一种GO‑Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器及其制备方法与流程

文档序号:11108564阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种GO‑Nafion双层膜修饰的pH、含水量复合传感器及其制备方法,包括基底、工作电极、参比电极和电极引线;基底为氧化铝陶瓷材料;工作电极为Ir/IrO2金属氧化物电极,参比电极为Ag/AgCl电极;电极修饰层采用GO与Nafion双层膜修饰;传感器制备方法为:制作基底,在基底正面开工作电极安装槽、参比电极安装槽及电极引线安装槽;在工作电极安装槽上依次沉积Cr_1连接层与Ni_1过渡层,沉积Ir层与IrO2层,涂覆Nafion_1层,涂得GO_1层;在参比电极安装槽上依次沉积Cr_2连接层与Ni_2过渡层,沉积Ag层,获得AgCl层,涂覆Nafion_2层,获得GO_2层;GO_1层和GO_2层制作微纳织构亲水表面;本发明传感器可同时检测基质pH、含水量等理化参数,适用于土壤栽培基质等非均相体系的pH、含水量的原位测量。

技术研发人员:耿妙妙;张西良;徐坤;赵麟;蒋薇;尹利
受保护的技术使用者:江苏大学
文档号码:201610983460
技术研发日:2016.11.09
技术公布日:2017.05.10

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