例如狭槽式模具涂布头2、控制器5和同步器7，这些都可以被完全地或部分地集成或分散到不同的系统部件中。虽然涂布阀13v被示出为在狭槽式模具涂布头2外部，但上述阀也可以被集成到其内部，例如接近于流出开口 2a。此外，虽然单个的控制器5被示出为控制狭槽式模具涂布头2、基底运载部6、及涂布阀3v，但上述控制器也可以被部分地或完全地集成到单独的系统部件本身中。集成的控制器可以全部或部分地由中央控制器或某些可以自主运作的控制器来协调。某些系统部件可能不需要具体的指示，例如基底运载部6可以被布置为连续地移动基底而不用进一步的指不。
[0043]控制器5可以包括一个或多个配置为根据本系统和方法执行操作动作的处理器，例如为狭槽式模具涂布头2、基底运载部6和涂布阀13v提供控制信号。上述处理器可以是用于根据本系统执行的专用处理器，或是通用处理器，其中仅多个功能中的一个操作为根据本系统执行。上述处理器可以利用程序部分来操作，多个程序段，或可以是利用专用或多用途集成电路的硬件器件。例如专用的或是共享的任何类型的处理器都可以被使用。上述处理器可以包括微处理器、中央处理单元(CPUs)、数字信号处理器(DSPs)、专用集成电路(Applicat1n Specific Integrated Circuit，ASIC)、或任何其它处理器或控制器，例如数字光学器件、或是执行相同的功能，并采用电子技术和体系结构的模拟电路。控制器5可以进一步包括可以部分地或可操作地耦合到上述处理器的存储器。上述存储器可以是任何适用类型的存储数据的存储器。任何已知的或开发的，可以存储和/或发送适于与本系统和方法使用的信息的介质可以被用作为存储器。上述存储器也可以存储可被处理器访问的，以配置为根据本系统和方法执行操作动作的用户偏好和/或应用数据。
[0044]同步器7可以包括用于确定相对于狭槽式模具涂布头2的预图案化涂布层的高以及低表面区域的位置的传感器，可选地与基底运载部6 —起使用。例如，同步器7可以包括记录基底1上的标记的摄像头，上述标记是指示低表面能量区域41与高表面能量区域4h的位置的。可替代地或另外地，上述摄像头可以直接地记录低表面能量区域41与高表面能量区域4h，例如通过颜色或反射率的差异。替代或除了摄像头的，上述同步器也可以包括与基底接触的机械传感器。例如，上述基底可以包括标记槽，例如在上述基底的一侧，上述槽与上述同步器的嵌齿轮相吻合。上述嵌齿轮可以与上述标记槽同步旋转，以建立上述基底的相对位置。这样的嵌齿轮也可以被集成到其它部件中，例如基底运载部。由此应当理解的是，上述同步器可以包括任何用于确定低表面能量区域41与高表面能量区域4h相对于狭槽式模具涂布头2的流出开口 2a的位置的装置。使用来自同步器7的反馈，控制器5可以调整到基底表面Is上的涂布流体3f的间歇性传输，以与流出开口 2a在低表面能量区域41和高表面能量区域4h之间的边界上方的经过相吻合。替代或除了同步器7，存储器可以存储预图案化涂布层的高以及低表面区域的预先确定的位置。
[0045]图2A和图2B示出了用于在两个方向X和Y上提供构图的实施例。图2A示出了该实施例的上述设备10和基底1的立体图，图2B示出了基底1的预图案化层4的俯视图。使用该实施例，例如矩形涂布区域3c可以在X和Y方向上被未涂布区域3u划分形成。
[0046]如示出的，预图案化层4除了具有沿狭缝方向Y的边界4hl、41h的低表面能量区域41之外还包括具有与高表面能量区域4h的沿着涂布方向X的平行边界4s的低表面能量区域41。一个或多个垫片2s，即阻止物被在特定的位置布置在流出开口 2a中。垫片2s将流出开口 2a分隔为多个狭缝2as。使用时，一个或多个垫片2s与边界4s对准以阻止涂布流体3f从狭槽式模具涂布头2到基底表面Is上的上述具有与高表面能量区域4h的沿着涂布方向X的平行边界4s的低表面能量区域41处的传输。有利地，使用预图案化层4，对于沿涂布方向X的边缘的更好的控制也可以实现。例如，图案化涂布层3的均匀性和/或定位精度可以被改善。
[0047]图3至图6示出了用于将间歇性传输T与经过高表面能量区域4h和低表面能量区域41之间的边界4hl或41h同步化的实施例。以特定的时间序列被示出用以来回地开关的，其中狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的传输被禁用(T = 0)的状态，以及其中传输被启用的状态(T = 1)。
[0048]在这些实施例中，间歇性传输T的同步包含设置沿涂布方向X的第一偏置Xhl和/或第二偏置)(lh。第一偏置Xhl指流出开口 2a在基底表面Is上方的传输被中断(T =1 — 0)的位置与从高表面能量区域4h到低表面能量区域41的边界4hl之间的距离。第二偏置Xlh指流出开口 2a在基底表面Is上方的传输被恢复(T = 0 — 1)的位置与从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h之间的距离。第一偏置Xhl和/或第二偏置Xlh可以是正的或负的，即在各自的边界4hl和41h之前或是之后。
[0049]需要理解的是，上述偏置Xhl和Xlh可以被定义为控制器提供信号以中断或恢复涂布流体的传输(例如打开/关闭阀门或增加/减少上述涂布头与基底表面之间的距离)时与相应的边界4hl、41h相距的特定的距离或时间。
