一种靶材喷涂送粉器粉斗的制作方法

文档序号:8676074阅读:185来源:国知局
一种靶材喷涂送粉器粉斗的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种靶材喷涂送粉器粉斗,按国际专利分类表(IPC)划分属于靶材制造技术领域。
【背景技术】
[0002]靶材在生产过程中时将所需的金属混合粉末经加热后热喷涂在背管上,从而得到旋转勒!材。
[0003]现有送粉器粉斗没有粉末感应装置,喷涂时需要人工定时添加粉末,容易造成缺少粉末而喷枪仍然在喷,剧烈加快了喷枪的烧损,并且很容易对靶材造成损坏。粉末附在在送粉罐体壁上,不容易观察,需要定期打开罐体检查粉末储量,降低了生产效率。
[0004]由此,本发明人考虑对现有的靶材喷涂送粉料斗结构进行改进,本案由此产生。
【实用新型内容】
[0005]针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种靶材喷涂送粉器粉斗,解决靶材在喷涂过程中送粉器粉斗中对送粉器中粉末储存量信息了解不充分现象,作业人员可以通过本装置及时添加粉末。不仅大大提高了生产效率而且减少了靶材生产的隐患。
[0006]为达到上述目的,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0007]一种靶材喷涂送粉器粉斗,该粉斗为密闭桶状料斗,该粉斗内壁上安装有至少一个激光发射器,该分头内壁上开设有通入氩气的开口,而该开口向外延伸形成于粉斗相互料筒的氩气管;所述粉斗内壁设置有反射膜,该反射膜与激光发射器配合形成粉斗内粉末量预警结构。
[0008]进一步,所述粉斗内壁上具有凹陷,而所述激光发射器嵌入至凹陷内;前述通入氩气的开口开设在凹陷侧壁上。
[0009]进一步,所述激光发射器的数量优选为两个,且两个激光发射器分别位于粉斗的上、下部,进而形成粉斗粉量上、下位预警结构。
[0010]与现有技术相比较,本实用新型的优点:
[0011]本实用新型解决靶材在喷涂过程中送粉器粉斗中对送粉器中粉末储存量信息了解不充分现象,作业人员可以通过本装置及时添加粉末,不仅大大提高了生产效率而且减少了靶材生产的隐患。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0014]实施例:请参阅图1所示,一种靶材喷涂送粉器粉斗,该粉斗为密闭桶状料斗,该粉斗内壁上安装有两个激光发射器1、2,该两个激光发射器1、2分别位于粉斗A的上、下部,且该粉斗A的内壁上设置有反射膜,进而通过每个发射器发出激光信号是否能照射到对面反射膜上,从而来判断粉斗里面粉末的位置,实现预警目的。
[0015]请参阅图1所示,前述每个激光发射器I或2均嵌在粉斗内壁的凹陷内,而所述凹陷的侧壁上海开设有通入氩气的开口 3,该开口 3向外延伸形成于粉斗相互料筒的氩气管。
[0016]本实用新型的工作原理如下:
[0017]请参阅图1所示,在粉斗上面和下面安装两个激光发射器1、2,当添加粉末含量水平面到上面激光发射器I时,警报响起,停止添加粉末,当粉斗中粉末含量低于激光发射器2时,发出报警警报,提醒作业人员添加粉末;其中粉末容易附在激光发射器激光发射源上,可能会造成感应器信号的减弱或者衰减,通过脉冲阀对激光发射器发射源通定压定量氩气将附在发射源上的粉末冲掉。
[0018]以上所记载,仅为利用本创作技术内容的实施例,任何熟悉本项技艺者运用本创作所做的修饰、变化,皆属本创作主张的专利范围,而不限于实施例所揭示者。
【主权项】
1.一种靶材喷涂送粉器粉斗,其特征在于:该粉斗为密闭桶状料斗,该粉斗内壁上安装有至少一个激光发射器,该分头内壁上开设有通入氩气的开口,而该开口向外延伸形成于粉斗相互料筒的氩气管;所述粉斗内壁设置有反射膜,该反射膜与激光发射器配合形成粉斗内粉末量预警结构。
2.根据权利要求1所述的一种靶材喷涂送粉器粉斗,其特征在于:所述粉斗内壁上具有凹陷,而所述激光发射器嵌入至凹陷内;前述通入氩气的开口开设在凹陷侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的一种靶材喷涂送粉器粉斗,其特征在于:所述激光发射器的数量为两个,且两个激光发射器分别位于粉斗的上、下部,进而形成粉斗粉量上、下位预警结构。
【专利摘要】本实用新型公开一种靶材喷涂送粉器粉斗,该粉斗为密闭桶装料斗,该粉斗内壁上安装有至少一个激光发射器,该粉头内壁上开设有通入氩气的开口,而该开口向外延伸形成与粉斗相互料筒的氩气管;所述粉斗内壁设置有反射膜,该反射膜与激光发射器配合形成粉斗内粉末量预警结构。本实用新型解决靶材在喷涂过程中送粉器粉斗中对送粉器中粉末储存量信息了解不充分现象,作业人员可以通过本装置及时添加粉末,不仅大大提高了生产效率而且减少了靶材生产的隐患。
【IPC分类】B65D90-48
【公开号】CN204384149
【申请号】CN201520007669
【发明人】罗永春, 余成永, 曾墩风, 罗文富
【申请人】厦门映日新材料科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年1月7日
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