一种测量500kV主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法与流程

本发明涉及一种测量500kv主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法，属于500kv主变高压套管介质损耗因数tanδ测量
技术领域：
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背景技术：
：构皮滩发电厂共有16台主变，运行15台备用1台，由保定天威变压器集团有限公司生产，型号为dsp-223000/500，高压侧额定电压为500kv，额定容量为223mva，型式为单相强迫油循环水冷无载调压式。500kv主变高压套管型号为ektg1800-550-1600e10，类型为环氧树脂浸渍纸绝缘，套管的一端与主变高压绕组相连，连接方式采用铜排，浸渍在主变本体绝缘油中；另外一端与500kvgis、高压电缆（1000m左右）相连，连接方式采用铜编织线软连接，由gis内部密封的sf6气体包围。根据预防性试验规程要求，500kv主变高压套管每三年进行一次介质损耗因数tanδ试验，此试验相比其它常规特性试验，具有极高的灵敏度，可以及时、准确发现套管胶纸绝缘整体受潮、劣化变质及其小体积贯通和未贯通的局部缺陷，对预防套管事故起着关键性的作用。在进行主变高压套管介质损耗因数tanδ试验时，常规测量方法如下：第一步：在主变高压套管周围搭设长5m×宽3m×高5m的工作平台，解开主变高压套管与gis内部连接铜编织线，甩开500kvgis、高压电缆，并做好高压套管与500kvgis、高压电缆的断口绝缘屏蔽；第二步：解开主变中性点套管的一次接地铜排，并将甩开的500kvgis、高压电缆接地。在上述安全措施到位后，正接法测量tanδ，将常规变频抗干扰介质损耗测量仪（容量3pf～60000pf/10kv）高压屏蔽线交流电压10kv接入高压套管顶部，低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流，仪器自动计算tanδ。常规测量方法存在的缺陷是：1、需要搭设工作平台、抽充gis气室sf6、拆装gis内部软连接等工序，工作量大，工作效率低，作业人员风险较高；2、经常拆装精密的gis设备，存在损坏gis的风险。技术实现要素：本发明要解决的技术问题是：提供一种测量500kv主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法，减免了工作平台搭设、gis气室sf6抽充、gis内部软连接拆装等大量工作，在降低工作人员安全风险的同时大大缩短了工期，同时也排除了对gis精密设备的损坏风险。本发明的技术方案是：一种测量500kv主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法，在解开主变中性点套管的一次接地铜排后（不用搭设工作平台，在主变箱体顶部施工），根据500kvgis、高压电缆的绝缘介质对地电容量，与厂家联合研发，特制大容量变频抗干扰介质损耗测量仪（3pf～120000pf/10kv），正接法测量tanδ，从中性点套管一次回路处施加变频抗干扰介质损耗测量仪高压屏蔽线交流试验电压10kv，所经一次回路包括主变中性点套管、高压绕组、高压套管、500kvgis、高压电缆，变频抗干扰介质损耗测量仪低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流，变频抗干扰介质损耗测量仪即可自动计算tanδ。与现有技术相比，本发明的优点在于：1、减免了工作平台的搭设、gis气室sf6的抽充、gis内部软连接拆装等大量工作，在降低工作人员安全风险的同时大大缩短了工期，以常规方法完成所需的8天时间降到半天，极大地提高了工作效率，为检修节约了大量的宝贵时间；2、本发明对gis不做任何安全措施，从而避免了gis内部暴露于空气中的受潮危险和拆、装软连接时对gis精密设备的损坏。附图说明图1为主变高压侧接线图；图2为常规测量方法的接线图；图3为本发明测量方法的接线图；图中：c0：主变高压套管电容额定值，c1：gis、高压电缆对地电容额定值（较大），c2：主变高压绕组对地电容额定值，c3：主变中性点套管电容额定值。具体实施方式下面结合附图及具体的实施例对发明进行进一步介绍：如图1和图3所示，本发明一种测量500kv主变高压套管介质损耗因数tanδ的方法，在解开主变中性点套管的一次接地铜排后，从中性点套管一次回路处施加变频抗干扰介质损耗测量仪高压屏蔽线交流试验电压10kv，所经一次回路包括主变中性点套管、高压绕组、高压套管、500kvgis、高压电缆，变频抗干扰介质损耗测量仪低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流，变频抗干扰介质损耗测量仪即可自动计算tanδ，图中型号a801为电容量3pf～120000pf/10kv的变频抗干扰介质损耗测量仪。图2为常规测量方法的接线图，图中型号ph-2801为电容量3pf～60000pf/10kv的变频抗干扰介质损耗测量仪，常规测量方法为，第一步：在主变高压套管周围搭设长5m×宽3m×高5m的工作平台，解开主变高压套管与gis内部连接铜编织线，做好高压套管与500kvgis、高压电缆的断口绝缘屏蔽；第二步：解开主变中性点套管的一次接地铜排，并将甩开的500kvgis、高压电缆接地；第三步，正接法测量tanδ，将变频抗干扰介质损耗测量仪高压屏蔽线交流电压10kv接入高压套管顶部软连接，低压芯线从主变高压套管末屏处采集电流，仪器自动计算tanδ。表一次数仪器ph-2801a801第一次tanδ0.3880.389第二次tanδ0.3890.389表一中为本发明测量方法与常规测量方法相比的结果对比，从中可看出二者结果基本一致，充分证明本发明测量方法的可靠性。在测量过程中，由于主变高压套管末屏对地有绝缘电阻，i1、i2、i3均进不了仪器内部，仪器所测的电流i0只来自高压套管的试品电流，即交流电压10kv通过高压套管胶纸绝缘的电流i0。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属
技术领域：
的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。当前第1页12