1.一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）配制电解液：在水中依次加入氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠，所述的电解液配比为Li+：In3+：SO32-：S2O32-=100：（2.5-10）：（1-10）：（40-100），电解液的pH值介于2.5-3.75之间；
（2）步骤（1）配制好的电解液搅拌后，用恒电位沉积法在氧化铟锡（ITO）玻璃基底上制备预沉积薄膜，沉积电位控制在相对于饱和甘汞电极-0.9~-1.2 V之间，电沉积的温度控制在20-70 °C，电沉积时间控制在1-60min，电沉积过程中对电解液进行搅拌；
（3）将步骤（2）制备出的预沉积薄膜置于硫化反应剂和惰性气氛保护条件下，于200-600 °C下恒温退火。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的电解液配比为Li+：In3+：SO32-：S2O32-=100：10：5：40，溶液的pH值介于2.5-3.75之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的硫化反应剂为硫粉。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的惰性气氛为氮气和/或氩气气氛。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤（3）中在350-550 °C下恒温退火。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法制备得到的In2S3半导体薄膜，其特征在于，其晶体结构为纯四方相结构。