1.一种检测氟离子的荧光薄膜传感器，其特征在于，由聚(1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯)制成。
2.根据权利要求1所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器，其特征在于，所述聚(1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯)薄膜与Fe3+形成增强型荧光薄膜传感器。
3.权利要求2所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
混合二氯甲烷和乙腈作溶剂，加入单体1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯后，通过循环伏安法得到聚1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯薄膜。
4.根据权利要求3所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述单体1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯的制备包括如下步骤：
步骤1：以2-溴-9,9-(N-咔唑-己基)芴为原料，经与三甲基乙炔基硅在三乙胺中催化反应之后，得到2-三甲基乙炔基-9,9-(N-咔唑-己基)芴；所述催化反应中的催化剂为双三苯基磷二氯化钯、碘化亚铜和三苯基膦；
步骤2：在氮气条件下，将步骤1得到的2-三甲基乙炔基-9,9-(N-咔唑-己基)芴溶解到THF/H2O混合液中，加入K2CO3，室温下搅拌反应后经真空干燥得到2-乙炔基-9,9-(N-咔唑-己基)芴；
步骤3：在保护氛围下，在含有1,4-二叠氮基苯的THF/H2O混合液中加入步骤2得到的2-乙炔基-9,9-(N-咔唑-己基)芴，室温催化反应之后将产物真空干燥形成单体1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯；所述催化反应中的催化剂为CuSO4·H2O和抗坏血酸纳。
5.根据权利要求4所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中催化反应中的催化剂为双三苯基磷二氯化钯、碘化亚铜和三苯基膦的比例为1:1:3-4。
6.根据权利要求5所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中催化反应的加热温度为60-100℃，加热时间为3-6h。
7.根据权利要求4所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤2中THF/H2O混合液的体积比为1:1-2。
8.根据权利要求3所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤3中THF/H2O混合液的体积比为7:3-5。
9.根据权利要求3所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤4中循环伏安法使用的的电解质为TBAPF6，扫描速度为80-120mv/s，扫描圈数为6-10圈，伏安电位为-0.3V-1.1V。
10.权利要求4-9任一所述的检测氟离子的荧光薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤2中得到的2-乙炔基-9,9-(N-咔唑-己基)芴和所述步骤3中得到的单体1,4-二(4-(9,9-双(N-咔唑-己基)芴基)-1,2,3-三唑基)苯都进行萃取和纯化。