一种mems高灵敏度横向加速度计及其制造工艺的制作方法
【专利摘要】一种MEMS高灵敏度横向加速度计，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量块，所述质量块与所述框架之间通过多根弹性梁相连接；所述质量块与所述框架之间设置有相对的梳状耦合结构；所述质量块在水平方向上移动，所述梳状耦合结构用于检测水平方向上的加速度。本加速度计对水平方向上的加速度检测精度高，而且制作工艺简单，对盖板的材料要求低。
【专利说明】一种MEMS高灵敏度横向加速度计及其制造工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种加速度计及其制造工艺。
【背景技术】
[0002]现今，加速度计可适用于诸多应用，例如在测量地震的强度并收集数据、检测汽车碰撞时的撞击强度、以及在手机及游戏机中检测出倾斜的角度和方向。而在微电子机械系统(MEMS)技术不断进步的情况下，许多纳米级的小型加速度测量仪已经被商业化广泛采用。
[0003]传统的横向电容式加速度计，例如专利号为US5563343的美国专利通常采用梳齿型电容，然而由于制造工艺的限制，弹性梁只能制作在器件的一面，无法形成上下对称的结构，因此质量块不能很大，否则会导致加速度计的稳定性能不好。此外，为了得到较大的梳齿面积，要将梳齿在竖直方向上加厚，使得制造成本会非常高，因此梳齿一般无法达到与质量块相同的厚度，质量块厚度大于梳齿的结构会出现不平衡，这也容易产生交叉串扰，影响加速度计的检测精度。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有技术之不足，提供一种串扰较小地检测水平方向上的加速度，并具有较高的稳定性和可靠性的MEMS高灵敏度横向加速度计。
[0005]按照本发明提供的一种MEMS高灵敏度横向加速度计，包括:测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量块，所述质量块与所述框架之间通过多根弹性梁相连接；所述质量块与所述框架之间设置有相对的梳状耦合结构；所述质量块在水平方向上移动，所述梳状耦合结构用于检测水平方向上的加速度。
[0006]本发明中的MEMS高灵敏度横向加速度计还包括如下附属特征:
[0007]所述框架上形成有多个梳齿，所述质量块上形成有多个梳齿；框架梳齿与质量块梳齿相互交叉配合，形成所述梳状耦合结构。
[0008]所述框架梳齿和所述质量块梳齿之间形成有活动间隙，并在所述活动间隙内形成检测电容。
[0009]所述测量体通过检测所述质量块梳齿侧壁与所述框架梳齿侧壁之间的重合面积的变化弓I起的电容值变化来检测加速度。
[0010]所述测量体通过检测所述质量块梳齿的侧壁与所述框架梳齿的侧壁的间距变化引起的电容值变化来检测加速度。
[0011]所述弹性梁为U型梁。
[0012]所述上盖板及所述下盖板上设置有吸附剂。
[0013]所述梳状耦合结构上设置有电极。
[0014]所述测量体采用包括有上硅层及下硅层的绝缘体上外延硅结构，每层硅层之间分别设置有氧化埋层。
[0015]所述测量体采用双面绝缘体上外延硅结构，包括上硅层、中间硅层及下硅层；每两层硅层之间分别设置有二氧化硅层。
[0016]所述上盖板及所述下盖板的材料为硅片或玻璃片。
[0017]一种MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，所述制造工艺包括以下步骤:
[0018]第一步，在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面生长或淀积出二氧化硅层；
[0019]第二步，在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面淀积一层氮化硅层；
[0020]第三步，通过光刻及刻蚀，将所述绝缘体上外延硅硅片背面的部分氮化硅层及二氧化硅层去除，并露出下硅层；
[0021]第四步，将下硅层暴露在外的部分刻蚀至氧化埋层；
[0022]第五步，将暴露在外的氧化埋层去除；
[0023]第六步，将绝缘体上外延硅硅片背面的氮化硅层及二氧化硅层去除；
[0024]第七步，将两块绝缘体上外延硅硅片进行背对背硅-硅键合；形成质量块和框架；
