:70mm、长: 100mm)的表面,之后,在0.25MPa、0. 3m/分钟的压接条件下进行层压,从而制作评价样品 (带防静电性粘合片的光学薄膜)。
[0429] 上述层压后,在23 °C X 50 % RH的环境下放置30分钟,之后,将三乙酰纤维素偏振 板的相反面用双面粘合带固定于丙烯酸类树脂板,利用万能拉伸试验机测定将粘合片的一 个端部以拉伸速度30m/分钟(高速剥离)、剥离角度180°进行剥离时的粘合力。测定在 23°C X50%RH的环境下进行。将高速剥离时的粘合力小于6.0N/25mm的情况设为良好,将 6. 0N/25mm以上的情况设为不良。测定结果如表2所示。
[0430] 〈剥离静电电压的测定〉
[0431] 如图2所示,将各实施例和比较例的粘合片2切割为宽70mm、长130mm的尺寸, 将隔片剥离后,利用手动辊压接到预先除电的贴合在丙烯酸类树脂板4(三菱人造丝公 司制造,7夕y歹彳卜,厚度:1_,宽:70_,长:100mm)上的偏振板3 [日东电工公司制, SEG142OTU,宽:70mm,长:100mm]的表面,使得一个端部突出30mm。
[0432] 在23°C X50% RH的环境下放置1天后,如图2所示将样品设置到样品固定台5 的规定位置。将突出30mm的一个端部固定到自动卷绕机上,以剥离角度150°、拉伸速度 30m/分钟(高速剥离)的方式进行剥离。利用固定到规定位置的电位测定机1(春日电机 公司制,KSD-0103)测定此时产生的偏振板表面的电位,将其作为剥离静电电压的值。测定 在23°C X50% RH的环境下进行。需要说明的是,作为剥离静电电压,绝对值优选为LOkV 以下,更优选为〇. 5kV以下。如果在上述范围内,则能够防止由静电导致的集尘、电子部件 的静电故障,是有用的。
[0433] 〈污染性的评价〉
[0434] 在上述剥离静电电压的测定后,以在与测定后的偏振板之间混入气泡的方式再次 用手贴合剥离后的粘合片,制作评价样品。
[0435] 将上述评价样品在室温(23°C )下放置1周后,用手将粘合片从被粘物上剥离,目 视观察此时被粘物表面的污染状态。评价基准如下所述。
[0436] ?未确认到污染的情况:〇
[0437] ?确认到污染的情况:X
[0438] 〈表面电阻率的测定(常态)>
[0439] 将各实施例和比较例的粘合片在23°C X50% RH的环境下放置2小时,然后将隔 片剥离,用表面电阻率测定装置(三菱化学公司制、HIRESTA UP MCP-HT450型)测定粘合 剂表面的表面电阻率。在施加电压100V、施加时间30秒的条件下进行。需要说明的是,表 面电阻率优选为1〇 13以下,更优选为1〇12以下。如果表面电阻率在上述范围内,则能够防止 由静电导致的集尘、电子部件的静电故障,是有用的。
[0440]〈表面电阻率的测定(耐热性)>
[0441] 将各实施例和比较例的粘合片的隔片剥离,在170 °C放置30分钟,然后在 23°C X 50% RH的环境下放置2小时,用表面电阻率测定装置(三菱化学公司制、HIRESTA UP MCP-HT450型)测定粘合剂表面的表面电阻率。在施加电压100V、施加时间30秒的条 件下进行。需要说明的是,表面电阻率优选为1〇 13以下,更优选10 12以下。
[0442] 〈锚固性〉
[0443] 将各实施例和比较例的粘合片切割成宽25_、长IOOmm的尺寸,将剥离衬垫剥 离后,用手动辊压接在三乙酰纤维素偏振板(日东电工公司制,SEG142OTU,宽:70mm、长: 100mm)的表面,之后,在0.25MPa、0. 3m/分钟的压接条件下进行层压,从而制作评价样品 (带防静电性粘合片的光学薄膜)。上述层压后,在23°C X50% RH的环境下放置30分钟, 之后,将三乙酰纤维素偏振板的相反面用双面粘合带固定于丙烯酸类树脂板,利用万能拉 伸试验机将粘合片的一个端部在拉伸速度30m/分钟(高速剥离)、剥离角度180°的条件 进行剥离,目视判断此时是否在三乙酰纤维素偏振板的表面残留有粘合剂(胶糊残留)。
