一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法

文档序号:26142049发布日期:2021-08-03 14:26阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法,其特征在于,所述方法以纯钛为靶材,采用等离子体真空溅射工艺,在纯氧环境中,直接从填料表面生长出纳米级别的二氧化钛光触媒催化剂。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法的具体步骤如下:

(1)选用或金属非金属极板,对填料表面进行酸洗、碱洗和清水洗涤,去油去污,然后热风烘干;

(2)入炉,真空抽至6×10-3帕,加热至100-400摄氏度;通入高纯氧气至3帕,启动icp离子源,产生氧离子轰击填料表面,进行离子源清洗,结束后抽真空;

(3)再通入氧气至0.6帕,然后启动icp离子源,产生氧离子轰击钛靶,镀膜5-60分钟;自然降温至80摄氏度,出炉。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中酸洗中的酸为浓度10%的硫酸,碱洗中的碱为浓度10%的氢氧化钠。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中极板选自玻璃、不锈钢、陶瓷板、氧化铝或氧化锆中的任意一种。


技术总结
本发明涉及一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法,本发明以纯钛为靶材,采用等离子体真空溅射工艺,在纯氧环境中,直接从填料表面生长出纳米级别的二氧化钛光触媒催化剂。本发明可在填料表面生成均匀的纳米二氧化钛薄膜,结合牢固,催化活性高,使用效果稳定性能优良,可有效解决光催化氧化效率低,稳定性能差的难题。

技术研发人员:杨云军
受保护的技术使用者:齐鲁工业大学
技术研发日:2021.05.28
技术公布日:2021.08.03
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