使用电沉积制备催化物质的方法

专利名称：使用电沉积制备催化物质的方法
使用电沉积制备催化物质的方法
技术领域：
本发明涉及用于烃的不完全氧化(CPO)、蒸汽甲烷重整(SMR)、 蒸汽石油脑重整或干重整(DR)的新型催化剂。
合成气的催化生产在通常对催化剂的稳定性非常有害的剧烈条件(主 要温度条件)下进行。烃的催化不完全氧化(CPO )例如是强的放热反应， 且催化床的第一部分可以达到最高1000。C的温度。相反，由于蒸汽甲烷重 整(SMR)和干重整(DR)是吸热反应，因此必须将催化床加热至接近 1000。C以实现烃类的最大转化，且向催化床的热传递必须非常迅速地完成， 通常少于1秒，优选少于0.1秒，从而降低其与反应物质的接触时间以限 制碳形成。
这些反应因此需要使用在金属烧结、载体化学、机械耐受性和粒子分 散方面非常稳定的催化剂。
此外，催化剂活性可能影响反应器的热分布在这方面，可以强调， 烃的催化不完全氧化(CPO)必须仔细控制，以避免在反应器中形成热点， 这可能在均匀反应中突然发生；吸热反应需要由加热装置产生的大量能量 加热反应器壁。因此，如果催化材料造成良好的热传递，可以由此促进、 甚至改善反应的均匀性。
此外，活性催化剂如果沉积在具有高热导率的载体上，则可以改进这 些体系的效率。特殊的耐高温合金通常提供这种性质。
催化床还必须引起最小的压降(压降对反应有害)，同时主要出于经 济原因具有最低堆密度。形态与几何结构方面的最佳折衷方案可能是使用 特定的金属泡沫类的载体。
另一关键点涉及在载体上沉积活性相的方法。由于金属载体的比表面
积无效，直接的标准沉积方法(如浸渍法)不合适。
一些出版物公开了制造适用于烃的氧化重整的负载型金属催化剂的方式。
日本专利5,186,203公开了用于SMR的催化元件，其由附着在多孔氧 化铝层上的镍细粒构成，多孔氧化铝层本身连接到金属重整管内表面上。
Ismagilov等人(Studies in surface Science and Catalysis, Elsevier, Amsterdam, 2000，第130 C巻，2759)公开了结合甲烷的方文热燃烧和吸热 蒸汽重整的催化换热(HEX)管式反应器，其在燃烧部分中包含在镍-铬泡 沫(Ni-Cr泡沫)材料上的钙钛矿或铂负载型催化剂，并在蒸汽重整部分 中包含M的泡沫催化剂。
美国专利US 6,630,078 B2公开了金属材料的用途，其用作在低接触时 间值下进行的SMR反应的催化载体。
美国专利申请US 2003/0,185,750 Al和国际申请WO 02/066,371公开 了将活性相(Ni、 Rh、 Pt、 Ru……)沉积在陶瓷尖晶石(Mg-Al203， La-AI203， Ce-Al203 )上，而陶瓷尖晶石负载在载体标准氧化铝或特殊金属泡沫体上。 这类催化剂用在SMR反应中，其所需接触时间短于1秒。
美国专利申请US 2004/0,157,939 Al公开了催化活性金属，其沉积在 碳化硅载体上，并用在将曱烷催化不完全氧化成合成气的反应中。
国际申请WO 2004/087,312公开了用Ni催化剂涂布金属载体材料表面 的简单有效的方法，即使载体材料具有复杂的表面几何，其也可以使用。
美国专利申请US2005/0,084,441 Al公开了 C-纳米芯片的制备，该C-纳米芯片是来自元素周期表的第VIII、 IB和IIIB族的金属或这些金属的 金属氧化物的合适的高导电性载体，并且可用在催化反应中，例如氧化、 氢化、重整或蒸汽重整。
日本专利5,007,298公开了可用于烃的蒸汽重整的多孔金属催化剂，其 可以如下制造形成含有多孔陶瓷层的催化剂层，该多孔陶资层栽有催化 剂粉末，所述催化剂层负载在具有3维网状结构的多孔金属催化剂载体表 面上。然后，将通过用所述催化剂粉末涂覆陶瓷粉末而形成的复合陶乾粉末固定并负栽在具有3维网状结构的多孔金属栽体骨架表面上。
活性相的沉积通过常规方法进行，例如浸涂、连续洗涂、有机金属气 相沉积、等离子体沉积、或化学气相沉积。但是，金属载体必须先被陶瓷 层涂布，例如MgAh04、 A1203、 Al203+Ce02、 SiC Ca-Al203或La-Al203, 但该涂层必须具有尽可能最低的厚度，以产生固定活性相所必须的最小表 面积。这种陶瓷涂层对于合金泡沫体的意义不仅是确保催化活性相M， 还在工业条件下随时间的经过保护合金免受腐蚀、金属粉尘或氧化效应。 这种涂层的质量直接影响材料在稳定性或催化活性方面的性能，且催化活 性相不与金属载体直接接触。但是，上述已知涂布技术不容易继续发挥作 用。
