1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极；
形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极；
形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层、互连结构的上层金属层及剩余的半导体基板表面，所述压力感应层包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁位于所述牺牲层上，所述侧壁围绕在所述牺牲层的周围，所述底壁位于所述互连结构的上层金属层上；
对所述互连结构的上层金属层进行激光退火。
2.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述激光退火的激光的波长是290nm-320nm，脉冲持续时间是100ns-200ns，其能量范围是0.3J/Cm2-0.8J/Cm2。
3.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述上层金属层的材料为钛、钽，镍，铂，钼中的一种或其任意组合。
4.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述压力感应层的材料为锗化硅，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成锗化硅，等离子体增强化学气相沉积工艺的温度为400℃～450℃。
5.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为非晶碳，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述牺牲层，等离子体增强化学气相沉积工艺采用的温度为400℃～500℃。
6.如果权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，在激光退火的步骤之后还包括：在压力感应层上形成具有窗口的保护层。