技术总结
本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极；形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层、互连结构的上层金属层及剩余的半导体基板表面，所述压力感应层包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁位于所述牺牲层上，所述侧壁围绕在所述牺牲层的周围，所述底壁位于所述互连结构的上层金属层上；对所述互连结构的上层金属层进行激光退火，从而解决现有技术中压力感应层与上层金属层之间的阻值不均匀的问题，提高了压力传感器的性能。
技术研发人员：刘孟彬;毛剑宏
受保护的技术使用者：上海丽恒光微电子科技有限公司
文档号码：201510771468
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24