本发明人工作的起点是两篇论文，其报道了通过硝酸盐的阴极还原而 本体合成含有Co或Ni作为二价阳离子和含有Al作为三价阳离子的水滑 石化合物(L. Indira和P.V. Kamath， J. Mater. Chem. 4 (1994) 1487; Dixit 和P.V. Kamath， J， Power Sources 56 (1995) 97 )。在》匕1^出上，已经进行 大量研究，以找出通过Ni/AI水滑石的一步电合成来改变不同电极的最佳 实验条件(E. Scavetta, B. Ballarin， M.Giorgetti， L Carpani, F. Cogo和D. Tonelli， J. New Mater. Electrochem. Systems 7 (2004-43),证明了时间和电 势在控制薄膜厚度方面的关键作用)。图l公开了薄膜重量与沉积电势和 时间的函数关系图(对于Pt电极)。图2是在E = -0.9V和t = 10 s下在 Pt电极上获得的HT薄膜的光学显微照片，其是非常清澈稳定的薄膜。
图3A)公开了对于两种不同的Pt电极，在￡ = -0.9￥下在1^/入1^03 水滑石化合物电合成过程中，电强度与时间的关系图。
图3B)公开了在用Ni/AI-N03水滑石化合物(该化合物经恒电势方式 电合成，E = -0.9V， 10秒)改性的铂中，对于两种电极，在1/10克分子量 苏打水溶液(0.1MNaOH)中的循环伏安图(20次循环)；电势扫描速率 =50mVs"。这两个图均i正明该:技术的可再现性高。
这些改性电极已经在流动系统中用于糖和醇的电流法测定[B. Ballarin, M. Berrettoni, I. Carpani, E. Scavetta和D. Tonelli, Anal. Chim. Acta 538(2005) 219。还报道了混合氧化物本体电合成，特别是铁电锆钛酸铅(PZT ) [Zhitomirsky， A. Kohn和L, Gal-Or， Mater. Letters 25 (1995) 223、稀土 铬酸盐Ln2Cr3Oi2 x 7H20 ( Ln = La， Pr， Nd ) [G. H.Annal Therese和P. Vishnu Kamath, Mater. Res. Bulletin 33 (1998) l]或Ba5Ru3Na2014 10H-4丐 钬矿相关结构E. Quarez和O. MentM， Solid State Science 5 (2003) 1105.1。
因此，本发明的目的是提出一种新方法，其通过在合金泡沫体上的直 接"活性致密陶瓷涂层"显著减少工艺步骤数。
根据第一实施方案，本发明的主题是催化物质的制备方法，该催化物 质基本由涂有陶瓷活性相层的金属载体构成，所述方法基本由所述陶资活 性相在所述金属栽体上的电沉积步骤(a)组成。
在本发明中，词语"陶瓷活性相层"用于表示在结晶学结构中存在贵 金属和/或Ni、 Co的所有陶瓷相。在运行过程中，这些金属元素的一部分 离开结晶学结构到ii^面。
这类陶瓷活性相层的实例包括至少氧化镁型相化合物和至少硅酸镁型 相化合物的混合物的固溶体，Al、和Rh和/或Ni阳离子溶于其中；或至少 钩钛矿结晶学结构与镍和/或铑金属的混合物的固溶体。
在本发明中，词语"金属载体"主要用于表示产生大的比表面积并在 最高达100(TC的温度下稳定的金属泡沫体。这类载体的实例包括 FeCrAlY、 NiCrAlY的金属泡沫体。这类泡沫体可以是用于填充反应器的 丸粒形式或填料形式。
在本发明中，词语"电沉积，，主要用于表示通过电化学反应和后续的 煅烧合成上述陶瓷相以及受控的、附着的薄层。
根据一个具体实施方案，在上述方法中，陶瓷活性相层是通式(I)的 化合物
RhxNiyMglAlm(OH)2r+ ( An—z/n ) kH20,(I)
其中An—主要是硅酸根或多硅酸根阴离子；
(Kx《0.3;
(Ky <0.9;
(KK0.9;
(Km<0.5;
(Kk<10;
x+y >0;
0.5《y+ 1<0.9;
x + y + l + m = l;且 z是阳离子元素的总电荷。
作为通式(I)的化合物的实例，可提到如上定义的式(I)的化合物，
