本实用新型属于后处理技术领域，具体涉及一种含氯尾气的处理装置。
背景技术：
在石墨件表面沉积碳化硅，通常采用甲基三氯硅烷为前驱体，发生化学气相沉积反应后得到碳化硅涂层，副产HCl气体。其中，HCl气体可以通过碱液中和处理，但未反应的甲基三氯硅烷原料及石墨件预处理产生的尾气如何处理鲜有报道。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是提供一种含氯尾气的处理装置，以解决现有技术存在的处理效果不佳的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：
一种含氯尾气的处理装置，它包括预处理反应器、CVD化学气相沉积反应器、吸收塔和中和池；其中，预处理反应器的尾气出口与吸收塔相连，吸收塔底部的料液出口与中和池相连，CVD化学气相沉积反应器的尾气出口与中和池相连。
其中，预处理反应器的尾气出口位于预处理反应器顶部。
其中，吸收塔顶部的料液进口与吸收液储罐相连，吸收液储罐中的吸收液通过第一泵泵入吸收塔内，并从塔顶喷淋；例如可通过设置在塔顶的喷淋装置往下喷淋，增加吸收效果。
其中，所述的吸收液为亚硫酸氢钠(NaHSO3)、亚硫酸钠(Na2SO3)、硫酸亚铁(FeSO4)、硫酸锰(MnSO4)、水合肼(N2H4·H2O)或次亚磷酸钠(NaH2PO2·H2O)的水溶液。例如采用亚硫酸氢钠吸收液吸收预处理反应器的尾气中的氯气，反应生成硫酸钠、氯化钠和氯化氢。
其中，泵入吸收塔内的吸收液吸收了预处理反应器尾气中的氯气后，经吸收塔底部的料液出口通过第二泵泵入中和池中；中和池底部设有排渣口。
中和池中填充有碱液，碱液例如为NaOH、KOH、Na2CO3或NaHCO3的水溶液。
其中，CVD反应器的尾气出口位于CVD反应器顶部；CVD反应器中发生碳化硅沉积反应，未反应的甲基三氯硅烷和氢气，以及反应副产的HCl气体通过尾气出口通入中和池中，含氯尾气成分经中和形成氯化物和硅酸盐，并送入后端工序处理达标后排放，未反应的氢气或氩气则放空处理。
有益效果：
与现有技术相比，本实用新型通过吸收塔和中和池的设计，将碳化硅沉积反应的含氯尾气，包括氯气、甲基三氯硅烷和HCl集中一次性处理，简单高效的实现了甲基三氯硅烷原料和污染物的处理，具有良好的环境效益。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示的含氯尾气的处理装置，包括预处理反应器1、CVD反应器2、吸收塔3和中和池5。
预处理反应器1的顶部设有尾气出口，尾气出口与吸收塔3相连。预处理反应器1中，在高温条件下通过氯气将石墨件表面的杂质反应形成金属氯化物升华除去，反应产生的尾气通过尾气出口通入吸收塔3中。
吸收塔3顶部的料液进口与吸收液储罐4相连，吸收液储罐4中的亚硫酸氢钠吸收液通过第一泵7泵入吸收塔3内，并从塔顶喷淋。喷淋在吸收塔3内的吸收液吸收了预处理反应器1尾气中的氯气后，反应生成硫酸钠、氯化钠和氯化氢，经吸收塔3底部的料液出口通过第二泵6泵入中和池5中。
CVD反应器2的顶部设有尾气出口，尾气出口与中和池5相连。CVD反应器2内，以甲基三氯硅烷为前驱体，通过化学气相沉积反应在石墨件表面沉积碳化硅涂层，并副产HCl气体。未反应的甲基三氯硅烷和氢气，以及反应副产的HCl气体通过尾气出口通入中和池5中，含氯尾气成分经中和形成氯化物和硅酸盐，并送入后端工序处理达标后排放，未反应的氢气或氩气则放空处理。