专利名称：一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，以及铜离子改性氧化钨光催化剂。
背景技术：
氧化钛作为用于环境纯化处理的光催化剂是长久已知的。然而，氧化钨具有宽的因此带隙(band gap)，并且由此由于紫外线量少作为户内使用的光催化剂无法显示足够的性能。因此，人们已经做出了有关通过使用可见光辐射能够激发带隙的可见光响应光催化剂的研究。氧化钨作为可见光响应光催化剂是长久已知的。在试图使氧化钨显示良好的可见 光光活性或者改进它的可见光光活性中，已经提出表面上其负载有助催化剂的氧化钨催化齐U。例如，负载有以铜离子或者氧化铜形式的相对非昂贵的铜的氧化钨在可见光辐射下能够显示出光催化性活性(例如，参见非专利文献I和专利文献I)。除了上述助催化剂的研究外，为了设计具有高分散性和高光催化活性的光催化齐U，人们已经试图将氧化钨研磨为细颗粒。例如在专利文献2中，描述了烘焙偏钨酸或其盐和然后使用水或者过氧化氢洗涤以得到具有高活性的光催化剂。然而，专利文献2中得到的氧化钨颗粒度大并且根据由此制备涂层材料时因此倾向于产生诸如可操作性差的问题。另一方面，在专利文献3中描述了使金属钨升华或者使其燃烧以制备细氧化钨烟(fume)，并且随后热处理以增加其活性(参见专利文献3)。然而，由于需要大规模的设备，专利文献3中描述的该方法是有劣势的。此外，在该方法中，还倾向于产生诸如处理粉末状的纳米材料时必须小心和采取很多措施的问题。引证列表[专利文献]专利文献I JP2008-149312A专利文献2 JP2009-148701A专利文献3 :JP2008_264758A[非专利文献]非专利文献I :“Chemical Physics Letter^, 457 (2008), 202-205, Hiroshi Irie,Shuhei Miura, Kazuhide Kamiya 和 Kazuhito Hashimoto。发明概沭发明所要解决的技术问题迄今，光催化剂很少以粉末的形式使用，而是经常以薄膜的形式使用。因此，光催化剂粉末必须曾经形成溶液或其涂布液。另外，为了缩短作为涂布液的分散体的干燥时间，作为用于该光催化剂粉末的分散体的介质，醇溶剂是比水更适合使用的。出于这种原因，光催化剂粉末必须稳定的分散在溶剂中。然而，由于可商购的氧化钨的颗粒度达到1-100微米，很难形成它们的稳定分散体。因此，在分散体的制备中，氧化钨必须使用球磨机、珠磨机等研磨处理。然而机械研磨处理易于在其中导致不期望的氧化钨结晶结构的变化或者形成晶格缺陷。这导致分散体干燥后得到的粉末或者薄膜的光催化活性方面易于恶化的问题。于是，存在对其上负载了助催化剂和具有高生产率并且当以其干燥的粉末或者薄膜的形式使用时显示高光催化活性的氧化钨光催化剂的醇分散体的开发的日益增长的需求。然而，直到目前也没有得到任何有效的氧化钨光催化剂的醇分散体。·
在这些情况下，已经完成了本发明以解决上述传统问题。本发明的目标之一是提供一种用于制备具有高生产率并且当以其干燥的粉末或薄膜形式使用时显示高光催化剂活性的铜离子改性氧化钨光催化剂分散体的方法，即使使用商购氧化钨作为原材料使用。此外，本发明的另一个目标是提供一种具有高光催化活性的铜离子改性氧化钨光催化剂。同时，有时候下文中“铜离子改性氧化钨光催化剂”被称为“铜改性氧化钨光催化剂”。解决所述问题的方法由于对实现上述目标的广泛深入的研究，发明人已经发现当在有机溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理，被还原的钨是不期望产生的并且导致它的活性恶化。此外，发明人已经发现当使研磨处理后得到的分散体经过具有氧化气体鼓泡处理，使被还原的钨再次被氧化由此制备包含少量被还原物质的铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体，并且经干燥分散体(铜改性氧化钨光催化剂)得到的粉末或者薄膜能显示高光催化活性。基于上述发现完成了本发明。S卩，本发明涉及以下几个方面。[I] 一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，包括以下步骤在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理；和使得到的研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触。[2]根据上述第[I]方面的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中溶剂为有机溶剂。