[0025]第八步，对键合后的硅片的正面及背面的进行光刻、刻蚀及深度刻蚀；在框架和质量块之间刻蚀出多个通孔，从而形成自由活动的弹性梁；
[0026]第九步，将键合后的硅片的正面及背面的氮化硅层及二氧化硅层去除，形成完整的测量体；
[0027]第十步,将键和后的娃片与上盖板及下盖板进行键合,形成完整的MEMS高灵敏度横向加速度计。
[0028]一种MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，所述制造工艺包括以下步骤:
[0029]第一步，在双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀形成多个深至中间硅层的孔；
[0030]第二步，在所述孔内沉积多晶硅并填满所述孔；然后在所述双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层的表面生长出二氧化硅层；
[0031]第三步，在所述双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层上通过光刻、深度刻蚀及刻蚀形成多个弹性梁及梳状耦合结构；并通过高温氧化在所述弹性梁、所述梳状耦合结构的露置在外的表面上生长出二氧化硅，或者用化学淀积方法淀积一层二氧化硅；
[0032]第四步，通过光刻及刻蚀将露置在外的所述中间硅层上的二氧化硅去除，并深度刻蚀所述中间硅层至一定深度；
[0033]第五步，将框架与质量块之间的中间硅层腐蚀，从而形成自由运动的弹性梁；
[0034]第六步，将露置在外的所述二氧化硅腐蚀；
[0035]第七步，将上盖板、处理后的所述双面绝缘体上外延硅硅片、以及下盖板进行一次性键合。
[0036]对所述上盖板及下盖板的加工工艺还包括:
[0037]A、在所述上盖板和所述下盖板的键合面上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀各自形成一个凹陷区；
[0038]B、与所述绝缘体上外延硅硅片键合之前，对所述上盖板及所述下盖板进行清洗。
[0039]对所述上盖板及下盖板的加工工艺还包括:
[0040]A、在所述上盖板和所述下盖板的键合面上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀各自形成一个凹陷区；
[0041]B、在所述凹陷区内涂覆吸附剂；
[0042]C、与所述绝缘体上外延硅硅片键合之前，对所述上盖板及所述下盖板进行清洗。
[0043]所述深度刻蚀及所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法:干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括:硅的深度反应离子刻蚀及反应离子刻蚀。
[0044]所述用于腐蚀硅层的腐蚀剂为以下腐蚀剂中的一种或多种的组合:氢氧化钾、四甲基氢氧化氨、乙二胺磷苯二酚或气态的二氟化氙。
[0045]所述用于腐蚀二氧化硅层的腐蚀剂为以下腐蚀剂中的一种或多种的组合:缓冲氢氟酸、49%氢氟酸或气态的氟化氢。
[0046]按照本发明所提供的一种MEMS高灵敏度横向加速度计及其制造工艺具有如下优点:首先，本MEMS高灵敏度横向加速度计可以通过测量在质量块和框架之间的电容值来检测水平方向的加速度，而在质量块和内框架之间设置的多个梳齿在竖直方向上很厚，而且在框架和质量块的上半部分及下半部分都设置有梳齿，本方案不仅仅增加了电容，也增加了检测精度。此外，本加速度计中的质量块由两块质量块键合而成，总体质量很大，具有较高的检测灵敏度。再次，由于在测量体的上半部分及下半部分对称地设置有弹性梁，因此本加速度计能有效减小非敏感方向的扭动、振动等所造成的影响，稳定性好。最后，本加速度计中质量块运动均在一个平面内，压膜阻尼较小，即使在真空度不高的工作环境中也可以正常工作。因此对制造工艺的要求得以降低。而且本加速度计中上盖板和下盖板上并不设有电极，盖板只是起到保护测量体的作用。这样的话对盖板所采用的材料要求也得以降低。也大大降低了制造成本。而垂直方向的键合工艺在得到较大质量块的同时也减少了加速度计的整体尺寸，提高了系统的集成度。而且由于腐蚀工艺及键合工艺较为简单，本产品生产工艺的生产效率较高、成本也较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0047]图1为本发明的第一种实施例的结构示意图。
