一种碳化硅颗粒分级装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及碳化硅粉体材料分级技术领域，具体涉及一种碳化硅颗粒分级装置。
【背景技术】
[0002]多年来，球磨技术工艺在碳化硅行业的使用非常普遍，但因为球磨技术必须使用外来磨料等本身固有的缺点，经球磨后的产品不可避免的带有较多的杂质;再加上碳化硅本身是硬度也很高，在采用球磨技术细微化时，更容易将研磨腔内壁和研磨球表面的脱落物带人产品中。与传统的球磨技术工艺不同，利用高速运动中的颗粒相互碰撞的超音速气流对撞式破碎技术可以实现颗粒物的低污染细微化，因此，使用气流粉碎技术代替球磨技术已经成为碳化硅行业的趋势。
[0003]我国工业上使用的气流粉碎机以扁平式气流磨、流化床对喷式气流磨和循环管式气流磨为主，上述气流粉碎设备所附带的碳化硅颗粒分级装置都难以实现对微米级和亚微米级颗粒的精密分级，无法满足高端磨料和精细陶瓷对碳化硅颗粒尺寸的要求。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，本实用新型提供一种碳化硅颗粒分级装置，利用固体颗粒物高速通过电场时的路径偏移现象，使不同粒径的碳化硅颗粒在气流中分层集中；当分层气流经过分流辅助模块时被分成包含不同粒径碳化硅颗粒的两股气流，并分别进入二次分级通道中进行再次分级，最终得到符合粒径尺寸要求的碳化娃颗粒。
[0005]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种碳化硅颗粒分级装置，包括壳体、位于壳体内的气流通道、偏移电极和分流辅助模块;所述气流通道包括进气通道、一次分级通道、二次分级通道和出气道;所述一次分级通道的前端连接进气通道的后端，所述一次分级通道的后端分别与二次分级通道的前端连接;所述二次分级通道的后端分别与出气道连接;所述偏移电极分别位于一次分级通道和二次分级通道的两侧;所述分流辅助模块位于一次分级通道与二次分级通道连接处，所述分流辅助模块分别位于二次分级通道与出气道连接处。
[0006]作为本实用新型进一步改进的，所述进气通道的进气口尺寸为进气通道与一次分级通道连接处尺寸的0.2?0.6倍。
[0007]作为本实用新型进一步改进的，所述偏移电极包括圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的截面尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。
[0008]作为本实用新型进一步改进的，所述分流辅助模块包括本体、位于本体分流刃和位于本体后部的安装孔。
[0009]作为本实用新型进一步改进的，所述分流刃为半圆形结构，尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。
[0010]作为本实用新型进一步改进的，所述分流辅助模块为碳化硅材质。
[0011 ]由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0012]本实用新型方案的碳化硅颗粒分级装置，利用固体颗粒物高速通过电场时的路径偏移现象，使不同粒径的碳化硅颗粒集中在气流的不同部位中；当包含碳化硅颗粒的分层气流经过分流辅助模块时被分成包含不同碳化硅颗粒的两股气流，并分别进入二次分级通道中进行再次分级以得到符合粒径尺寸要求的碳化硅颗粒。
【附图说明】
[0013]下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明:
[0014]附图1为本实用新型的碳化硅颗粒分级装置的剖切结构示意图；
[0015]附图2为本实用新型的碳化硅颗粒分级装置的分流辅助模块结构示意图；
[0016]附图3为本实用新型的碳化硅颗粒分级装置的偏移电极结构示意图。
[0017]图中:1、壳体;2、进气通道;3、一次分级通道;4、偏移电极;41、圆柱形凹槽;5、分流辅助模块;51、安装孔;52、分流刃;6、二次分级通道;7、出气道。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
