1.一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，包括基底(1)、工作电极(2)、参比电极(3)、电极引线1(4)和电极引线2(5)；
所述基底(1)的正面开有两个长方形槽包括第一长方形槽(101)和第二长方形槽(104)，所述长方形槽右侧分别开有长槽(102)，所述第二长方形槽(104)下侧开有两个直角槽(103)；
所述第一长方形槽(101)上制作工作电极(2)，所述第二长方形槽(104)上制作参比电极(3)，在所述长槽(102)上附电极引线1(4)，在直角槽(103)上附电极引线2(5)；
在所述电极引线1(4)和电极引线2(5)的末端上制作焊盘(6)。
2.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述基底(1)为厚度1.2mm以上的氧化铝陶瓷材料，基底(1)形状为长1.5cm、宽1cm的长方形，所述第一长方形槽(101)、第二长方形槽(104)、长槽(102)及直角槽(103)开槽深度约2.1μm。
3.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述工作电极(2)，通过Cr_1连接层(201)与Ni_1过渡层(202)与基底(1)连接，且所述Cr_1连接层(201)位于Ni_1过渡层(202)的下面；
所述Ni_1过渡层(202)上方依次沉积有Ir层(203)和IrO2层(204)，IrO2层(204)表面依次涂覆Nafion_1层(205)和GO_1层(206)。
4.根据权利要求3所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述Cr_1连接层(201)厚度为50nm，Ni_1过渡层(202)厚度为60nm；所述Ir层(203)厚度为90nm，IrO2层(204)厚度为120nm；所述Nafion_1层(205)厚度为0.8μm，GO_1层(206)厚度为0.6μm。
5.根据权利要求3所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述参比电极(3)，通过Cr_2连接层(301)和Ni_2过渡层(302)与基底(1)连接，且所述Cr_2连接层(301)位于Ni_2过渡层(302)的下面；
所述Ni_2过渡层(302)上方依次沉积有Ag层(303)和AgCl层(304)，AgCl层(304)表面依次涂覆Nafion_2层(305)和GO_2层(306)。
6.根据权利要求5所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述Cr_2连接层(301)厚度为50nm，Ni_2过渡层(302)厚度为60nm；所述Ag层(303)厚度为180nm，AgCl层(304)厚度为33nm；所述Nafion_2层(305)厚度为0.8μm，GO_2层(306)厚度为0.6μm。
7.根据权利要求5所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述GO_1层(206)和GO_2层(306)表面进行微纳织构加工出圆柱凹坑，所述圆柱凹坑的孔深为60nm，孔径为1.8μm。
8.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述第一长方形槽(101)右侧长槽(102)内的电极引线1(4)通过Cr_1连接层(201)和Ni_1过渡层(202)与基底(1)连接，且所述Cr_1连接层(201)位于Ni_1过渡层(202)的下面；Ni_1过渡层(202)上方依次沉积有Ag层(401)和硅氧树脂层(402)，所述Ag层(401)厚度为90nm，硅氧树脂层(402)厚度为1.5μm；
所述第二长方形槽(104)右侧长槽(102)内的电极引线1(4)通过Cr_2连接层(301)和Ni_2过渡层(302)与基底(1)连接，且所述Cr_2连接层(301)位于Ni_2过渡层(302)的下面；Ni_2过渡层(302)上方依次沉积有Ag层(401)和硅氧树脂层(402)，所述Ag层(401)厚度为90nm，硅氧树脂层(402)厚度为1.5μm。
9.根据权利要求1所述的一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器，其特征在于，所述电极引线2(5)通过环氧树脂层(501)与基底(1)连接，环氧树脂层(501)上方依次沉积有Ag层(502)和硅氧树脂层(503)，所述环氧树脂层(501)厚度为1.1μm，Ag层(502)厚度为0.6μm，硅氧树脂层(503)厚度为0.2μm。
10.一种制备权利要求1所述一种GO-Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制作基底(1)，选用厚度1.2mm以上的氧化铝陶瓷作为基底(1)材料，基底(1)形状为长方形，且在正面开两个长方形槽；并在长方形槽右侧分别开长槽(102)；以及在长方形槽下侧开两个直角槽(103)；
S2、制作工作电极(2)，通过化学气相沉积法在基底(1)的第一长方形槽(101)沉积Cr_1连接层(201)与Ni_1过渡层(202)，然后通过电化学沉积法在Ni_1过度层(202)表面沉积Ir，获得Ir层(203)，再通过电沉积法将IrO2沉积在Ir层(203)上面，获得IrO2层(204)，然后通过溶胶-凝胶法在IrO2层(204)外表面涂覆Nafion_1层(205)，最后通过旋涂法在Nafion_1层(205)表面涂得均匀分布的GO_1层(206)；
S3、制作参比电极(3)，通过化学气相沉积法在基底(1)的第二长方形槽(104)沉积Cr_2连接层(301)与Ni_2过度层(302)，然后通过电化学沉积法在Ni_2过度层(302)表面沉积Ag，获得Ag层(303)，然后进行热处理，提高Ag层的机械力，再将FeCl3溶液滴在Ag层(303)表面，从而在Ag层(303)表面生成AgCl层(304)，再通过溶胶-凝胶法在AgCl层(304)外表面涂覆Nafion_2层(305)，最后通过旋涂法在Nafion_2层(305)表面涂得均匀分布的GO_2层(306)；
S4、制作微纳织构亲水表面，通过超微激光加工技术在GO_1层(206)和GO_2层(306)表面加工出圆柱凹坑；
S5、制作电极引线1(4)，通过化学气相沉积法在基底(1)的第一长方形槽(101)右侧长槽(102)内沉积Cr_1连接层(201)和Ni_1过渡层(202)，然后通过电化学沉积法在Ni_2过度层(302)表面沉积Ag，获得Ag层(401)，最后通过旋涂法在Ag层(403)表面涂覆获得硅氧树脂层(402)；
通过化学气相沉积法在基底(1)的第二长方形槽(104)右侧长槽(102)内上沉积Cr_2连接层(301)与Ni_2过度层(302)，然后通过电化学沉积法在Ni_2过度层(302)表面沉积Ag，获得Ag层(401)，最后通过旋涂法在Ag层(403)表面涂覆获得硅氧树脂层(402)；
S6、制作电极引线2(5)，通过化学气相沉积法在基底(1)的直角槽(103)上沉积环氧树脂层(501)，然后通过电化学沉积法在环氧树脂层(501)表面沉积Ag，获得Ag层(502)，最后通过旋涂法在Ag层(502)表面涂覆获得硅氧树脂层(503)。