[0048]图2为本发明中的测量体的俯视图。
[0049]图3为本发明中的第一种制造方法的第一步、第二步示意图。
[0050]图4为本发明中的第一种制造方法的第三步、第四步示意图。
[0051]图5为本发明中的第一种制造方法的第五步、第六步示意图。
[0052]图6为本发明中的第一种制造方法的第七步、第八步示意图。
[0053]图7为本发明中的第一种制造方法的第九步、第十步示意图。
[0054]图8为本发明中的第一种制造方法的第十一步示意图。
[0055]图9为本发明的第二种实施例的示意图。
[0056]图10为本发明中第二种制造方法的第一步至第三步示意图。
[0057]图11为本发明中第二种制造方法的第四步至第六步示意图。
[0058]图12为本发明中第二种制造方法的第七步示意图。
【具体实施方式】
[0059]下面结合附图对本发明做进一步的详述:
[0060]参照图1，按照本发明提供的一种MEMS高灵敏度横向加速度计，包括:测量体1、与所述测量体I相连接的上盖板2以及下盖板3 ;所述测量体I采用包括有上硅层4及下硅层5的绝缘体上外延硅结构，简称SOI结构。每层硅层之间分别设置有氧化埋层6。
[0061]参见图2，所述测量体I包括框架11、位于框架11内的质量块12 ;质量块12与框架11之间通过弹性梁13相连接。质量块12与框架11之间的间隔空间内设置有多组弹性梁13。优选地，质量块12为一方形体，弹性梁13为U型弯折弹性梁，并设置在质量块12的四个端角处，形成对称结构，从而在检测过程中质量块12的位移比较平稳。此外，优选地，在质量块12的上半部分及下半部分都相应地对称设置有多组弹性梁13。这样减少了在非敏感方向上的扭动或振动对质量块12带来的影响。
[0062]参见图2，框架11与质量块12之间还设置有一组或多组相对的梳状耦合结构14。梳状耦合结构14包括形成于框架11上的框架梳齿141以及形成于质量块12上的质量块梳齿142。框架梳齿141与质量块梳齿142之间形成有活动间隙。当框架11和质量块12通电后，框架梳齿141与质量块梳齿142之间会形成一电容。在检测加速度的过程中，质量块12会受加速度影响，向加速度方向移动。根据公式C= ε A/d,即两片平行的导电片之间的电容量等于介电系数乘以正对面积除以垂直间距。当因加速度产生位移时，框架梳齿141和质量块梳齿142之间的间距会产生变化。从而导致框架梳齿141和质量块梳齿142之间的电容的变化。集成芯片可以通过电容的变化计算出检测到的加速度。在一个实施例中，质量块12位移时，质量块梳齿142的侧壁143和框架梳齿141的侧壁144之间的重合的面积会产生变化，从而导致电容变化，集成芯片是通过测量该电容变化来测量加速度。在另一个实施例中，质量块12位移时，质量块梳齿142的侧壁143和框架梳齿141的侧壁144的间隔距离会产生变化，从而导致电容变化，集成芯片是通过测量该电容变化来测量加速度。设置在框架11和质量块12之间的梳状耦合结构14增加了检测准确度。
[0063]接着，根据图3至图8来详细说明用于制造本发明中的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其中，本加速度计采用了绝缘体上外延硅硅片，简称SOI硅片。SOI硅片包括上硅层4、下硅层5以及位于上硅层4和下硅层5之间的氧化埋层6。该制造工艺包括以下步骤:
[0064]第一步，对SOI硅片的正面及背面进行高温氧化处理，在其表面形成一层二氧化硅层7 ;或者利用化学气态淀积法(CVD)淀积一层二氧化硅层7。
[0065]第二步，利用化学气态淀积法(CVD)在SOI硅片的正面及背面淀积一层氮化硅8。
[0066]第三步，对所述SOI硅片的背面上涂覆光阻剂。之后按照特定图案对SOI硅片的背面进行曝光，并用显影液进行显影。这样被曝光的图案就会显现出来。再利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸对二氧化硅层7及氮化硅层8上被曝光的部分进行刻蚀直至露出下娃层5。
[0067]第四步，利用氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚将暴露在外的下硅层5刻蚀至氧化埋层6 ；