[0019]如附图1至附图3所示的本实用新型所述的一种碳化硅颗粒分级装置，包括壳体1、位于壳体内的气流通道、偏移电极4和分流辅助模块5。含有碳化硅颗粒的气流进入气流通道后，在偏移电极4和分流辅助模块5的作用下经两次分级后可以产出4种不同粒径范围的碳化硅颗粒。对气流速度和偏移电极4之间的电压进行控制、组合后，可以将微米级和压微米级的碳化硅颗粒分离出来，以满足高端磨料和精细陶瓷生产对碳化硅颗粒粒径的要求。
[0020]为实现上述目的，气流通道包括进气通道2、一次分级通道3、二次分级通道6和4条出气道7;—次分级通道3的前端连接进气通道2的后端，一次分级通道3的后端分别与二次分级通道6的前端连接;二次分级通道6的后端分别与出气道7连接;偏移电极4分别位于一次分级通道3和二次分级通道6的两侧;在一次分级通道3与二次分级通道6的连接处和二次分级通道6与出气道7连接处各设有I块分流辅助模块5。
[0021]由于分流辅助模块5在使用过程中容易受到气流及气流中颗粒物的冲击和摩擦，采用普通材料会给碳化硅颗粒中带入杂质；因此，分流辅助模块5整体采用碳化硅材质和一次成型工艺制作加工，且分流刃52的刃口处的最大半径为0.1mm;分流刃52整体呈内凹的半圆形结构，尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。分流辅助模块5通过安装孔51使用螺栓固定在壳体内，当分流刃52受损后，拆下螺栓即可将原分流辅助模块5取下进行更换，操作方便。
[0022]包含碳化硅颗粒的气流在气流通道中有一个从紊流状态到层流状态的改变过程，将进气通道2的进气口尺寸设为进气通道2与一次分级通道6连接处尺寸的0.2?0.6倍，使高速气流在进气通道2内进行适度减速和调整，为第一次颗粒分级做准备。
[0023]由于气流通道的所有部分均为圆形截面，因此，偏移电极4的结构包括圆柱形凹槽，并且圆柱形凹槽的截面尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。
[0024]以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之o fr J
【主权项】
1.一种碳化硅颗粒分级装置，包括壳体，其特征在于:还包括偏移电极、分流辅助模块和位于壳体内的气流通道;所述气流通道包括进气通道、一次分级通道、二次分级通道和出气道;所述一次分级通道的前端连接进气通道的后端，所述一次分级通道的后端分别与二次分级通道的前端连接;所述二次分级通道的后端分别与出气道连接;所述偏移电极分别位于一次分级通道和二次分级通道的两侧;所述分流辅助模块位于一次分级通道与二次分级通道连接处，所述分流辅助模块分别位于二次分级通道与出气道连接处。2.根据权利要求1所述的碳化硅颗粒分级装置，其特征在于:所述进气通道的进气口尺寸为进气通道与一次分级通道连接处尺寸的0.2?0.6倍。3.根据权利要求1所述的碳化硅颗粒分级装置，其特征在于:所述偏移电极包括圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的截面尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。4.根据权利要求1所述的碳化硅颗粒分级装置，其特征在于:所述分流辅助模块包括本体、位于本体分流刃和位于本体后部的安装孔。5.根据权利要求4所述的碳化硅颗粒分级装置，其特征在于:所述分流刃为半圆形结构，尺寸与分流通道的截面尺寸匹配。6.根据权利要求1或4所述的碳化硅颗粒分级装置，其特征在于:所述分流辅助模块为碳化娃材质。
【专利摘要】本实用新型涉及一种碳化硅颗粒分级装置，包括壳体、位于壳体内的气流通道、偏移电极和分流辅助模块。本分级装置利用固体颗粒物高速通过电场时的路径偏移现象，使不同粒径的碳化硅颗粒在气流中分层集中；当包含碳化硅颗粒的分层气流经过分流辅助模块时被分成包含不同粒径碳化硅颗粒的两股气流，并分别进入二次分级通道中进行再次分级；上述装置可以将微米级和压微米级的碳化硅颗粒分离出来，以满足高端磨料和精细陶瓷生产对碳化硅颗粒粒径的要求。
【IPC分类】B03C7/02
【公开号】CN205361670
【申请号】CN201521135678
【发明人】黄威, 黄金桂, 刘峰
【申请人】连云港东渡碳化硅有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年12月31日