其中
(Kx<0.1; (Ky <0.3; 0.3<1<0.8; 0.1《m<0.4'，
x+y >0;
0.6<y+ 1《0.8; x + y + l + m = l,
更特别是选自下列那些化合物 (Si〇3 )。 16 kH20，
0 32+ 2- (Si〇3 )016 kH2〇，
0 32+ 2- (Si〇3 )016 kH2。， [Ni,Rh,02Mg,AI03198 (OH)2]032+ (Si03\16 kH20, [Ni002Mg063AI035 (0H)2]。35+ (Si〇32—)。 175 kH20，
0.35+ 2- (Si〇3 )0175 kH2〇，
0.35+ 2- (Si〇3 )。仍kH20，和
0.20+ 2- (Si03 )010kH2〇。
根据另一具体实施方案，在如上定义的方法中，陶瓷活性相层是通式 (II)的化合物
[AzA、肌+yNixRhyl03-s (n)
其中
A和A'不同，并选自镧系或锕系或选自门捷列夫元素周期表的第IIa
族；
B选自门捷列夫元素周期表的第IIIb、 IVb、 Vb、 VIb、 VIIb、 lb和 lib纵列和第VIIIb族的过渡金属； (Kx<0.7， (Ky《0.5， (K x+y < 0.8， (Kz<l且
6是获得钙钛矿化合物的电中性所需的氧的亚化学计量值。 作为通式(II)的化合物的实例，可提到A和A'独立地选自镧(La)、 铈(Ce) 、 4弓(Ca)或锶(Sr)的如上定义的式(II)的那些；A为La 的如上定义的式(II)的那些；或B选自锰(Mn)、铁(Fe)或钴(Co) 的如上定义的式(II)的那些。
根据另一具体实施方案，在如上定义的方法中，陶瓷活性相层是式(IIa)所示的化合物
<formula>formula see original document page 12</formula> (IIa ) 其中A，、 x、 y和z和5如上文对式(II)所定义， 或式(lib)所示的化合物
<formula>formula see original document page 12</formula> (lib ) 其中x、 y和z和S如上文对式(II)所定义。
根据另一具体实施方案，在如上定义的方法中，陶瓷活性相层是式(II) 所示的化合物，其中0《x《0.5;或其中0《y《0.25。
根据另一具体实施方案，在如上定义的方法中，陶瓷活性相层是选自 下列化合物的化合物
La Fe。.7 Ni。.25 Rho.os O3-5
La。.8 Ce。.2 Fe。.7 Ni。.25 Rho.os 。3-5
La Fe。.7 Nio.3〇3-s
La Feo.95 Rh0.o5 (D3-5
La。8 Ce。.2 Fe。7 Nio.3〇3-s
如上定义的方法可以包括将步骤a)中获得的物质煅烧的步骤b)。
根据另一具体实施方案，本发明的主题是催化物质的用途，该催化物 质通过如上定义的方法制成，用于气态烃的催化剂氧化而制造合成气。
根据最后一个实施方案，本发明的主题是通过在由如上定义的方法制 成的催化物质存在下氧化气态烃流来制造合成气的方法。
如上定义的催化物质的制备方法的优点是"活性陶瓷催化剂"直接沉 积在金属载体上，可以控制沉积层的厚度，使用常规操作条件时获得了均 匀的层，并简化了制造法。
下列描述是权利要求的方法的举例说明，而非限制。
实验报道 介绍
在本制备中，使用试剂纯化学品；以Ni和Al硝酸盐在双蒸馏水中的 新制溶液为原料，电合成Ni/Al水滑石化合物。将两个薄铜线插在多孔丸 粒内，从而在PORVAIR (USA)出售的FeCrAlY的金属泡沫体的单丸粒 上进行电接触。
通过含有0.225M硝酸镍[Ni(N03)2、0.075 M硝酸铝A1(N03)3和0.3M 硝酸钾K(N03)的水溶液的阴极还原，在丸粒表面上沉积Ni/Al水滑石化 合物的薄膜。以恒定的电势在H形小室的阴极室中进行电化学反应，电势 相对于饱和甘汞电极(SCE )为-1.2V,进行不同沉积时间(30至1000秒)。
结果
a )以1000秒的沉积时间，进行Ni/Al水滑石在FeCrAlY泡沫体上的 电化学沉积试验。丸粒被新生层覆盖，该层通常是含Ni的水滑石前体(如 图4所示)，即使丸粒的整体外观不均匀。这可能是由于电极连接在泡沫 体一侧。
