1.一种射线检测平板探测器用闪烁体板，其特征在于，所述闪烁体板包括基板、闪烁体层以及夹在所述基板和闪烁体层之间的反射层，其中，所述闪烁体层的组成化学式为(Lu(1-x-y)CexAy)3Al5O12，A格位可供选择的离子包括Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+、Li+、 Na+、K+中的至少一种，0.001≤x≤0.05，0.0005≤y≤0.05。
2.根据权利要求1所述的闪烁体板，其特征在于，A格位离子为Mg2+；0.001≤x≤0.01，更优选0.002≤x≤0.005；0.0005≤y≤0.01，更优选地0.001≤y≤0.005。
3.根据权利要求1或2所述的闪烁体板，其特征在于，所述基板材质包括石墨、树脂、玻璃或金属，所述反射层材质包括硅胶或环氧树脂，反射层兼具有增加闪烁体板发光以及固定基板与闪烁体层的作用。
4.根据权利要求1-3中任一所述的闪烁体板，其特征在于，反射层材料中含有40～95 wt%光散射粒子SiO2颗粒。
5.根据权利要求1-4中任一所述的闪烁体板，其特征在于，基板的厚度为0.05 mm～10 mm，反射层的厚度为0.01 μm～0.5 μm，闪烁体层的厚度为50 μm～500 μm。
6.根据权利要求1-5中任一所述的闪烁体板，其特征在于，基板的厚度为0.05 mm～4 mm，更优选0.5 mm～4 mm，反射层的厚度为0.01 μm～0.2 μm，闪烁体层的厚度为50 μm～200 μm。
7.根据权利要求1-6中任一所述的闪烁体板，其特征在于，闪烁体层表面有通过刻蚀形成的独立阵列单元，阵列单元优选矩形，矩形阵列的边长为50 μm～200 μm，间距范围10～20 μm，刻蚀深度10～50 μm。
8.一种权利要求1-7中任一所述闪烁体板的制备方法，其特征在于，包括：
1）根据闪烁体层的组成化学式采用固相反应法或液相法结合陶瓷烧结技术，制备闪烁体层材料；
2）将步骤1）制备的闪烁体层材料切割成规定尺寸的闪烁体层薄片；
3）将闪烁体层薄片与基板通过反射层材料固定后，打磨至规定厚度并抛光。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，闪烁体层薄片打磨前，横截面为矩形，边长范围10～50 mm，厚度范围1 mm～4 mm；
基板打磨前，横截面为矩形，边长范围20～70 mm，厚度范围1 mm～8 mm。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
4）刻蚀所述闪烁体层的表面，使其形成阵列单元，其中，刻蚀的方式包括：线切割、激光切割或电感耦合等离子体。
11.一种含有权利要求1-7中任一所述闪烁体板的平板探测器，其特征在于，所述平板探测器包括闪烁体板、光锥和光电转换器件。
12.一种权利要求1-7中任一所述闪烁体板采用的透明陶瓷，其特征在于，所述透明陶瓷的组成化学式为(Lu(1-x-y)CexAy)3Al5O12，A格位可供选择的离子包括Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+、Li+、 Na+、K+中的至少一种，0.001≤x≤0.01，0.0005≤y≤0.01。
13.一种权利要求12中所述透明陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：
1）制备均匀混合的包含氧化镥、氧化铝、氧化铈、以及共掺离子氧化物的原料粉体；
2）将所述原料粉体成型后得到陶瓷素坯；
3）将陶瓷素坯在1700-1900℃下真空烧结得到所述透明陶瓷。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，成型采用干压成型或冷等静压成型，其中，干压成型是在50～150 MPa下干压1～5分钟，冷等静压是在200～400 MPa下冷等静压1～10分钟。
15.根据权利要求13或14所述的制备方法，其特征在于，所述真空烧结是在压强≤10-2 Pa的真空度下于1700～1820℃保温10小时以上。