[0444] 无胶糊残留的情况:〇
[0445] 发生了胶糊残留的情况:X
[0446] 〈透明性:雾度〉
[0447] 将各实施例和比较例的粘合片切割成宽50_、长50_的尺寸,然后将剥离衬垫剥 离,利用雾度计((株式会社)村上色彩技术研宄所制)测定雾度。将雾度小于10%的情况 评价为良好,将雾度为10%以上的情况评价为不良。测定结果如表2所示。
[0448] [表 1]
[0449]
【主权项】
1. 一种防静电层,其特征在于, 由含有(甲基)丙烯酸类聚合物和交联剂的防静电剂组合物形成, 该(甲基)丙烯酸类聚合物含有反应性离子液体作为单体单元。
2. 如权利要求1所述的防静电层,其特征在于, 所述反应性离子液体为下述通式(1)~(4)中任一式所示的反应性离子液体, CH2=C(Ri)COOZX+Y - (1) CH2=c(rOconhzxT(2) CH2=c(rOcooxT (3) CH2=c(rOconhxT⑷, 式(1)~(4)中,R1为氢原子或甲基,X+为阳离子部,为阴离子,Z表示碳原子数1~ 3的亚烷基。
3. 如权利要求2所述的防静电层,其特征在于, 所述阳离子部为季铵基。
4. 如权利要求2或3所述的防静电层,其特征在于, 所述阴离子为含氟型阴离子。
5. 如权利要求1~4中任一项所述的防静电层,其特征在于, 所述(甲基)丙烯酸类聚合物含有下述通式(5)所示的氧亚烷基单元的平均加成摩尔 数为3~100的含有氧亚烷基的单体作为单体单元, CH2 = C (R :) -COO- (CfflH2fflO) n- (CpH2pO) ,-R2 (5) 式(5)中,R1为氢或甲基,R2为氢或1价的有机基团,m和p为2~4的整数,n和q为 0或2~100的整数,n和q不同时为0。
6. 如权利要求1~5中任一项所述的防静电层,其特征在于, 所述(甲基)丙烯酸类聚合物含有含羟基(甲基)丙烯酸类单体作为单体单元。
7. 如权利要求1~6中任一项所述的防静电层,其特征在于, 所述交联剂为异氰酸酯类交联剂。
8. 如权利要求1~7中任一项所述的防静电层,其特征在于, 所述防静电剂组合物含有导电剂。
9. 一种防静电性粘合片,其特征在于, 在基材薄膜的至少单面形成有权利要求1~8中任一项所述的防静电层,且在所述防 静电层上具有粘合剂层。
10. 如权利要求9所述的防静电性粘合片,其特征在于, 所述基材薄膜为塑料薄膜。
11. 如权利要求9或10所述的防静电性粘合片,其特征在于, 用于表面保护用途。
12. 如权利要求9或10所述的防静电性粘合片,其特征在于, 在电子部件制造/装运工序中使用。
13. -种带有防静电粘合片的光学薄膜,其特征在于, 在光学薄膜上粘贴有权利要求11所述的防静电性粘合片。
14. 一种带有防静电性胶粘片的光学薄膜,其特征在于, 在基材薄膜的至少单面形成有权利要求1~8中任一项所述的防静电层,在所述防静 电层上形成有胶粘剂层,且所述胶粘剂层与光学薄膜胶粘。
【专利摘要】本发明提供防静电层、具有所述防静电层的防静电性粘合片和光学薄膜,所述防静电层的防静电性、耐热性、透明性和低污染性优良,特别是能够抑制废物、灰尘等的附着、由静电导致的电子部件的破坏。一种防静电层,其特征在于,由含有(甲基)丙烯酸类聚合物和交联剂的防静电剂组合物形成,该(甲基)丙烯酸类聚合物含有反应性离子液体作为单体单元。
【IPC分类】C08F20-38, B32B27-30, C09K3-16, C09D133-00, C08F220-38, B32B27-00
【公开号】CN104812866
【申请号】CN201380060856
【发明人】山形真人, 冈本昌之, 大学纪二, 设乐浩司
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2013年12月20日
【公告号】WO2014103964A1
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