[0068]第五步，利用缓冲氢氟酸将SOI硅片暴露在外的氧化埋层6去除；
[0069]第六步，利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸将SOI硅片背面的二氧化硅层7和氮化硅层8去除；
[0070]第七步，将两块SOI硅片进行背对背硅-硅键合；形成质量块12和框架11 ；
[0071]第八步，对键合后的硅片的正面及背面上涂覆光阻剂。之后按照特定图案对键和后的硅片的正面及背面进行曝光，并用显影液进行显影。这样被曝光的图案就会显现出来。再利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸在键合后硅片的正面及背面的二氧化硅层7及氮化硅层8上被曝光的部分进行刻蚀，刻蚀出多个深至露出上硅层4的孔。
[0072]第九步，对上硅层4进行深度刻蚀直至所述孔刻穿，从而形成自由活动的弹性梁13。
[0073]第十步，利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸将键和后的硅片表面的氮化硅层8及二氧化硅层7去除，形成完整的测量体I。
[0074]第H^一步,将键和后的娃片与上盖板2及下盖板3进行键合,形成完整的MEMS高灵敏度横向加速度计。
[0075]参照图9，本发明中的MEMS高灵敏度横向加速度计中的测量体I还可以采用双面SOI娃片制成,双面SOI娃片包括上娃层4、中间娃层10以及下娃层5 ;每两层娃层之间，即上硅层4和中间硅层10之间以及中间硅层10和下硅层5之间分别设置有氧化埋层6。
[0076]接着，参照图10至13详细说明用于制造本发明中的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，该制造工艺包括以下步骤:
[0077]第一步，在双面SOI硅片的上硅层4和下硅层5上分别涂覆光阻剂。之后按照特定图案对上硅层4和下硅层5进行曝光，并用显影液进行显影。这样被曝光的图案就会显现出来。再用硅的深度反应离子刻蚀将上硅层4和下硅层5被曝光的部分深度刻蚀至氧化埋层6。然后利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸对被露置在外的氧化埋层6进行蚀刻。从而形成多个深至中间硅层10的孔。之后将光阻剂层去除。
[0078]第二步，在所述孔内沉积多晶硅至中间硅层10并填满所述孔，从而形成电通路；然后在所述双面SOI硅片的上硅层4和下硅层5的表面生长出二氧化硅层7。并通过化学和机械抛光法将上硅层4和下硅层5的表面进行打磨，达到表面的平滑标准。
[0079]第三步，在所述双面SOI硅片的上硅层4和下硅层5上分别涂覆光阻剂。之后按照特定图案对上硅层4和下硅层5进行曝光，并用显影液进行显影。这样被曝光的图案就会显现出来。先利用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸对生长出的二氧化硅层上被曝光的部分进行刻蚀。再利用硅的深度反应离子刻蚀将上硅层4和下硅层5深度刻蚀至氧化埋层6。最后用反应离子干法刻蚀或缓冲氢氟酸对被露置在外的氧化埋层6进行蚀刻。从而形成多个弹性梁13和梳状耦合结构14。并在将光阻剂去除后，利用高温在所述弹性梁13的表面生长出一层二氧化硅层7，或者用化学淀积(CVD)方法在所述弹性梁13和梳状耦合结构14的表面淀积一层二氧化娃层7。
[0080]第四步，用干法刻蚀去除二氧化硅层7中露置在外的二氧化硅。并再次用硅的深度反应离子刻蚀或气态的二氟化氙将中间硅层10深度刻蚀至一定深度。
[0081]第五步，使用氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚、或气态的二氟化氙对被刻蚀至一定深度的中间硅层10进行水平及纵向腐蚀。并根据中间硅层10中需要被腐蚀的区域的大小来控制腐蚀时间。中间硅层10被腐蚀后，形成了上下两层自由运动的多个弹性梁13和梳状耦合结构14。
[0082]第六步，将露置在SOI硅片表面的所述二氧化硅7用缓冲氢氟酸、或49%氢氟酸、或气态的氟化氢腐蚀掉。
[0083]第七步，将上盖板、处理后的所述双面SOI硅片、以及下盖板进行一次性键合，形成完整的加速度计。
[0084]对所述上盖板2及下盖板3的加工工艺还包括:
