半导体封装件的制法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装制程，特别是关于一种半导体封装件的制法，可以改善激光损坏导电层和残留物问题。
【背景技术】
[0002]随着半导体封装技术的演进,半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂开发出不同的立体封装技术，例如，扇出式封装堆迭(Fan Out Package on package,简称FO PoP)等，以配合各种晶片上大幅增加的输入/出埠数量，进而将不同功能的积体电路整合于单一封装结构，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如:记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，藉由堆迭设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型各种电子产品。
[0003]图1A至图1F为现有封装堆迭装置的其中一半导体封装件I的制法的剖面示意图。
[0004]如图1A所示，设置一如晶片的半导体元件10于一第一承载件11的离形层110上，再形成一封胶层13于该离形层110上以覆盖该半导体元件10。
[0005]如图1B所示，将具有铜箔120的第二承载件12设于该封胶层13上。
[0006]如图1C所示，移除该第一承载件11及其离形层110，以露出该半导体元件10与封月父层13。
[0007]如图1D所示，以激光方式形成多个开口 130于该半导体元件10周边的封胶层13上。
[0008]如图1E所示，填入导电材料于该些开口 130中，以形成导电柱14，再于该封胶层13上形成多个线路重布层(redistribut1n layer, RDL) 15,以令该线路重布层15电性连接该导电柱14与半导体元件10。
[0009]如图1F所示，移除该第二承载件12，再利用该铜箔120进行图案化线路制程，以形成线路结构16，之后再进行切单制程。
[0010]惟，现有半导体封装件I的制法中，是以激光方式形成多个开口 130，所以不仅容易损害该铜箔120而影响后续制作该线路结构16的良率，且于形成该开口 130的过程中所产生的残留物(如该封胶层13的残胶或剥落的铜材等)极易堆积于该开口 130的底部，以致于后续制程中需先清洗该开口 130内部，才能将导电材料填入该开口 130中。
[0011]此外，清洗该开口 130的作业不仅增加制作成本，且因该开口 130具有很高的深宽t匕，所以通常难以完全清除该开口 130中的残留物，导致残留物会影响该导电柱14电性传输的良率。
[0012]因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
【发明内容】
[0013]鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的目的为提供一种半导体封装件的制法，于制作该开口时，仅会损害间隔层，而不会损害第二承载件的构造。
[0014]本发明的半导体封装件包括:提供一设有至少一半导体元件的第一承载件，且该第一承载件具有接合该半导体元件的间隔层；形成一具有相对的第一表面及第二表面的封胶层于该第一承载件的间隔层上，使该封胶层包覆该半导体元件，且该第一表面接合该间隔层；形成至少一开口于该封胶层的第二表面上，且该开口连通该第一及第二表面；形成第二承载件于该封胶层的第二表面上；以及移除该第一承载件及该间隔层，以外露出该半导体元件、该封胶层的第一表面与开口。
[0015]前述的半导体封装件的制法中，该封胶层以模压制程或压合制程形成者，且该开口以激光方式形成者。
[0016]前述的半导体封装件的制法中，该第二承载件覆盖该开口，且该第二承载件藉由导电层结合于该封胶层的第二表面上。例如，先形成该导电层于该封胶层的第二表面上，再形成该第二承载件于该导电层上；或者，先形成该导电层于该第二承载件上，再将该第二承载件以该导电层结合于该封胶层的第二表面上。又包括移除该第一承载件及该间隔层之后，移除该第二承载件，再利用该导电层形成一线路结构。
[0017]另外，前述的半导体封装件及其制法中，还包括移除该第一承载件之后，形成导电材于该开口中，且形成线路结构于该封胶层的第一表面上，使该线路结构电性连接该导电材与该半导体元件。例如，该线路结构包含至少一线路重布层，且形成该导电材的材质至少包含铜、铝、钛或其至少二者的组合。又包括形成该线路结构之后，移除该第二承载件。
[0018]由上可知，本发明的半导体封装件的制法中，藉由先形成该开口，再形成该第二承载件，之后移除该第一承载件及其间隔层，所以于制作该开口时，仅会损害该第一承载件的间隔层，而不会损害该第二承载件的构造，且于移除该第一承载件及其间隔层时，于形成该开口的过程中所产生的残留物将自行掉落出该开口，因而不需进行清洗该开口的作业，以达到降低制作成本的目的。
【附图说明】
[0019]图1A至图1F为现有半导体封装件的制法的剖面示意图；以及
[0020]图2A至图2H为本发明半导体封装件的制法的剖视示意图；其中，图2C’为图2C的另一方式。
[0021]符号说明
[0022]I, 2 半导体封装件
[0023]10, 20半导体元件
[0024]11,21第一承载件
[0025]110 离形层
[0026]12，22第二承载件
[0027]120 铜箔
[0028]13，23 封胶层
[0029]130，230 开口
[0030]14,24 导电柱
[0031]15, 250线路重布层
[0032]16，25，26线路结构
[0033]210间隔层
[0034]220导电层
[0035]23a第一表面
[0036]23b第二表面
[0037]251导电元件。
【具体实施方式】
[0038]以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
[0039]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用于配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用于限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用于限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0040]图2A至图2G为本发明半导体封装件2的制法的剖视示意图。
[0041]如图2A所