[3]根据上述第[2]方面的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中有机溶剂为醇。[4]根据上述第[3]方面的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中醇为至少一种选自甲醇、乙醇、正丙醇和异丙醇组成的组的化合物。[5]根据上述第[1]_[4]中任一方面的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触的时间为10分钟或更长。[6] 一种铜离子改性氧化钨光催化剂，其通过在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理和然后使得到的研磨颗粒的分散体和氧化气体接触生产，其中通过干燥和氧化气体接触后的分散体得到的光催化剂粉末在700nm的波长下测量时具有75%或更高的漫反射率。[7]根据上述第[6]方面的铜离子改性氧化钨光催化剂，其中光催化剂粉末具有90%或更高的漫反射率。[8]根据上述第[6]或[7]方面的铜离子改性氧化钨光催化剂，其中光催化剂粉末具有20至100m2/g的比表面积。
发明效果根据本发明，可以提供一种用于制备铜改性氧化钨光催化剂的细颗粒的分散体，其具有高生产率并且当以其干燥的颗粒或者薄膜形式使用时显示高的光催化活性，即使是可商购氧化钨被用作为其原料。此外，还可以提供一种具有高光催化活性的铜改性氧化钨光催化剂。
附图简介
图1是显示由干燥实施例1-5和比较例I在常温下制备得到的铜离子改性氧化钨光催化剂的每一个得到的粉末的漫反射光谱。实施本发明的优选实施方式[用于制备铜改性氧化钨光催化剂分散体的方法]在根据本发明的用于制备铜离子改性氧化钨光催化剂分散体的方法中，在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理(溶剂中研磨处理步骤)，和然后使得到的被研磨的氧化钨颗粒的分散体与氧化气体接触(氧化气体接触步骤)。在下文中，分别解释各个步骤。(I)溶剂中研磨处理步骤该步骤中的研磨处理是在使用湿法机械处理装置中进行。该步骤中可使用的湿法机械处理装置的具体的例子包括诸如球磨机、高速旋转研磨机和介质搅拌磨机的研磨机。在这些研磨机中，考虑到良好的可操作性和高研磨效率，优选使用的是湿法珠磨机。珠磨机有利于细研磨颗粒的制备，以至于产生的细颗粒可以改善在溶剂中的可分散性。研磨的时间优选为I小时或更长。当研磨颗粒I小时或更长时，可以得到均一的研磨氧化钨颗粒。溶剂的实例包括水和有机溶剂(诸如，例如，丙酮、醇、醚和酮)。在这些溶剂中，从良好的环境适宜性的观点优选的是水和醇。然而，由于在其中水分子的插入(取决于研磨条件)，作为溶剂水的使用可能导致氧化钨的结晶结构不期望的变化，以至于产生的光催化剂可能无法显示高光催化活性。因此，免于这种风险的醇是特别优选使用的。醇的实例包括甲醇、乙醇、n_丙醇和异丙醇。醚的实例包括二甲基醚、乙基甲基醚和二乙基醚。酮的实例包括甲乙酮、二乙酮和甲基异丁基酮。由机械研磨处理得到的粉末状态的铜离子改性氧化钨优选具有通过BET法测量的20m2/g或更多的比表面积，更优选35m2/g或更多，尽管另外没有特别限制。比表面积为20m2/g或更多的铜离子改性氧化钨在有机溶剂中良好的分散并且可以避免经受相当可观的固液分离的问题。通过柱状图法在颗粒度分布分析中得到的基于散射强度分布确定的50%颗粒度(D50)和90%颗粒度(D9tl)优选分别为250nm或更小和400nm或更小，并且更优选分别为200nm或更小和300nm或更小。顺便提及，当在机械研磨处理期间在氧化钨中被还原的钨持续产生时，粉末的颜色由黄色转变为绿色。作为使用铜离子改性氧化钨的方法(铜离子改性步骤)，可能使用的方法例如有其中氧化钨粉末和通过向极性溶剂中添加铜盐(二价铜盐)诸如氯化铜、醋酸铜、硫酸铜和硝酸铜(优选氯化铜(II))制备的溶液混合，和对产生的分散体进行干燥处理以将铜离子负载到氧化钨的表面的方法。基于100质量份氧化钨，改性氧化钨所采用的铜离子的量就金属铜(Cu)而言优选为0. 01-0. 06质量份，更优选0. 02-0. 06质量份，和最优选0. 02-0. 04质量份。当铜离子的改性用量为0. 01质量份或更多时，得到的光催化剂能显示良好的光催化性能。当铜离子的改性用量为0. 06质量份或更少时，铜离子倾向于几乎不聚集在一起，以至于得到的光催化剂可以避免光催化性能恶化的问题。(2)氧化气体接触步骤在该步骤中，使通过在有机溶剂中的研磨处理步骤得到的分散体接触氧化气体。通过进行该步骤，会导致光催化剂活性恶化的被还原的钨被氧化，由此使得得到的光催化剂显示高的光催化活性。