钕铁硼的热喷涂涂层及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及钕铁硼的高分子涂层，特别涉及钕铁硼的热喷涂涂层及其制备方法。
【背景技术】
[0002]稀土永磁材料极易氧化，因此在钕铁硼磁体的生产中需要对产品进行电镀加工。通常是在钕铁硼磁钢的表面电镀镍、锌、金、铬等耐腐蚀的金属镀层，然而，采用电镀工艺在钕铁硼磁体的表面电镀金属镀层，金属镀层与钕铁硼磁体的附着力较差，容易脱落。而且，由于电镀具有很大的环境破坏性，电镀工艺的替代研究一直是钕铁硼研究领域的难点。替代工艺中包括磁控溅射、真空蒸发镀膜。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种钕铁硼的热喷涂涂层及其制备方法，使得钕铁硼磁体具有更好的抗化学性和耐腐蚀等性能，同时更为环保。
[0004]为了达成上述目的，本发明的解决方案是:
钕铁硼的热喷涂涂层，是通过等离子热喷涂的方式在钕铁硼表面形成的涂层，涂层的成分为EMAA树脂。
[0005]钕铁硼的热喷涂涂层的制备方法步骤包括:
步骤(I )，对钕铁硼磁体基体进行酸洗和超声波清洗除去表面氧化物，为热喷涂涂层与基体更好的结合奠定基础；
步骤(2)，将EMAA树脂加入热喷涂设备，调节热喷涂的参数，树脂粉末通过等离子焰流均匀地喷涂在钕铁硼磁体上，电流为400-590A，电压40-60V，制得涂层。并在400°C烘烤的作用下固化，使涂层与基体牢固结合。所得涂层厚度50-130μηι。
[0006]采用上述方案后，本发明提供的稀土金属合金的新型高分子涂层，与原有电镀工艺相比，ΕΜΑΑ树脂涂层与钕铁硼基体结合牢固，可以使得钕铁硼磁体具有更好的抗化学性，提高钕铁硼磁体的耐腐蚀性能，同时更为环保、低价。
【具体实施方式】
[0007]本发明揭示的钕铁硼的热喷涂涂层，是通过等离子热喷涂的方式在钕铁硼表面形成的涂层，涂层的成分为EMAA树脂。
[0008]具体生产步骤包括:先对钕铁硼磁体基体进行酸洗和超声波清洗除去表面氧化物，为热喷涂涂层与基体更好的结合奠定基础;再将EMAA树脂加入热喷涂设备，调节热喷涂的参数，树脂粉末通过等离子焰流均匀地喷涂在钕铁硼磁体上，电流为400-590Α，电压40-60V，并在400°C烘烤的作用下固化，使涂层与基体牢固结合，涂层厚度50-130μπι。
[0009]EMAA树脂是是美国杜邦利用独特的生产工艺聚合而成，是乙烯-(甲基)丙烯酸锌盐、钠盐、锂盐等离子键聚合体，具有出色的抗磨损、刮擦性能、出色的抗化学药品性能，可以直接热贴合在金属、玻璃、天然纤维表面作修饰保护，通过在钕铁硼磁体上喷涂EMAA树脂达到使磁体具有耐磨耐腐蚀的性能。
[0010]钕铁硼磁体的耐腐蚀能力强弱与最终镀层与基体的结合力密切相关。一旦结合力不强。镀层表面稍微收到外部冲击后，其表面镀层会出现鼓包、脱落等现象，显著降低镀层的防护作用。本发明用强力胶将金属镀层样品固定于万能拉伸试验机上测试镀层结合力。在涂层与钕铁硼基体的附着力测试中，镀镍、镀锌和热喷涂树脂所得到的涂层的附着力分别为15MP、18MP、2 3MP，热喷涂EMAA树脂涂层附着力显著高于另两种。
[0011]进行中性盐雾实验测试热喷涂涂层的耐腐蚀性能。盐雾实验300h，样品表面无起泡、生锈等明显破坏现象。
[0012]电镀后排除的废水会造成水污染，热喷涂树脂是将树脂直接喷涂到钕铁硼磁体表面，然后经高温烘烤。喷涂后不产生废料，不存在环境污染。
【主权项】
1.钕铁硼的热喷涂涂层，其特征在于:是通过等离子热喷涂的方式在钕铁硼表面形成的涂层，涂层的成分为EMAA树脂。2.钕铁硼的热喷涂涂层的制备方法，其特征在于包括以下步骤: 步骤(I)，对钕铁硼磁体基体进行酸洗和超声波清洗除去表面氧化物； 步骤(2)，将EMAA树脂加入热喷涂设备，调节热喷涂的参数，树脂粉末通过等离子焰流均匀地喷涂在钕铁硼磁体上，电流为400-590A，电压40-60V，制得涂层。3.如权利要求2所述的钕铁硼的热喷涂涂层的制备方法，其特征在于步骤(2)，增加高温烘烤固化，温度为400°C。4.如权利要求2所述的钕铁硼的热喷涂涂层的制备方法，其特征在于步骤(2)，制得涂层厚度 50-130μηι。
【专利摘要】本发明公开了一种钕铁硼的热喷涂涂层，是通过等离子热喷涂的方式在钕铁硼表面形成的涂层，涂层的成分为EMAA树脂。制备方法步骤包括：对钕铁硼磁体基体进行酸洗和超声波清洗除去表面氧化物；将EMAA树脂加入热喷涂设备，调节热喷涂的参数，树脂粉末通过等离子焰流均匀地喷涂在钕铁硼磁体上，电流为400-590A，电压40-60V，400℃烘烤固化，涂层厚度50-130μm。本发明与原有电镀工艺相比，EMAA树脂涂层与钕铁硼基体结合牢固，可以使得钕铁硼磁体具有更好的抗化学性，提高钕铁硼磁体的耐腐蚀性能，同时更为环保、低价。
【IPC分类】B05D1/00
【公开号】CN105537075
【申请号】CN201510969908
【发明人】解伟, 肖震, 韩珩, 钟炳文
【申请人】龙岩紫荆创新研究院
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月22日