一种分子泵过滤装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于晶体生长技术领域，特别是涉及一种分子栗过滤装置。
【背景技术】
[0002]碳化硅单晶生长炉的气路系统包含三个栗，分别为分子栗、机械栗、控压栗，其中分子栗与炉腔直接相连。在单晶生长过程中，通过气路向炉腔内输送特气时，残留在炉腔内装置上及保温毡上的杂质，会不可避免的随气流进入炉体，然后被吸附进生长坩祸内，作为杂质离子降低晶体质量。这些杂质随着气流进入炉腔，与炉腔内残留的粉尘等物质形成污染源，引起晶体质量下降；高温下，腔体内的石墨毡会产生石墨纤维，这些纤维也可通过气路进入分子栗，引起分子栗在高速抽气时沾污在旋片上造成栗体污染。从而导致噪声大、缩短分子栗使用寿命。甚至堵塞气路，这些纤维也作为下次生长时的污染源。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种分子栗过滤装置，用来保护分子栗自身，也为了消除气路中的进入炉体中的杂质。
[0004]为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下:
[0005]—种分子栗过滤装置，该过滤装置设置在连接分子栗与炉体的气路上，包括:第一滤网和第二滤网，在所述第一滤网和所述第二滤网之间设置有供气流通过的迷宫通道，所述迷宫通道的底部为杂质容留区域。
[0006]进一步，所述第一滤网和所述第二滤网之间的距离为15mm。
[0007]进一步，所述迷宫通道为由不在同一平面的两个隔板将气流通道隔成“S”型。
[0008]在本实用新型中，挡板可以使进入管道的粉尘、颗粒及腔体中产生的石墨纤维等杂质沉积在过滤网内，同时过滤网也可以把杂质吸附在网上，保证分子栗不被污染，堵塞。采用本实用新型的分子栗过滤装置后，气流中携带的杂质及管道中的杂质绝大部分被拦截在炉腔外，保证了生长室内的洁净，减少了单晶生长中的引入杂质，提高了晶体质量，为企业带来效益。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型分子栗过滤装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图，详细说明本实用新型的【具体实施方式】。
[0011]如图1所示为本实用新型一种分子栗过滤装置的具体实施例，在本实施例中该过滤装置安装在连接分子栗与炉体的气路上，主要包括:第一滤网I和第二滤网2，第一滤网I和第二滤网2间隔15mm，在第一滤网I和第二滤网2之间设置有供气流通过的迷宫通道，迷宫通道的底部为杂质5的容留区域。在本实施例中的迷宫通道具体为由不在同一平面的两个隔板3、4将气流通道隔成“S”型。
[0012]单晶生长的基本步骤分为:抽真空、预温、升温、控压、停炉。抽真空过程中需要开启控压栗和机械栗，机械栗管道与分子栗管道相通，气体最后都是通过分子栗与炉腔相连的管道进入炉腔。机械栗为油栗，在使用过程中不可避免的会产生油分子等杂质，这些杂质随着气流进入炉腔，与炉腔内残留的粉尘等物质形成污染源，引起晶体质量下降。在气流进入炉腔前增加本实用新型的过滤装置，可以有效吸附管道内与炉腔内的杂质，降低杂质含量，进而提高晶体生长质量。
[0013]上述示例只是用于说明本实用新型，本实用新型的实施方式并不限于这些示例，本领域技术人员所做出的符合本实用新型思想的各种【具体实施方式】都在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种分子栗过滤装置，其特征在于，该过滤装置设置在连接分子栗与炉体的气路上，包括:第一滤网和第二滤网，在所述第一滤网和所述第二滤网之间设置有供气流通过的迷宫通道，所述迷宫通道的底部为杂质容留区域。2.如权利要求1所述的分子栗过滤装置，其特征在于，所述第一滤网和所述第二滤网之间的距离为15mm。3.如权利要求1所述的分子栗过滤装置，其特征在于，所述迷宫通道为由不在同一平面的两个隔板将气流通道隔成“S”型。
【专利摘要】本实用新型公开了一种分子泵过滤装置，该过滤装置设置在连接分子泵与炉体的气路上，包括：第一滤网和第二滤网，在所述第一滤网和所述第二滤网之间设置有供气流通过的迷宫通道，所述迷宫通道的底部为杂质容留区域。本实用新型可以有效吸附管道内与炉腔内的杂质，降低杂质含量，进而提高晶体生长质量。
【IPC分类】F04D29/70
【公开号】CN204985100
【申请号】CN201520506031
【发明人】韩金波, 靳丽婕, 张云伟
【申请人】北京世纪金光半导体有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月14日