一种制氢电路和富氢足浴盆的制作方法

本发明涉及养生保健领域，特别涉及一种制氢电路和富氢足浴盆。

背景技术：

现在随着人们生活品质的不断提高，对于健康养生的关注度也越来越高，人们越来越注重自身的健康，而目前的足浴盆只能提供简单的加热沐足功能，无法提供更好的健康服务，导致用户的体验不好。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本发明提出了一种制氢电路和富氢足浴盆，用以通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

具体的，本发明公开了以下具体的实施例：

本发明实施例提出了一种制氢电路，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；

所述第二电阻的另一端接地；

所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；

所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。

在一个具体的实施例中，所述开关具体为继电器。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。

在一个具体的实施例中，所述Mos管具体为：N型金氧半场效晶体管。

在一个具体的实施例中，所述第一二极管具体为锗二极管。

在一个具体的实施例中，所述第二二极管具体为硅二极管。

在一个具体的实施例中，还包括：加热控制电路；其中所述加热控制电路包括：第三电阻、第四电阻、第三二极管、第四二极管、第二Mos管、第二开关；其中，所述第三电阻的一端连接所述第二Mos管的G极和所述第四电阻的一端；

所述第四电阻的另一端接地；

所述第二Mos管的D极连接所述第三二极管的负极；所述第二Mos管的S极连接所述第三二极管的正极；所述第三二极管的正极与所述第二Mos管的S极接地；

所述第二Mos管的D极还连接所述第四二极管的正极以及所述第二开关的一端；所述第四二极管的负极连接所述第二开关的另一端。

在一个具体的实施例中，还包括:气泡控制电路；其中，所述气泡控制电路包括：第五电阻、第六电阻、第五二极管、第六二极管、第三Mos管、第三开关；其中，所述第五电阻的一端连接所述第三Mos管的G极和所述第六电阻的一端；

所述第六电阻的另一端接地；

所述第三Mos管的D极连接所述第五二极管的负极；所述第三Mos管的S极连接所述第五二极管的正极；所述第五二极管的正极与所述第三Mos管的S极接地；

所述第三Mos管的D极还连接所述第六二极管的正极以及所述第三开关的一端；所述第六二极管的负极连接所述第三开关的另一端。

本发明实施例还提出了一种富氢足浴盆，包括上述任意一项所述的制氢电路。

以此，本发明实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆，其中制氢电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提出的一种制氢电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提出的一种制氢电路的结构示意图；

图3为本发明实施例提出的一种制氢电路的结构示意图。

图例说明：

第一电阻-11、第二电阻-12、第一二极管-13、

第二二极管-14、Mos管-15、开关-16

加热控制电路-2、

第三电阻-21、第四电阻-22、第三二极管-23、

第四二极管-24、第二Mos管-25、第二开关-26

气泡控制电路-3、

第五电阻-31、第六电阻-32、第五二极管-33、

第六二极管-34、第三Mos管-35、第三开关-36

具体实施方式

在下文中，将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。

在下文中，可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本公开的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。

在本公开的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。

应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。

在本公开的各种实施例中使用的术语“用户”可指示使用电子装置的人或使用电子装置的装置(例如，人工智能电子装置)。

在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。

实施例1

本发明实施例提出了一种制氢电路，如图1所示，包括：第一电阻11、第二电阻12、第一二极管13、第二二极管14、Mos管15、开关16；其中，所述第一电阻11的一端连接所述Mos管15的G极和所述第二电阻12的一端；

所述第二电阻12的另一端接地；

所述Mos管15的D极连接所述第一二极管13的负极；所述Mos管15的S极连接所述第一二极管13的正极；所述第一二极管13的正极与所述Mos管的S极接地；

所述Mos管15的D极还连接所述第二二极管14的正极以及所述开关16的一端；所述第二二极管14的负极连接所述开关16的另一端。

在一个具体的实施例中，所述开关具体为继电器。

继电器(英文名称：relay)是一种电控制器件，是当输入量(激励量)的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统(又称输入回路)和被控制系统(又称输出回路)之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。

在一个具体的实施例中，，为了能对电路中的电流进行灵活的调整，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。以此，由于电阻值可调，可以实时灵活的对电路进行调整，以使得电路满足各种需要，提高适应性。

具体的电阻，也即电阻器(Resistor)，在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是由固定的两个引脚决定的，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。

电阻中电压与电流有确定函数关系，体现电能转化为其他形式能力的二端器件，用字母R来表示，单位为欧姆Ω。实际器件如灯泡，电热丝，电阻器等均可表示为电阻器元件。

电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。对信号来说，交流与直流信号都可以通过电阻。

在一个具体的实施例中，所述Mos管具体为：N型金氧半场效晶体管。

Mos(Metal Oxide Semiconductor)管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

场效应管的名字也来源于它的输入端(称为GATE)通过投影；一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。

而具体的，所述MOS管具体可以选用N型金氧半场效晶体管。

在一个具体的实施例中，所述第一二极管具体为锗二极管。

具体的，二极管，(英语：Diode)，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。

而具体的，现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。在此可以选用锗二极管。

而在一个具体的实施例中，所述第二二极管具体可以为硅二极管。

为了实现更好的制氢效果，如图2所示，在一个具体的实施例中该制氢电路还可以包括：加热控制电路2；其中所述加热控制电路2包括：第三电阻21、第四电阻22、第三二极管23、第四二极管24、第二Mos管25、第二开关26；其中，所述第三电阻的一端连接所述第二Mos管的G极和所述第四电阻的一端；

所述第四电阻的另一端接地；

所述第二Mos管的D极连接所述第三二极管的负极；所述第二Mos管的S极连接所述第三二极管的正极；所述第三二极管的正极与所述第二Mos管的S极接地；

所述第二Mos管的D极还连接所述第四二极管的正极以及所述第二开关的一端；所述第四二极管的负极连接所述第二开关的另一端。

为了实现更好的制氢效果，在一个具体的实施例中，如图3所示，该制氢电路还可以包括:气泡控制电路3；其中，所述气泡控制电路3包括：第五电阻31、第六电阻32、第五二极管33、第六二极管34、第三Mos管35、第三开关36；其中，所述第五电阻的一端连接所述第三Mos管的G极和所述第六电阻的一端；

所述第六电阻的另一端接地；

所述第三Mos管的D极连接所述第五二极管的负极；所述第三Mos管的S极连接所述第五二极管的正极；所述第五二极管的正极与所述第三Mos管的S极接地；

所述第三Mos管的D极还连接所述第六二极管的正极以及所述第三开关的一端；所述第六二极管的负极连接所述第三开关的另一端。

以此，本发明实施例公开了一种制氢电路，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

实施例2

本发明实施例还提出了一种富氢足浴盆，包括实施例1中所述的制氢电路。

具体的，富氢足浴盆中除了制氢电路以外，还可以根据各自的需要以及具体的使用场景以及产品定位，选取其他的配件，例如还可以选取发光二极管，电源，喷雾喷头，吸水装置，储水盒等等，以此满足各种不同的需要。

以此，本发明实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆，其中制氢电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。

本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。

上述本发明序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。

以上公开的仅为本发明的几个具体实施场景，但是，本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。