以将多个金属块508紧挨着管芯104安装(设置)在辅助载体702上。随后，可以用第一密封材料102将管芯104和金属块508密封(覆盖)。可以去除辅助载体702，从而提供重配置晶片100a，其包括第一密封材料102、管芯104以及被至少部分地嵌入第一密封材料102中的金属块508。根据各种实施例，在第一处理阶段900a处，可以产生包括硅管芯104和嵌入的焊料焊盘508的重配置晶片100a (也称为引线框架晶片)。
[0070]在进一步处理阶段900b处，可以在重配置晶片100a上形成再分布108 (换言之再分布层结构108)。再分布108可以将管芯104电连接到嵌入焊料焊盘508。再分布108可以包括接触管芯104的第一接触焊盘结构104c中的每一个的第一再分布层108a，并且再分布108可以包括用于接触和/或安装再分布108上的进一步电子器件或机电器件的第二再分布层108b (参见图11)。说明性地，再分布108可以在顶部上包括焊盘，例如用于多芯片组件。
[0071]在进一步处理阶段900c处，可以将重配置晶片100a进行研磨(薄化至最终厚度)以在重配置晶片100a的背侧处使嵌入的金属块508暴露。可以通过研磨在薄化重配置晶片100a的背侧处将金属块508部分地去除或至少部分地暴露。说明性地，可以将重配置晶片100a的第一密封材料102部分地去除以使嵌入的焊料焊盘508暴露。
[0072]根据各种实施例，可以将重配置晶片100a例如管芯104、第一密封材料102和/或金属块508薄化至小于约100 μm的厚度。进一步，可以由引线框架来提供金属块508。重配置晶片100a可以是引线框架晶片或引线框架封装(参见图12A至12C)。
[0073]在进一步处理阶段900d处，可以例如借助于焊料膏印刷和/或回流焊接来执行焊料面层。如图9中图示的，重配置晶片100a可以在重配置晶片100a的背侧处暴露的金属块508处包括焊料908。根据各种实施例，可以将电子电路104 (例如管芯104或芯片104)在其背侧104b处电和/或热隔离。换言之，可以用第一密封材料102来覆盖包括在重配置晶片100a中的管芯104的背侧104b，如例如图9中图示的。
[0074]替换地，如图10中图示的，一个或多个管芯104 (例如至少一个电子电路104)可以包括预先施加的焊料背侧904。换言之，在将至少一个管芯104嵌入到第一密封材料102中之前或在将至少一个管芯104安装在辅助载体702上之前，可以用焊料904覆盖或用焊料904至少部分地覆盖至少一个管芯104的背侧104b。
[0075]进一步，在研磨重配置晶片100a期间，如之前已描述的，例如在进一步处理阶段900c处，可以在薄化重配置晶片100a的背侧处使金属块508和焊料904 (换言之预先施加的焊料背侧904)暴露。说明性地，可以将第一密封材料102部分地去除以至少部分地使金属块508和焊料904暴露。这可以允许与至少一个管芯104的背侧104b进行电和/或热接触。根据各种实施例，可以从背面研磨模具化合物102以使芯片焊料背侧904和嵌入的焊料焊盘508暴露。
[0076]图11在从横向方向看的示意性横截面图1100中和从垂直方向(垂直于横向方向)看的再分布层结构108的两个示意性顶视图1100b、1100t或横截面1100b、1100t中图示根据各种实施例的晶片级封装100a、重配置晶片100或封装布置100的再分布层结构108，如本文所述。如已描述的，再分布层结构108可以包括第一再分布层108a和在第一再分布层108a之上的第二再分布层108b。如图11中图示的，在顶视图1100b中，第一再分布层108a可以包括在电介质材料1008d内延伸的多个金属线(布线结构)1008m和多个过孔1008v。第一再分布层108a可以用于对至少一个电子电路104的第一接触焊盘结构104c进行重新布线。
[0077]如进一步在图11中图示的，在顶视图llOOt中，第二再分布层108b可以包括在电介质材料1008d内延伸的多个金属线(布线结构)1008m和多个过孔1008v。第二再分布层108a可以用于第一再分布层108a与要施加于第二再分布层108b之上的进一步电子器件或机电器件106之间的重新布线。根据各种实施例，第二再分布层108b可以进一步包括用于电磁屏蔽的金属层1018m。换言之，第二再分布层108b可以包括屏蔽结构1018m以针对至少一个电子电路104提供电磁屏蔽。进一步，用于电磁屏蔽的金属层1018m可以在再分布层结构108的超过一半的面积之上延伸。
[0078]第一再分布层108a可以包括精细图案化，例如具有比第二再分布层108b更小的线/空间。参考体积，第一再分布层108a可以包括比第二再分布层108b更少的金属，因为第二再分布层108b可以包括用于电磁屏蔽的金属层1018m。该金属层可以被接地。根据各种实施例，用于电磁屏蔽的金属层1018m可以不被电连接到至少一个电子电路104的第一接触焊盘104c，并且可以不被电连接到至少一个机电器件106的第二接触焊盘106c (参见图7和图8)。根据各种实施例，可以将用于电磁屏蔽的金属层1018m与再分布层结构108的布线结构电分离以用于重新布线。进一步，金属层1018可以包括一个或多个金属和/或一个或多个金属合金。