在上述接触步骤中使用的氧化气体的实例包括氧气和臭氧。任何这些氧化气体，可以和NOx、氯等一起使用。作为使分散体接触氧化气体的方法，优选的方法是将氧化气体供应到分散体同时使用氧化气体对分散体鼓泡。在这种情况下，每IOOmL分散体,氧化气体的供给速率优选为0. 01-lmL/min，和更优选为0. 05-0. 2mL/min。使分散体接触氧化气体的时间可以随着氧化气体的供给速率变化，并且优选10分钟或者更长，更优选I小时或更长。10分钟或者更长的接触时间能够均匀的使用氧化气体处理分散体。此外，I小时或更长的接触时间允许被还原的钨的再氧化充分进行，以便得到的光催化剂还可以被增强活性。尽管甚至可以在室温下通过使分散体接触氧化气体进行氧化反应，但分散体可以被加热到数十摄氏度的温度(例如30-70°C)以使氧化反应更高效的进行。另外，可以通过向其添加少量的水作为氧化反应的辅助试剂促进使用有机溶剂作为分散介质的氧化反应。另外，还可通过使分散体形成的粉末和薄膜和氧化剂(诸如过氧化氢)接触进行氧化反应，以便产生的光催化剂的活性可以被增强。同时，这些方法可以结合使用。可以通过在漫反射光谱中在500_800nm的波长测量的吸光率测定包含在铜离子改性氧化钨的钨的氧化程度。高吸光率暗示氧化钨中存在大量低氧化态的钨(W)。同时，在本发明中，由在700nm波长处测定的吸光率得到的漫反射率测定在氧化钨中钨的氧化程度。尽管没有被精确的认识到，但从分散体的颜色也可以大致确定钨的氧化程度。如果分散体带有绿色，应认识到存在大量低氧化态的钨。如果分散体带有黄色，应认识到钨被氧化为六价。根据本发明的经过溶剂中的研磨和与氧化气体接触得到的铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体可以具有不同的构造。然而，铜离子改性氧化钨光催化剂优选以粉末或薄膜形式使用。(铜离子改性氧化钨光催化剂)通过以前描述的制备方法制备根据本发明的铜改性氧化钨光催化剂。更具体的说，通过对铜离子改性氧化钨颗粒在溶剂中进行机械研磨处理和使由此得到的研磨颗粒的分散体接触氧化气体制备根据本发明的铜改性氧化钨光催化剂，其中通过干燥与氧化气体接触后的分散体除去溶剂得到的光催化剂粉末显示了在700nm波长测定的75%或更多的漫反射率。即当包含在氧化钨中的被还原的物质被氧化气体(诸如氧气和臭氧)强制氧化，可得到具有由分光光度计在700nm波长测量的75%或更多的漫反射率的铜离子改性氧化钨粉末的分散体。当氧化钨粉末的漫反射率小于75%，在光催化剂上存在的被还原的钨没有被充分移除，以至于产生的光催化剂无法显示高光催化活性。铜离子改性氧化钨粉末的漫反射率优选75%或更多，并且更优选90%或更多。本发明的铜改性氧化钨光催化剂实际上可以以颗粒或者膜的形式使用。当以颗粒形式使用时，铜改性氧化钨光催化剂优选具有20-100m2/g，更优选从35-70m2/g的比表面积。铜改性氧化钨光催化剂的比表面积可以通过BET方法使用氮气作为吸收物质测定。另外，当以薄膜的形式使用本发明的铜改性氧化钨光催化剂时，上述颗粒形式的铜改性氧化钨光催化剂可以被分散在有机溶剂诸如醇中以制备分散体。由此制备的分散体可以被施用到基材(诸如金属、塑料和陶瓷)上，然后干燥。铜改性氧化钨形成的薄膜的厚度可以随着它的施用变化，并且优选为0. 1-10微米，更优选0. 1-5微米。此外，上述的分散体可以和粘合剂组分混合以制备涂布液。本发明的光催化剂能显示光催化性能，甚至当用具有小于420nm的波长的光照射时，并且当在具有420nm或更多的波长的可见光照射时还能显示高光催化性能。本发明中使用的光催化性能还可以包括各种其他功能诸如抗菌性能、抗病毒性能、防臭性能、防污性能以及环境净化性能诸如大气空气净化性能和水净化性能。以下举例说明光催化剂的性能实例，尽管并不特别限定于此。也就是说，当对周围环境具有负面影响的任何物质，例如有机化合物诸如甲醛，和光催化剂颗粒一起存在于反应体系中时，与体系存在于暗处的情况相比，在使用光照射下有机化合物浓度的减少以及作为有机化合物氧化分解产物的二氧化碳浓度的增加可以被更加显著的观察到。