[0050]在一个实施例中，如图3所示，上述传输在流出开口 2a刚刚经过从高表面能量区域4h到低表面能量区域41的边界4hl之后被设置为被中断(T = 1 — 0)。在另一个实施例中，如图5所示，上述传输在流出开口 2a即将经过从高表面能量区域4h到低表面能量区域41的边界4hl之前被设置为被中断(T = 1 — 0)。在一个实施例中，如图4所示，上述传输在流出开口 2a刚刚经过从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h之后被设置为被恢复(T = 0 — 1)。在另一个实施例中，如图6所示，上述传输在流出开口 2a即将经过从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h之前被设置为被恢复(T =
0 — 1) ο
[0051]图3Α到3C示出了一个实施例，其中狭槽式模具涂布头2在从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h上方以涂布方向X移动。在此实施例中，涂布流体3f有粘附在狭槽式模具涂布头2而不是基底表面Is上的趋势。这可以被例如通过比如流动速率、涂布头的喷嘴尺寸、涂布头与基底之间的距离、涂布头与基底之间的相对速度、层厚度、例如粘度的涂布流体的特性、基底上也在涂布头上的涂布流体的表面能量差异的程度的涂布参数所导致。这种涂布参数典型的值为:涂布头与基底之间的距离为25-500微米；涂布流体的粘度为1-100毫帕.秒；喷嘴的横截面直径为25-250微米；涂布头与基底之间的相对速度为3-30米/分钟；湿涂布层厚度为5-30微米。涂布参数可以例如实验和/或通过模型计算被确定。
[0052]最初，如图3A所示，当狭槽式模具涂布头2接近边界4hl时，狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的传输被启用(T = 1)。这导致涂布区域3c在高表面能量区域4h的顶部之上。
[0053]之后，如图3B所示，上述传输在流出开口 2a到达越过边界4hl的偏置Xhl的点被中断(T = 1 — 0)。在该实施例中，传输通过增加狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的距离Z被中断。有利地，因为涂布流体3f对低表面能量区域41具有低粘附性且对高表面能量区域4h具有高粘附性，发现涂布流体3f拖在狭槽式模具涂布头2后面的痕迹具有更高的机会准确地在这些区域4h与41之间的边界4hl引发破裂(由箭头2i指示)。在任何情况下，即使破裂在边界4hl之前或之后发生，区域4h与41之间的表面能量差异的驱动力可以促使涂布区域3c扩展或收缩至边界4hl。
[0054]最终，如图3C所示，当狭槽式模具涂布头2在低表面能量区域41上方移动时传输被禁用(T = 0)。由于涂布流体3f中的内聚力和/或与狭槽式模具涂布头2的粘附力，过量的涂布流体液滴3fd可以在临近流出开口 2a的狭槽式模具涂布头2的尖端被形成。
[0055]图4A至4C示出了一个实施例，其中狭槽式模具涂布头2在从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h上方以涂布方向X移动。
[0056]最初，如图4A所示，当狭槽式模具涂布头2接近边界41h时，狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的传输被禁用(T = 0)。这导致未涂布区域3u在低表面能量区域41的顶部之上。过量的涂布流体液滴3fd是被例如在图3A至图3C说明的序列中从狭槽式模具涂布头2临近流出开口 2a挂下形成的。
[0057]之后，如图4B所示，上述传输在流出开口 2a到达越过边界41h的偏置Xlh的点被恢复(T = 0 — 1)。在该实施例中，传输通过减少狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的距离Z被恢复。
[0058]最终，如图4C所示，当狭槽式模具涂布头2在高表面能量区域4h上方移动时传输被启用(T = 1)。如示出的，过量的涂布流体液滴3fd可能导致在狭槽式模具涂布头2首先接触基底表面Is的偏置)(lh处，在涂布层边缘的初始的不均匀性。有利地，这种不均匀性趋于通过涂布流体3f朝向边界41h如箭头3r指示的随后的重新排布被缓解。
[0059]图5A至5C示出了一个实施例，其中狭槽式模具涂布头2在从低表面能量区域41到高表面能量区域4h的边界41h上方以涂布方向X移动。与图3A至图3V示出的实施例相反的，在本实施例中，涂布流体3f具有粘附到基底表面Is上而不是狭槽式模具涂布头2上的趋势。
[0060]最初，如图5A所示，当狭槽式模具涂布头2接近边界4hl时，狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的传输被启用(T = 1)。这导致涂布区域3c在高表面能量区域4h的顶部之上。
[0061]之后，如图5B所示，上述传输在流出开口 2a到达越过边界4hl的偏置Xhl的点被中断(T = 1 — 0)。在该实施例中，传输通过增加狭槽式模具涂布头2与基底表面Is之间的距离Z被中断。在该实施例中