专利名称：低湿抗静电薄膜及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种低湿抗静电薄膜及其应用，尤其是涉及一种应用于制造防静电屏蔽袋的低湿抗静电薄膜，属于高分子材料技术领域。
背景技术：
电子行业中常用的防静电屏蔽袋大多是采用二层复合或更高的四层复合结构。防静电屏蔽袋里形成法拉第笼感应罩效应，最大程度保护袋内物品与静电场隔离，防止静电积累，免受静电危害。其中，湿度是影响屏蔽袋抗静电性能的环境条件之一，目前常用的抗静电材料有普通抗静电剂、永久抗静电剂和抗静电母粒。普通抗静电剂，如非离子型抗静电剂和复合型抗静电剂。由于非离子型抗静电剂热稳定性能好，价格较便宜，使用方便，对皮肤无刺激.是抗静电基材中不可缺少的抗静电剂，具有良好的应用前景，而复合型抗静电剂是利用各组分的协调效应原理开发出来的，各组分互补性强，抗静电效果远优于单一组分，但该两种抗静电剂在低湿条件下的抗静电性能较差。抗静电母粒的发展是由于普通抗静电剂多为粘稠液体，其中一部分为极性聚合物，在塑料中分散困难，造成使用上的不便，而多功能浓缩母粒分散性均匀，操作方便，但该抗静电母粒价格较为昂贵。永久抗静电剂是近年来研究开发的一类新型抗静电剂，属亲水性聚合物，但永久抗静电剂因使用交联剂无法在抗静电膜内测使用。目前常用的防静电屏蔽袋的膜材多为普通抗静电剂层/聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜/铝箔层/聚乙烯薄膜/普通抗静电剂，或是抗静电母粒/聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜/铝箔层/抗静电母粒的结构，上述两种结构的膜材均不能在成本较低的基础上满足低湿抗静电要求。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述技术问题而提供一种低湿抗静电薄膜及其应用，通过本发明低湿抗静电薄膜可制造在电子行业中用于包装电子元器件产品或半成品的防静电屏蔽袋。本发明的技术解决方案如下
一种低湿抗静电薄膜，依次包括永久抗静电剂层、聚酯层、金属涂层和抗静电母粒层复合构成。进一步地，所述聚酯层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜或聚芳酯薄膜。进一步地，所述金属涂层为铝涂层、镍涂层或铜涂层。本发明另一方面地，还包括一种屏蔽袋，该屏蔽袋是由所述的低湿抗静电薄膜经分切、制袋制得。本发明的技术效果主要为通过外层采用价格较为低廉的永久抗静电剂层、内层采用抗静电母粒层，即可满足低湿抗静电要求又能降低成本。
图1是本发明低湿抗静电薄膜的结构示意图。
具体实施例方式下面通过具体实施例对本发明进行说明，所举的实施例仅是对本发明作概括性例示，有助于更好地理解本发明，但并不会限制本发明范围。下述实施例中所述材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。具体地，本实施例低湿抗静电薄膜，由外至内依次包括永久抗静电剂层1、聚酯层
2、金属涂层3和抗静电母粒层4复合构成。所述聚酯层2为包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯或聚芳酯制成的薄膜，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。所述金属涂层3为铝涂层、镍涂层或铜涂层，优选为铝涂层。本发明所采用的永久抗静电剂是一类亲水性聚合物，当其和高分子基体共混后，一方面由于其分子链的运动能力较强，分子间便于质子移动，通过离子导电来传导和释放产生的静电荷。另一方面，抗静电能力是通过其特殊的分散形态体现的。该永久型抗静电剂主要是在制品表层呈微细的层状或筋状分布，构成导电性表层，而在中心部分几乎呈球状分布，形成所谓的“芯壳结构”，并以此为通路泄漏静电荷。因为永久型抗静电剂是以降低材料体积电阻率来达到抗静电效果，不完全依赖表面吸水，所以受环境的湿度影响比较小。通过采用价格较为低廉的永久抗静电剂层I作为低湿抗静电薄膜的外层、采用抗静电母粒层4作为低湿抗静电薄膜的内层，即可满足低湿抗静电要求又能降低成本。更具体地，通过本发明低湿抗静电薄膜可采用常规方法，如分切、制袋制得在电子行业中用于包装电子元器件产品或半成品的防静电屏蔽袋。上述实施例对本发明的保护范围不构成任何限制，凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种低湿抗静电薄膜，其特征在于依次包括永久抗静电剂层(I)、聚酯层(2)、金属涂层(3)和抗静电母粒层(4)复合构成。
2.根据权利要求1所述的低湿抗静电薄膜，其特征在于所述聚酯层(2)包括聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二酯薄膜或聚芳酯薄膜。
3.根据权利要求1所述的低湿抗静电薄膜，其特征在于所述金属涂层(3)为铝涂层、 镍涂层或铜涂层。
4.一种屏蔽袋，其通过将权利要求1至3任意一种所述的低湿抗静电薄膜经分切、制袋制得。
全文摘要
本发明揭示了一种低湿抗静电薄膜，依次包括永久抗静电剂层、聚酯层、金属涂层和抗静电母粒层复合构成。本发明还提供一种将低湿抗静电薄膜制成在电子行业中用于包装电子元器件产品或半成品的防静电屏蔽袋。本发明通过外层采用价格较为低廉的永久抗静电剂层、内层采用抗静电母粒层，即可满足低湿抗静电要求又能降低成本。
文档编号B65D30/02GK103042768SQ20121058206
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者方杰, 裴骏 申请人:苏州天华超净科技股份有限公司