实施例以下参考下面的实施例详细描述本发明。然而，这些实施例仅仅是举例说明，并不是意图限定本发明。顺便提及，下列实施例和比较例中得到的光催化剂粉末的各种性质由下面的方法测量或者测定。(I) 二氧化碳的生产速率将直径为1. 5厘米的玻璃陪替氏培养皿放入到密闭的玻璃反应容器中(容积0. 5L)，和将0. 3g由各实施例和比较例得到的光催化剂粉末放在陪替氏培养皿上。反应容器的内部以包含体积比例1:4的氧气和氮气的混合气体替换，将5.2UL水(相当于25°C下50%的相对湿度)和5. 0mL5. 1%乙醛(具有氮气的混合气体；标准状态25°C，Iatm)装入反应容器并密封，并使用来自反应容器外部的可见光照射。使用装备有用于去除波长为400nm或更小的紫外线射线的UV去除过滤器的氙灯(“L_42”(商品名)，可由Aashi TechnoGlass Co. , Ltd.得到)作为光源进行可见光照射。作为乙醛的氧化分解产品的二氧化碳的生产速率由气相色谱分析随着时间测定。另外，上述测量中使用的催化剂是这样的催化剂，即当在没有乙醛仍被添加到反应容器的条件下测量时检测不到二氧化碳。(2)漫反射率使用装配有来自Shimadzu Seisakusho Corp.的“UV-2400PC”(商品名)累计球(integrating sphere)的分光光度计,在大气中使用700nm纳米波长的光照射测量漫反射率。(3)测定比表面积的方法使用来自Mountech Co. , Ltd.的全自动BET比表面积测量装置“Macsorb, HMmodel-1208”(产品名)测量比表面积。 (4)颗粒度分布的测量(D5tl和D9tl的测量)使用来自Otsuka Electronics Co. , Ltd.的zeta电势和颗粒度测量系统“ELSZ-2”(产品名)测量D5t^PD9tlt5在测量中，还使用了固含量调整至5%的溶液(铜离子改性氧化钨的醇分散体)。(实施例I)将500克氧化钨粉末(“F1-W0/’，来自Allied Material Corp.)添加到4L氯化铜水溶液(基于WO3，就Cu而言相当于0. I质量％)。搅拌时，将得到的分散体在90°C加热I小时，和然后经过吸滤洗涤和回收固体。由此在120°C干燥回收的固体整整一昼夜，然后在玛瑙研钵中研磨得到以0. 04质量％的Cu改性的并且具有由BET法测量的9m2/g的比表面积的氧化钨粉末。接下来，将100克由此得到的铜离子改性氧化钨粉末分散在90克改性醇中(标准组成乙醇85. 5重量％ ;甲醇4. 8重量％ ；n-丙醇9. 6重量％ ；/jC :0. 2重量％ ；由JapanAlcohol Trading Co. , Ltd.得到的 “Solmix a7”)，并且使用珠磨机研磨(由 Asada IronWorks Co.，Ltd.得到的“Pico Mill :pcr_lr”;氧化错珠0. 5mm(用于初步研磨)；0. Imm(用于实质研磨)；填充率90%),条件为以12m/s的外周速率(peripheral rate)操作研磨机，同时使分散体以0. 3L/min的流动速率流动60分钟(在初步研磨中)和以12m/s的圆周速率流动90分钟，同时使分散体以0. 3L/min的流动速率流动(在实质研磨中)，由此制备铜离子改性氧化钨的醇分散体。由此制备的分散体中铜离子改性氧化钨的D5tl和D9tl分别为150nm和240nm。然后，搅拌IOOmL的铜离子改性氧化钨的醇分散体3小时同时使用包含5%体积的通过穿过臭氧产生器(来自Ecodesign Inc.的“Model ed_0g-r31t”)来制备的臭氧的氧气对分散体鼓泡(加料速率0. lmL/min)，由此得到本发明的铜离子改性氧化钨醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子氧化钨光催化剂粉末。由此得到的粉末BET比表面积为38m2/g。图I显示了在经过臭氧鼓泡处理后得到的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的漫反射光谱。从图I中显示的吸收光谱，可以确认实施例I中得到粉末具有比仅仅由经过机械研磨处理的分散体得到的粉末的吸收光谱中观察到的更低的在500-800nm波长测定的吸收率。(实施例2)
在搅拌在实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体30分钟的同时，使用包含5%体积的通过经过臭氧发生器制备的臭氧的氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。(实施例3)在搅拌在实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体10分钟的同时，使用包含5%体积的通过经过臭氧发生器制备的臭氧的氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。(实施例4)在搅拌在实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体4小时的同时，使用包含5%体积的通过经过臭氧发生器制备的臭氧的氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。