1.一种MEMS器件的制备方法,包括:
步骤S1:提供底部晶圆,在所述底部晶圆的正面形成有凹槽;
步骤S2:反转所述底部晶圆并图案化所述底部晶圆,以在所述底部晶圆的背面形成连通所述凹槽的导流孔;
步骤S3:再次反转所述底部晶圆并和顶部晶圆相接合;
步骤S4:将所述顶部晶圆研磨打薄,以减小所述顶部晶圆的厚度;
步骤S5:执行高温工艺步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还进一步包括:
步骤S6:反转所述步骤S5中得到的器件;
步骤S7:执行背面工艺,以在所述底部晶圆上形成开口,露出所述凹槽。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2中,所述导流孔位于所述凹槽顶部的中心位置。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2中,所述导流孔的尺寸为15-25um。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2中,所述导流孔的深度为250-350um。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述凹槽的开口尺寸为35-50um,深度为90-110um。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述底部晶圆的厚度为380-460um。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S3中,所述顶部晶圆选用硅。
9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
10.一种电子装置,包括权利要求9所述的MEMS器件。