1.一种SF6气体传感器，所述传感器包括直流电源和电极，其特征在于，所述电极由对应设置的平板电极和硅尖阵列电极组成，其间设有绝缘膜。
2.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述平板电极与电源正极连接，所述硅尖阵列电极与电源负极连接。
3.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列电极对应的所述平板电极的一面设有镀膜，与之对应的所述硅尖阵列电极的一面设有硅尖阵列。
4.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述平板电极为表面镀有金属膜或高掺杂的低阻硅膜的玻璃，所述金属膜选用Au、Pt、Ag或W。
5.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列电极采用金属和/或金属氧化物对硅尖阵列进行表面修饰。
6.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列电极包括其上均匀垂直设置等高硅尖阵列的硅片衬底，设置硅尖阵列一侧的所述硅片衬底的表面和所述硅尖阵列表面包覆金属薄膜层，位于所述硅尖阵列峰顶的金属薄膜层设有纳米颗粒。
7.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅片衬底剖面为凹槽形，所述硅尖阵列竖直设于所述凹槽的凹陷部，其高度与所述凹槽两凸块的高度相等，所述硅片衬底厚度为100μm-1000μm，所述硅片衬底为方形或圆形。
8.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列为均匀分布的圆台阵列，所述圆台下底面间距为1μm-100μm；所述圆台上下直径分别为0.5μm-1μm和5μm-100μm，高度为5μm-800μm。
9.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述金属薄膜层厚度为10nm-300nm，所述金属薄膜层选用Au、Pt、Cr或W，金属薄膜层为单层。
10.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述纳米颗粒为金属纳米颗粒和/或金属氧化物纳米颗粒，所述纳米颗粒为直径为1nm-100nm的球形颗粒。
11.如权利要求10所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述金属纳米颗粒为Au、Pt、Cr、或W纳米颗粒；所述金属氧化物纳米颗粒为ZnO、SnO2或WO3纳米颗粒。
12.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列的密度为40～4000/mm2；所述硅尖阵列高度5μm～100μm。
13.如权利要求6所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述硅尖阵列电极的硅尖距平板电极距离为10μm～1000μm。
14.如权利要求1所述的一种SF6气体传感器，其特征在于：所述绝缘膜为单层，所述绝缘膜为氮化硅膜、氧化硅膜、聚合物膜或陶瓷膜。