(实施例5)在搅拌在实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体I小时的同时，使用氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。在图1中显示了在用氧气鼓泡之后得到的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的漫反射光谱。(实施例6)在搅拌实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体30分钟的同时，使用氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。(实施例7)在搅拌实施例I中使用珠磨机研磨处理后得到的具有150nm的D5(l、240nm的D9tl和38m2/g的BET比表面积的铜离子改性氧化钨的醇分散体10分钟的同时，使用氧气(加料速率0. lL/min)对分散体鼓泡以得到本发明的铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。(对比例I)除了没有对分散体进行经过臭氧发生器的氧气鼓泡处理外，以实施例I中同样的方式制备氧化钨的醇分散体。在室温下干燥由此处理的分散体，并使用玛瑙研钵研磨产生的固体，由此得到铜离子改性氧化钨光催化剂粉末。由此得到的粉末的BET比表面积为38m2/g。在图I中显示了在用紫外线照射之前铜离子改性氧化钨光催化剂粉末的漫反射光谱。实施例1-7和比较例I中得到的每个光催化剂粉末的光催化活性和漫反射率在下面表I中显示。同时，衍生自乙醛的二氧化碳的真实的量通过使用光照射8小时的光催化剂粉末之后产生的二氧化碳的量减去刚刚在使用光照射的光催化剂粉末之前产生的二氧化碳的量确定。表I
权利要求
1.一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，包括以下步骤 在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理；和 使得到的研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触。
2.根据权利要求I的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中溶剂为有机溶剤。
3.根据权利要求2的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中有机溶剂为醇。
4.根据权利要求3的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中醇为至少ー种选自甲醇、こ醇、正丙醇和异丙醇组成的组的化合物。
5.根据权利要求I的用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，其中研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触的时间为10分钟或更长。
6.一种铜离子改性氧化钨光催化剂，其通过在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理和然后使得到的研磨颗粒的分散体和氧化气体接触生产，其中通过干燥和氧化气体接触后的分散体得到的光催化剂粉末在700nm的波长下测量时具有75%或更高的漫反射率。
7.根据权利要求6的铜离子改性氧化钨光催化剂，其中光催化剂粉末具有90%或更高的漫反射率。
8.根据权利要求6的铜离子改性氧化钨光催化剂，其中光催化剂粉末具有20至IOOm2/g的比表面积。
全文摘要
本发明涉及一种用于生产铜离子改性氧化钨光催化剂的分散体的方法，包括以下步骤在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理的步骤；和使得到的研磨颗粒的分散体和氧气或臭氧接触；和一种铜离子改性氧化钨光催化剂，其通过在溶剂中对铜离子改性氧化钨颗粒进行机械研磨处理和然后使得到的研磨颗粒的分散体和氧化气体接触生产，其中通过干燥和氧化气体接触后的分散体得到的光催化剂粉末在700nm的波长下测量时具有75%或更高的漫反射率。
文档编号B01J37/00GK102985178SQ201180034010
公开日2013年3月20日 申请日期2011年7月8日 优先权日2010年7月9日
发明者细木康弘 申请人:昭和电工株式会社