[0079]根据各种实施例，设置在再分布层结构108之上的部件(例如至少一个机电器件106)可能不需要电磁屏蔽，其中，设置在再分布层结构108下面的部件(例如至少一个电子电路104)可能需要电磁屏蔽。可以针对需要电磁屏蔽的部件(例如至少一个电子电路104)的布线来配置第一再分布层108a。可以针对到可能不需要电磁屏蔽的部件(例如到至少一个机电器件106)的布线来配置第二再分布层108b，其中，第二再分布层108b可以包括用于可能不需要电磁屏蔽的那些部件的焊盘1008p。进一步，第二再分布层108b可以包括大的RDK区域1018m，其可以充当用于可能需要电磁屏蔽的底层部件的电磁屏蔽。
[0080]图12A至12C分别地在顶视图和横截面视图中示出了各种处理阶段处的金属嵌入和单一化的各种方法以及载体100a (例如，也被称为重配置晶片或晶片级封装)。
[0081]图12A图示如已描述的载体100a，其中，载体100是通过单个金属部分508的嵌入提供的，例如通过嵌入在嵌入之前被单一化的引线框架件，其分别地充当用于一个封装1000的焊料焊盘。在将芯片104和单个金属部分508嵌入第一密封材料102中之前，可以例如在辅助载体702上以x-y图案1012来布置芯片104 (例如，电子电路104)和单个金属部分508 (例如，金属块508)。根据各种实施例，x-y图案可以定义或可以提供单一化锯道1012k以用于将载体100a单一化成单独的封装1000。
[0082]可以将载体100a (例如，如前描述的重配置晶片)单一化成多个封装1000 (或如前描述的类似地成多个封装布置100)。换言之，载体100a可以包括多个电子电路104和可选地多个机电器件106以及在第一处理阶段1012a处被至少部分地嵌入到第一密封材料102中的多个金属块508。
[0083]在处理阶段1012a处，可以在载体100a的前侧处使金属块508暴露。进一步，如在进一步处理阶段1012b处图示的，可以从载体100a的背侧将载体100a研磨至期望厚度。进一步，如在进一步处理阶段1012c处图示的，可以将载体100a例如沿着单一化锯道1012k单一化成多个封装1000。
[0084]替换地，如例如在图12B中图示的，可以将金属引线框架或引线框架部分嵌入到第一密封材料102中，其中，金属引线框架或引线框架部分在嵌入之后(例如在封装单一化期间)被单一化，并充当用于不同封装1000的焊料焊盘508。
[0085]根据各种实施例，可以通过金属引线框架或引线框架部分的嵌入来提供载体100a，其中，金属引线框架或引线框架部分可以包括在嵌入之前被相互连接的两个或多于两个金属块508。在将芯片104和至少部分连接的金属块508嵌入第一密封材料102中之前，可以例如在辅助载体702上以x-y图案1012来布置芯片104 (例如电子电路104)和至少部分连接的金属块508。根据各种实施例，x-y图案1012可以定义或可以提供单一化锯道以用于将载体100a单一化成单独的封装1000。
[0086]可以将载体100a (例如，如前描述的重配置晶片)单一化成多个封装1000 (或如前描述的类似地成多个封装布置100)。换言之，载体100a可以包括多个电子电路104和可选地多个机电器件106以及在第一处理阶段1012a处被至少部分地嵌入到第一密封材料102中的多个金属块508。
[0087]在处理阶段1012a处，可以在载体10a的前侧处使金属块508暴露。进一步，如在进一步处理阶段1012b处图示的，可以从载体10a的背侧将载体10a研磨至期望厚度。进一步，如在进一步处理阶段1012c处图示的，可以将载体10a例如沿着单一化锯道1012k单一化成多个封装1000。在单一化期间，可以将金属引线框架或引线框架部分单一化成被嵌入到各自封装1000的第一密封材料102中的单独金属块508。
[0088]替换地，如例如在图12C中图示的，可以将全局金属引线框架嵌入第一密封材料102中，其中，该全局金属引线框架在嵌入之后(例如在背侧研磨期间)被单一化，并且单一化的金属部分508可以充当用于不同封装1000的焊料焊盘。
[0089]根据各种实施例，可以通过嵌入全局金属引线框架来提供载体100a，其中，该全局金属引线框架可以包括在嵌入之前被相互连接的所有要求的金属块508。在将芯片104和连接的金属块508嵌入第一密封材料1012中之前，可以例如在辅助载体702上以χ-y图案1012来布置芯片104 (例如电子电路104)和连接的金属块508。根据各种实施例，χ-y图案1012可以定义或可以提供单一化锯道以用于将载体10a单一化成单独的封装1000。
[0090]可以将载体10a (例如，如前描述的重配置晶片)单一化成多个封装1000 (或如前描述的类似地成多个封装布置100)。换言之，载体10a可以包括多个电子电路104和可选地多个机电器件106以及在第一处理阶段1012a处被至少部分地嵌入到第一密封材料102中的多个金属块508。
[0091]在处理阶段102a处，可以在载体10a的前侧处使金属块508暴露。进一步，如在进一步处理阶段1012b处图示的，可以从载体10a的背侧将载体10a研磨至期望厚度。在研磨期间，可以将全局金属引线框架单一化成被嵌入载体10a的第一密封材料中的单独金属块508。进一步，如在进一步处理阶段1012c处图示的，可以将载体10a例如沿着单一化锯道1012k单一化成多个封装1000。
[0092]根据各种实施例，可以将封装1000称为晶片级封装(eWLP)或模块。可以将载体10a称为重配置晶片10a或晶片级封装(eWLP)。可以借助于切割例如锯割或化学切割将封装1000从载体10a单一化。
[0093]根据各种实施例，一种封装布置可以包括:第一密封材料102 ;至少一个电子电路104，被至少部分地嵌入第一密封材料102