b) 在卯0。C将所得丸粒煅烧12小时(如图5所示)，以形成沉积在 FeCrAlY丸粒上的ex HT M/A1，并在H2/N2流中在750。C将其还原。
c) 在CPO实验室实验中测试样品，以评测其活性。
图6以甲烷转化率(CH4转化率)以及氢(H2选择性)、CO ( CO选 择性)的选择性值报道了在不同反应条件下沉积在FeCrAlY (通过电化学 法沉积)上的ex HT Ni/Al的催化活性(在整料第一层上的温度对于混 合物CH4/02/He = 2/1/20 v/v在500°C炉温下的试验，该温度为500X:;对 于混合物CH4/02/He = 2/1/20 v/v在750°C炉温下的试验，该温度为766°C; 对于混合物CH4/02/He = 2/1/4 v/v在750°C炉温下的试验，该温度为7卯。C; 且对于混合物CH4/02/He = 2/1/1 v/v在750。C炉温下的试验，该温度为762 °C)。
该样品在500。C并使用CH4/02/Hc = 2/1/20 v/v混合物的情况(远非热 力学条件)下为非活性，但提高炉温至750。C,活性提高。不同进料 (CH4/02/He = 2/1/20, 2/1/4和2/1/1 v/v )在750。C下的活性与样品ex画HTNi0.。2Mgo.63Al。.35 (在前述CPO研究过程中获得的最佳制剂)和典型催化剂 (在A1203上0.1重量％ Rh )的相当。
d)将负栽在合金泡沫体上的水滑石的性能与下列进行比较 l-通过沉积在涂有spheralite/Disperal的(^^1203珠上的ex-HT sil
Ni8Rh(U5Mg6oAl几85浆料(在卯0。C煅烧)制成的最佳样品(最佳制剂)，
并如上在CPO研究中测试。性能结果列在图7中。
2 -浸渍在a-氧化铝上的0.1 % Rh的标准催化剂。CPO性能列在图8中。
在金属泡沫体上通过电化学法沉积的非最佳水滑石的性能接近通过标 准方法沉积在氧化铝上的水滑石的最佳样品，或接近由在a-氧化铝上的0.1 % Rh构成的标准商业催化剂。通过电化学法沉积在金属泡沫体上的最佳水 滑石肯定提高了这些性能。
权利要求
1.制备催化物质的方法，该催化物质基本由涂有陶瓷活性相层的金属载体构成，所述方法基本由将所述陶瓷活性相电沉积在所述金属载体上的步骤(a)组成。
2. 根据权利要求l的方法，其中所述金属载体选自在最高达1000'C的 温度稳定的金属泡沫体。
3. 根据权利要求2的方法，其中所述金属载体选自FeCrAlY或 NiCrAlY的金属泡沫体。
4. 根据权利要求1或3之一的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(I) 的化合物[RhxNiyMglAlm(OH)2]z+ ( Anz/n ) kH20，( I) 其中A"—主要是珪酸根或多硅酸根阴离子； (Kx<0.3; (Ky《0.9;(Km《0.5;x+y>0;0.5<y+ 1<0.9;x + y + l + m = l;且z是阳离子元素的总电荷。
5.根据权利要求4的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(1)的化 合物，其中(K"0.1; (Ky <0.3; 0.3 <K 0.8; 0.1 <m<0.4; (Kk<5; x+y>0; 0.6<y+ 1<0.8; x + y + l + m = l。
6.根据权利要求5的方法，其中所述陶瓷活性相层是选自下列化合物 的化合物0.32+ 2-[Ni0.08Mg060AI0 32 (〇H)2] (Si03 )。 16 kH20，0.32+ 2-[Ni0.08Rh0,0015Mg0 60AI0 3185 (〇H)2〗 (Si〇3 )。 16 kH2〇， [Rh0.o05Mg071Al0285 (OH)2
(SiQ3 )01fi kH2〇，0.16[Ni,Rh0.0002Mg067Al0.3198 (QH^f32+ (Si032\ 16 kH20，0.35+ 2-[Ni002Mg0 63AI0 35 (OH)2] (Si〇3 )0仍kH2〇，0.35+ 2-[Rh00004Mg065AI0 3496 (OH)2] (Si03 )0175 kH20， 〖Ni002Mg078AI0 20 (OH)2]0 35+ (Si032\175 kH20,和0 20+ 2-[Rh00004Mg0.80Al0.1996 (OH)2] (Si03 )。 10 kH2〇。
