专利名称：一种判别晶向为<111>抛光衬底片定位面有效性的方法
技术领域：
本发明涉及一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法。
背景技术：
晶向为〈111〉抛光衬底片是信息产业、半导体工业中最重要的主体功能材料，在半导体器件生产过程中，晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面是用来划分芯片的基准面，晶向为〈111〉抛光衬底片加工后的管芯的划片分割是按照预先硅片制备的定位面方向进行的，而定位面的制作的传统工艺流程是靠目测单晶主棱线，找出单晶的几条主棱，再依据晶向的不同来画出主定位面位置，一旦主棱判别出现偏差，将会导致单晶棒定位面的制作错误。错误的定位面，将会导致抛光衬底片的图形畸变和划管芯成品率降低。在此情况下，人们一直在寻找快速判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，现有的技术是采用接触式X射线定向仪来判别(GB/T13388《硅片参考面结晶学取向X射线测量方法》)。存在的问题是晶向为〈I11>抛光衬底片的加工都是在100级净化厂房里进行，如果采用X射线定向仪进行测量，则晶向为〈111〉抛光衬底片要直接接触X射线仪，造成晶向为〈111〉抛光衬底片表面沾污。
发明内容
本发明的目的是提供既快速简便，又能防止表面沾污的一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法。本发明采取的技术方案是一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于先取一片晶向为〈111〉抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀I 3分钟，然后将腐蚀后的晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按顺时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面正确；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按逆时针方向相差90°时,则可判定该抛光衬底片的主定位面错误。所述的一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于Sirtl腐蚀液的配比为先将CrO3与H2O按重量比1: 2配成标准溶液，然后将标准溶液与质量百分比浓度为40%的氢氟酸，按1: 2的摩尔体积比混合即可。采用本发明，可以快速简便的判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性，又能防止晶向为〈111〉抛光衬底片的表面沾污。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。一、先将CrO3与H2O按重量比1: 2配成标准溶液，然后将标准溶液与质量百分比浓度为40%的氢氟酸，按1: 2的摩尔体积比混合即可制得Sirtl腐蚀液； 二、取一片晶向为〈111〉抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀I 3分钟；
三、将腐蚀后的晶向为〈111〉抛光衬底片定位面(平边)朝人的方向放在金相显微镜载物台定好位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；
四、判定当观察到黑色的三角形的顶角朝左时(即顶角与定位面的定位角度按顺时针方向相差90°，即与人的位置按顺时针方向相差90° )，则可判定该抛光衬底片的主定位面正确；当观察到黑色的三角形顶角朝右时(顶角与定位面的定位角度按逆时针方向相差90°，即与人的位置按逆时针方向相差90° )，则可判定该抛光衬底片的主定位面错误。
权利要求
1.一种判别晶向为〈111〉抛光衬底片定位面有效性的方法，其特征在于先取一片晶向为〈111〉抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀I 3分钟，然后将腐蚀后的晶向为〈111〉抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按顺时针方向相差90° 时，则可判定该抛光衬底片的主定位面正确；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按逆时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面错误。
全文摘要
本发明涉及一种判别晶向为<111>抛光衬底片定位面有效性的方法，该方法是先取一片晶向为<111>抛光衬底片，用Sirtl腐蚀液腐蚀1～3分钟，然后将腐蚀后的晶向为<111>抛光衬底片的定位面在平面上任意角度定位，通过金相显微镜观察，会看到有黑色的等边三角形的缺陷腐蚀坑；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按顺时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面正确；当黑色的等边三角形顶角与定位面的任意角度按逆时针方向相差90°时，则可判定该抛光衬底片的主定位面错误。采用本发明，可以快速简便的判别晶向为<111>抛光衬底片定位面有效性，又能防止晶向为<111>抛光衬底片的表面沾污。
文档编号G01N21/95GK103048335SQ20121056961
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日
发明者毛卫中, 楼春兰, 王莲芳, 汪新华, 吴飞 申请人:开化县质量技术监督检测所