技术特征：
技术总结
本发明涉及一种针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法，利用铝镍钴和钕铁硼永磁体叠加磁场的记忆特性，通过施加瞬时脉冲磁场改变永磁体磁化状态且其磁化水平能够被记忆住，从而使减振器阻尼间隙中的磁感应强度实现双向调节的技术。与现有方法相比具有以下优点：所述针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法，利用可记忆磁路结构中不同矫顽力与剩磁特性的永磁体组合产生磁场的记忆特性，仅通过施加瞬时脉冲磁场即可实现对磁场强度的改变和维持，无需外部持续供能，减少了电能损耗，且能够对阻尼间隙的磁场强度进行双向调节。
技术研发人员：骆光照;孙楚昕;赵尔鑫;刘卫国;窦满峰
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：2017.05.16
技术公布日：2017.09.08