7.根据权利要求1或6之一的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(II) 的化合物<formula>formula see original document page 3</formula> (II)其中A和A，不同，并选自镧系或锕系或选自门捷列夫元素周期表的第IIa族；B选自门捷列夫元素周期表的第IIIb、 IVb、 Vb、 VIb、 VIIb、 Ib和 lib纵列和第VIIIb族的过渡金属； 0<x<0.7， 0<y<0.5， 0 < x+y < 0.8， (Kz《l且3是获得所述钙钛矿化合物的电中性所需的氧的亚化学计量值。
8. 根据权利要求7的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(II)的化 合物，其中A和A，独立地选自La、 Ce、 Ca或Sr。
9. 根据权利要求8的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(II)的化 合物，其中A为La。
10. 根据权利要求7至9之一的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式 (II)的化合物，其中B选自Mn、 Fe或Co。
11. 根据权利要求9的方法，其中所述陶瓷活性相层是式(IIa)所示 的化合物[LazA、—zFd—x-yNixRhy03—5 (IIa ) 其中A'、 x、 y和z和S如上文对式(II)所定义， 或是式(lib)所示的化合物[LazCei—z[Fe"x-yNi、Rhy0:^ (lib ) 其中x、 y、 z和3如上文对式(II)所定义。
12. 根据权利要求7至11的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(II) 的化合物，其中0<x<0.5。
13. 根据权利要求7至12的方法，其中所述陶瓷活性相层是通式(II) 的化合物，其中(Ky".25。
14. 根据权利要求7至13之一的方法，其中所述陶瓷活性相层是选自 下列化合物的化合物<formula>formula see original document page 5</formula>
15. 根据权利要求1至14之一的方法，还包括将步骤a )中获得的物 质煅烧的步骤b)。
16. 催化物质的用途，该催化物质通过如权利要求1至15之一定义的 方法制成，用于气态烃的催化剂氧化而制造合成气。
17. 通过在催化物质的存在下将气态烃流氧化而制造合成气的方法， 所述催化物质通过权利要求1至15之一定义的方法制成。
全文摘要
本发明提供了催化物质的制备方法，该催化物质基本由涂有陶瓷活性相层的金属载体构成，该陶瓷活性相层主要是通式(I)的化合物[Rh_xNi_yMglAl_m(OH)₂]²⁺(A^n-_z/n)kH₂O，其中A^n-主要是硅酸根或多硅酸根阴离子；0≤x≤0.3；0≤y≤0.9；0≤l≤0.9；0≤m≤0.5；0≤k≤10；x+y＞0；0.5≤y+l≤0.9；x+y+l+m＝1；且z是阳离子元素的总电荷，或该陶瓷活性相层是通式(II)的化合物[A_zA′_1-z][B_1-x-yNi_xRh_y]O_3-δ(II)，其中A和A′不同，并选自镧系或锕系或选自门捷列夫元素周期表的第IIa族；B选自门捷列夫元素周期表的第IIIb、IVb、Vb、VIb、VIIb、Ib和IIb纵列和第VIIIb族的过渡金属；0≤x≤0.7，0≤y≤0.5，0≤x+y≤0.8，0≤z≤1且δ是获得所述钙钛矿化合物的电中性所需的氧的亚化学计量值；所述方法基本由将所述陶瓷活性相电沉积在所述金属载体上的步骤(a)组成。本发明还提供了所述催化物质用于气态烃的催化剂氧化而制造合成气的用途。
文档编号B01J23/755GK101370585SQ200780002365
公开日2009年2月18日 申请日期2007年1月10日 优先权日2006年1月12日
发明者A·瓦卡里, D·加里, D·托奈立, E·斯卡维塔, F·巴塞尔, G·弗纳萨里, P·德尔加洛, V·罗塞蒂 申请人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司