[0085]A、在上盖板2和下盖板3的键合面上涂覆光阻剂，之后按照特定图案对其进行曝光，并用显影液进行显影。这样被曝光的图案就会显现出来。再利用深度反应离子刻蚀、或氢氧化钾、或四甲基氢氧化氨、或乙二胺磷苯二酚，分别将上盖板2和下盖板3被曝光的部分深度刻蚀至一定位置。从而在上盖板2和下盖板3的键合面上各自形成一个凹陷区，并将光阻剂去除。
[0086]B、在上盖板2和下盖板3的所述凹陷区内涂覆一层吸附剂9。
[0087]C、在与所述SOI硅片键合之前，对上盖板2及下盖板3对进行清洗；
[0088]上述对上盖板2及下盖板3的加工工艺中在凹陷区内涂覆吸附剂9的步骤为可选步骤。在真空度不高的情况下，测量体I与上盖板2及下盖板3之间的空隙中可能会产生阻尼。为此，在上盖板2及下盖板2上涂覆吸附剂9可以降低阻尼，从而增加本加速度计的检测灵敏度和准确度。
[0089]其中，本发明中的上述加工工艺中的氮化硅层8和二氧化硅层7起到保护其所覆盖的硅层，使其不被刻蚀或腐蚀。
[0090]本发明中所述的深度刻蚀及所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法:干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括:硅的深度反应离子刻蚀及反应离子刻蚀。
[0091]由于本加速度计是通过梳状耦合结构14来检测水平方向上的加速度，因此上盖板2和下盖板3上并不设置有电极。这样一来，大大降低了对上盖板2和下盖板3的材料要求。而且对盖板的键合对准要求也大大降低。也降低了制造成本。本技术方案在较低的真空度下也有较高的检测准确度。此外，在本技术方案中，上盖板2和下盖板3上还可以设置有一层吸附剂9来增加真空度。
【权利要求】
1.一种MEMS高灵敏度横向加速度计，包括:测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体包括框架、位于所述框架内的质量块，其特征在于，所述质量块与所述框架之间通过多根弹性梁相连接；所述质量块与所述框架之间设置有相对的梳状耦合结构；所述质量块在水平方向上移动，所述梳状耦合结构用于检测水平方向上的加速度。
2.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述框架和所述质量块上分别形成有多个梳齿，框架梳齿与质量块梳齿相互交叉配合，形成所述梳状耦合结构。
3.如权利要求2所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述框架梳齿和所述质量块梳齿之间形成有活动间隙，并在所述活动间隙内形成检测电容。
4.如权利要求3所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述测量体通过检测所述质量块梳齿侧壁与所述框架梳齿侧壁之间的重合面积的变化引起的电容值变化来检测加速度。
5.如权利要求3所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述测量体通过检测所述质量块梳齿的侧壁与所述框架梳齿的侧壁的间距变化引起的电容值变化来检测加速度。
6.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述弹性梁为U型M
ο
7.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述上盖板及所述下盖板上设置有吸附剂。
8.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述梳状耦合结构上设置有电极。
9.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述测量体采用包括有上硅层及下硅层的绝缘体上外延硅结构，每层硅层之间分别设置有氧化埋层。
10.如权利要求9所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述测量体采用双面绝缘体上外延硅结构，包括上硅层、中间硅层及下硅层；每两层硅层之间分别设置有二氧化娃层。
11.如权利要求1所述的MEMS高灵敏度横向加速度计，其特征在于，所述上盖板及所述下盖板的材料为硅片或玻璃片。
