专利名称：多层化合物合成炉装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多层化合物合成炉装置，属于化合物合成设备领域。
技术背景随着世界高新技术产业的迅速发展，世界高新技术产业对半导体化合物的需求量 增长迅速，目前半导体化合物的传统生产方法与工艺存在生产成本高、生产的安全性 差的缺点。特别是受到生产设备小的制约，无法实现半导体化合物产业化生产，严重 阻碍了高新技术产业和微电子光电产业信息材料事业的发展。 发明内容本发明的目的是针对现有技术的不足而提供一种多层化合物合成炉装置，其特点 是采用高温耐火砖作为合成炉的保温层，硅碳管作为加热源，严格控制炉腔内部的热 场温度均匀分布，热场温度梯度《i5'C/cm。本发明的目的由以下技术措施实现多层化合物合成炉装置的合成炉内设保温层、加热丝、隔热板和合成反应管，合 成炉的炉腔内用隔热板分隔为多个合成室，每个合成室内放置多个合成反应管，控制 炉腔内部的热场温度均匀分布，热场温度梯度《i5。C/cm,每个合成室分隔独立保证了 合成过程的安全性。多层化合物合成炉装置用于碲化镉、碲化锌和碲化铅的合成。本发明具有如下优点1、 采用了多合成波合成技术；2、 多加热源加热技术；3、 采用智能温度控制系统控制炉腔内部热场的温度均匀分布，确保了设备的产能 和安全性；4、 产品质量高，纯度高。 -
图1为多层化合物合成炉装置结构示意图 l.合成炉，2.保温层，3.加热丝，4.隔热板，5.合成反应管。 图2为A-A剖视图具体实施方式
下面通过实施例对本发明进行具体的描述，有必要在此指出的是本实施例只用于 对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的技术熟练 人员可以根据上述本发明的内容作出一些非本质的改进和调整。实施例本发明的多层化合物合成炉装置具有结构简单，制造方便，如图1所示。合成炉1 内设高温耐火砖保温层2，硅碳管作为加热源，加热源内设加热丝3，隔热板4和合成 反应管5，合成炉的炉腔内用隔热板4分隔为多个合成室，每个合成室内放置多个合成 反应管5，严格控制炉腔内部的热场温度均匀分布，热场温度梯度《士5'C/cm，每个合 成室的分隔独立保证了合成过程的安全性。
权利要求
1、多层化合物合成炉装置，其特征在于该装置的合成炉(1)内设保温层(2)、加热丝(3)、隔热板(4)和合成反应管(5)，合成炉的炉腔内用隔热板分隔为多个合成室，每个合成室内放置多个合成反应管，控制炉腔内部的热场温度梯度≤±5℃/cm。
2、 如权利要求1所述多层化合物合成炉装置用于碲化镉、碲化锌和碲化铅的合成。
全文摘要
一种多层化合物合成炉装置，其特点在于该装置的合成炉(1)内设保温层(2)、加热丝(3)、隔热板(4)和合成反应管(5)，合成炉的炉腔内用隔热板分隔为多个合成室，每个合成室内放置多个合成反应管(5)，控制炉腔内部的热场温度梯度≤±5℃/cm，每个合成室的分隔独立保证了合成过程的安全性。多层化合物合成炉装置用于碲化镉、碲化锌和碲化铅的合成。
文档编号F27B5/06GK101118111SQ20071004988
公开日2008年2月6日 申请日期2007年8月31日 优先权日2007年8月31日
发明者侯仁义 申请人:侯仁义