技术总结
本发明涉及一种纯相In2S3半导体薄膜的硫化辅助电沉积制备方法，电解液中含有摩尔比为100：（2.5‑10）：（1‑10）：（40‑100）的氯化锂、氯化铟、亚硫酸钠和硫代硫酸钠，电解液的pH值介于2.5‑3.75之间，电解液经搅拌后用电沉积法在氧化铟锡（ITO）玻璃基底上制备出了附着力良好的预沉积薄膜，然后将预沉积薄膜置于硫粉和惰性气氛保护条件下于200‑600°C下恒温，得到纯相高结晶性的In2S3半导体薄膜。本发明提供的方法在ITO玻璃基底上制备出纯相In2S3半导体薄膜，适合作为薄膜太阳能电池的缓冲层材料。
技术研发人员：王峰;刘萌;李志林;窦美玲;刘景军;吉静;宋夜
受保护的技术使用者：北京化工大学
文档号码：201611152892
技术研发日：2016.12.14
技术公布日：2017.05.17