12.—种MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺包括以下步骤: 第一步，在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面生长或淀积出二氧化硅层； 第二步，在所述绝缘体上外延硅硅片的正面及背面淀积一层氮化硅层； 第三步，通过光刻及刻蚀，将所述绝缘体上外延硅硅片背面的部分氮化硅层及二氧化硅层去除，并露出下硅层； 第四步，将下硅层暴露在外的部分刻蚀至氧化埋层； 第五步，将暴露在外的氧化埋层去除； 第六步，将绝缘体上外延硅硅片背面的氮化硅层及二氧化硅层去除； 第七步，将两块绝缘体上外延硅硅片进行背对背硅-硅键合；形成质量块和框架； 第八步，对键合后的硅片的正面及背面的进行光刻、刻蚀及深度刻蚀；在框架和质量块之间刻蚀出多个通孔，从而形成自由活动的弹性梁； 第九步，将键合后的硅片的正面及背面的氮化硅层及二氧化硅层去除，形成完整的测量体； 第十步，将键和后的硅片与上盖板及下盖板进行键合，形成完整的MEMS高灵敏度横向加速度计。
13.—种MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺包括以下步骤: 第一步，在双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀形成多个深至中间硅层的孔； 第二步，在所述孔内沉积多晶硅并填满所述孔；然后在所述双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层的表面生长出二氧化硅层； 第三步，在所述双面绝缘体上外延硅硅片的上下硅层上通过光刻、深度刻蚀及刻蚀形成多个弹性梁及梳状耦合结构；并通过高温氧化在所述弹性梁、所述梳状耦合结构的露置在外的表面上生长出二氧化硅，或者用化学淀积方法淀积一层二氧化硅； 第四步，通过光刻及刻蚀将露置在外的所述中间硅层上的二氧化硅去除，并深度刻蚀所述中间硅层至一定深度； 第五步，将框架与质量块之间的中间硅层腐蚀，从而形成自由运动的弹性梁； 第六步，将露置在外的所述二氧化硅腐蚀； 第七步，将上盖板、处理后的所述双面绝缘体上外延硅硅片、以及下盖板进行一次性键口 ο
14.如权利要求12或13所述的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，对所述上盖板及下盖板的加工工艺还包括: A、在所述上盖板和所述下盖板的键合面上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀各自形成一个凹陷区； B、与所述绝缘体上外延硅硅片键合之前，对所述上盖板及所述下盖板进行清洗。
15.如权利要求12或13所述的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，对所述上盖板及下盖板的加工工艺还包括: A、在所述上盖板和所述下盖板的键合面上分别通过光刻、深度刻蚀及刻蚀各自形成一个凹陷区； B、在所述凹陷区内涂覆吸附剂； C、与所述绝缘体上外延硅硅片键合之前，对所述上盖板及所述下盖板进行清洗。
16.根据权利要求12至15任一所述的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，所述深度刻蚀及所述刻蚀的方法为以下方法中的一种或多种方法:干法刻蚀或湿法刻蚀，所述干法刻蚀包括:硅的深度反应离子刻蚀及反应离子刻蚀。
17.根据权利要求12至15任一所述的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，所述用于腐蚀硅层的腐蚀剂为以下腐蚀剂中的一种或多种的组合:氢氧化钾、四甲基氢氧化氨、乙二胺磷苯二酚或气态的二氟化氙。
18.根据权利要求12至15任一所述的MEMS高灵敏度横向加速度计的制造工艺，其特征在于，所述用于腐蚀二氧化硅层的腐蚀剂为以下腐蚀剂中的一种或多种的组合:缓冲氢 氟酸、49%氢氟酸或气态的氟化氢。
【文档编号】G01P15/125GK104297521SQ201310304676
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月19日 优先权日:2013年7月19日
【发明者】于连忠, 孙晨 申请人:中国科学院地质与地球物理研究所