一种双层石墨炉盘装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高温真空烧结炉技术领域，尤其涉及一种双层石墨炉盘装置。
【背景技术】
[0002]高温真空烧结炉是工业用的一种重要的加热设备，广泛应用于活性金属、难熔金属及其合金、陶瓷材料、异种材料的粉末烧结或坯体烧结。现有的石墨炉盘为一层结构，导致一次烧结石墨栅极的数量有限，一层炉盘还造成高温真空烧结炉炉膛内有大量空间浪费，并且造成能源浪费，增加了生产成本。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种双层石墨炉盘装置，结构简单，使用方便，能有效提高烧结效率，节约能源，大大降低了成本。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:
[0005]本实用新型公开的一种双层石墨炉盘装置，其特征在于:包括上层炉盘、下层炉盘和支撑杆，所述支撑杆一端与下层炉盘螺纹连接，另一端与上层炉盘连接，所述下层炉盘上设有至少3个通孔A。
[0006]进一步的，所述上层炉盘和下层炉盘均为圆柱形，上层炉盘轴向方向上设有至少3个通孔B，下层炉盘轴向方向上还设有至少3个螺纹孔，所述支撑杆至少有3根，支撑杆一端设有外螺纹并与螺纹孔适配，另一端与通孔B适配，支撑杆中部段直径大于通孔B的直径。
[0007]进一步的，所述上层炉盘、下层炉盘和支撑杆材料均为石墨。
[0008]进一步的，所述通孔B均布在同一圆周上，所述螺纹孔和通孔A交错均布在同一圆周上，通孔B所在圆周直径与螺纹孔所在圆周直径相同。
[0009]进一步的，所述支撑杆、通孔B和螺纹孔数量相同。
[0010]进一步的，所述支撑杆从通孔B—端穿入，不贯穿另一端。
[0011 ] 进一步的，所述支撑杆为圆杆。
[0012]本实用新型具有以下有益效果:
[0013]结构简单，使用方便，经济实用，有效提高了烧结效率，并且节约能源，大大降低了生产成本。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型结构示意图；
[0015]图2为支撑杆结构示意图；
[0016]图3为上层炉盘结构示意图；
[0017]图4为下层炉盘结构示意图；
[0018]图中:1-上层炉盘、2-下层炉盘、3-支撑杆、4-通孔B、5-通孔A、6-螺纹孔。
【具体实施方式】
[0019]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本实用新型进行进一步详细说明。
[0020]如图1所示，本实用新型公开的一种双层石墨炉盘装置，包括用石墨材料制成的上层炉盘1、下层炉盘2和支撑杆3，上层炉盘1和下层炉盘2均为圆柱形，上层炉盘1同一圆周轴向方向上均布设有三个通孔B4，下层炉盘2轴向方向上设有三个通孔A5和三个螺纹孔6，通孔A5和螺纹孔6交错均布在同一圆周上，通孔B4所在圆周直径与螺纹孔6所在圆周直径相同；三根支撑杆3为圆杆，支撑杆3 —端设有外螺纹并与下层炉盘2上的螺纹孔6适配，另一端穿入上层炉盘1上的通孔B4中，并且不贯穿通孔B4，支撑杆3中部段直径大于通孔B4的直径。
[0021]当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种双层石墨炉盘装置，其特征在于:包括上层炉盘、下层炉盘和支撑杆，所述支撑杆一端与下层炉盘螺纹连接，另一端与上层炉盘连接，所述下层炉盘上设有至少3个通孔A。2.根据权利要求1所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述上层炉盘和下层炉盘均为圆柱形，上层炉盘轴向方向上设有至少3个通孔B，下层炉盘轴向方向上还设有至少3个螺纹孔，所述支撑杆至少有3根，支撑杆一端设有外螺纹并与螺纹孔适配，另一端与通孔B适配，支撑杆中部段直径大于通孔B的直径。3.根据权利要求1所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述上层炉盘、下层炉盘和支撑杆材料均为石墨。4.根据权利要求2所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述通孔B均布在同一圆周上，所述螺纹孔和通孔A交错均布在同一圆周上，通孔B所在圆周直径与螺纹孔所在圆周直径相同。5.根据权利要求2所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述支撑杆、通孔B和螺纹孔数量相同。6.根据权利要求2所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述支撑杆从通孔B—端穿入，不贯穿另一端。7.根据权利要求1或2所述的双层石墨炉盘装置，其特征在于:所述支撑杆为圆杆。
【专利摘要】本实用新型公开一种双层石墨炉盘装置，包括用石墨材料制成的上层炉盘、下层炉盘和支撑杆，所述支撑杆一端与下层炉盘螺纹连接，另一端与上层炉盘连接，所述下层炉盘上设有至少3个通孔A。本实用新型结构简单，使用方便，能有效提高烧结效率，节约能源，大大降低了成本。
【IPC分类】F27B5/06
【公开号】CN205014817
【申请号】CN201520737575
【发明人】吕琳
【申请人】成都旭光电子股份有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年9月22日