汽车打火检测电路的制作方法

本实用新型涉及汽车电子技术领域，尤其涉及一种汽车打火检测电路。

背景技术：

国内随着汽车的普及，汽车打火后快速(1秒内)唤醒技术，对汽车检测越来越重要，多数判断汽车打火的机制都需要较长时间(3秒以上)，快速检测唤醒汽车电脑告知用户，是汽车检测技术的一种改进。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种汽车打火检测电路。

为实现上述目的，根据本实用新型实施例的汽车打火检测电路，所述汽车打火检测电路包括：

低电平产生电路，所述低电平产生电路与汽车电瓶电源输出端连接，用于检测汽车电瓶的打火时产生的低电平脉冲信号，并输出与低电平脉冲信号相对应的低电平信号；

高电平输出电路，所述高电平输出电路与所述低电平产生电路连接，用于在所述低电平信号的作用下产生高电平输出信号。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，所述低电平产生电路包括第一电容C8、第一电阻R6、第二电阻R7、第一二极管D15和第一三极管Q1；所述第一电容C8的一端与所述汽车电瓶电源输出端连接，所述第一电容C8的另一端与所述第一电阻R6的一端连接，所述第一电阻R6的另一端与所述第一三极管Q1的基极连接，所述第一三极管Q1的发射机与参考地连接，所述第一三极管Q1的集电极还通过第二电阻R7与第一供电电源(+3_3V)的输出端连接，所第一二极管D15的阴极与所述第一电容C8的所述另一端连接，所述第一二极管D15的阳极与参考地连接。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，所述高电平输出电路包括第一MOS晶体管Q2，所述第一MOS晶体管Q2的源极与所述第一供电电源 (+3_3V)的输出端连接，所述第一MOS晶体管Q2的栅极与所述低电平产生电路的输出端连接，所述第一MOS晶体管Q2的漏极与外接唤醒汽车电脑连接。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，所述高电平输出电路还包括第三电阻R8,所述第三电阻R8的一端与所述第一MOS晶体管Q2的漏极连接，所述第三电阻R8的另一端与参考地连接。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，所述低电平产生电路还包括第二二极管D14，所述第一电容C8通过所述第二二极管D14与所述第一电阻 R6的连接，其中，所述第二二极管D14的阳极与所述第一电容C8的所述另一端连接，所述第二二极管D14的阴极与所述第一电阻R6的所述一端连接。

进一步地，根据本实用新型的一个实施例，所述低电平产生电路还包括第二电容C7，所述第二电容C7的一端与所述第一三极管Q1的集电极连接，所述第二电容C7的另一端与所述第一电容C8的所述另一端连接。

实用新型实施例提供的汽车打火检测电路，通过低电平产生电路检测汽车电瓶的打火时产生的低电平脉冲信号，并输出与低电平脉冲信号相对应的低电平信号；并通过高电平输出电路在所述低电平信号的作用下产生高电平输出信号。实现汽车打火后快速(1秒内)高电平信号输出，对汽车电脑可快速唤醒。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的汽车打火快速产生高电平结构框图；

图2为本实用新型实施例提供的汽车打火检测电路结构示意图。

附图标记：

汽车电瓶10；

打火产生高电平电路20；

低电平产生电路201；

高电平输出电路202；

汽车电子设备30。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本实用新型的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

参阅图1和图2，本实用新型提供一种汽车打火检测电路，包括：低电平产生电路201和高电平输出电路202，所述低电平产生电路201与汽车电瓶10 电源输出端连接，用于检测汽车电瓶10的打火时产生的低电平脉冲信号，并输出与低电平脉冲信号相对应的低电平信号；参阅图1，当汽车打火时，所述电瓶电压会瞬间拉低，并随后升高，从而产生瞬间低电平脉冲信号，所述低电平产生电路201检测所述低电平脉冲信号，并根据所述低电平脉冲信号输出相对应的低电平信号。

所述高电平输出电路202与所述低电平产生电路201连接，用于在所述低电平信号的作用下产生高电平输出信号。所述高电平输出电路202的初始状态为电平状态。当所述低电平产生电路201输出低电平时，所述高电平输出电路 202产生与所述低电平产生电路201相对应的高电平。

实用新型实施例提供的汽车打火检测电路，通过低电平产生电路201检测汽车电瓶10的打火时产生的低电平脉冲信号，并输出与低电平脉冲信号相对应的低电平信号；并通过高电平输出电路202在所述低电平信号的作用下产生高电平输出信号。实现汽车打火后快速(1秒内)高电平信号输出，对汽车电脑可快速唤醒。

参阅图2，所述低电平产生电路201包括第一电容C8、第一电阻R6、第二电阻R7、第一二极管D15和第一三极管Q1；所述第一电容C8的一端与所述汽车电瓶10电源输出端连接，所述第一电容C8的另一端与所述第一电阻R6的一端连接，所述第一电阻R6的另一端与所述第一三极管Q1的基极连接，所述第一三极管Q1的发射机与参考地连接，所述第一三极管Q1的集电极还通过第二电阻R7与第一供电电源(+3_3V)的输出端连接，所第一二极管D15的阴极与所述第一电容C8的所述另一端连接，所述第一二极管D15的阳极与参考地连接。

具体的，当所述汽车电瓶10在汽车打火时将电压拉低时，所述第一电容 C8导通，所述第一电容C8开始放电。当所述汽车打火后，所述汽车电瓶10 电压升高，并快速恢复到原来的电平电压，此过程中，所述第一电容C8再次导通并开始充电，第一电容C8充电过程使得所述第一三极管Q1的集电极与发射极之间导通，所述第一三极管Q1的集电极输出低电平，所述低电平作用到所述高电平输出电路202，使得所述高电平输出电路202产生输出高电平。

参阅图2，所述高电平输出电路202包括第一MOS晶体管Q2，所述第一 MOS晶体管Q2的源极与所述第一供电电源(+3_3V)的输出端连接，所述第一 MOS晶体管Q2的栅极与所述低电平产生电路201的输出端连接，所述第一 MOS晶体管Q2的漏极与外接唤醒汽车电脑连接。当所述低电平输出电路产生低电平时，所述低电平作用在所述括第一MOS晶体管Q2的栅极，由于所述 MOS晶体管为P沟道晶体管，当所述MOS晶体管的栅极为低电平时，所述括第一MOS晶体管Q2导通，所述第一MOS晶体管Q2输出所述第一供电电源 (+3_3V)的电压值。

参阅图2，所述高电平输出电路202还包括第三电阻R8,所述第三电阻R8 的一端与所述第一MOS晶体管Q2的漏极连接，所述第三电阻R8的另一端与参考地连接。通过所述第三电阻R8使得所述第一MOS晶体管Q2的漏极为预设低值。在其他一些实施例中，所述当不设有所述第三电阻R8时，所述第一 MOS晶体管Q2的漏极为高阻状态。

参阅图2，所述低电平产生电路201还包括第二二极管D14，所述第一电容C8通过所述第二二极管D14与所述第一电阻R6的连接，其中，所述第二二极管D14的阳极与所述第一电容C8的所述另一端连接，所述第二二极管D14 的阴极与所述第一电阻R6的所述一端连接。所述第二二极管D14的单向导通性，使得所述第一电容C8充电时，所述第一三极管Q1导通。

参阅图2，所述低电平产生电路201还包括第二电容C7，所述第二电容C7 的一端与所述第一三极管Q1的集电极连接，所述第二电容C7的另一端与所述第一电容C8的所述另一端连接。

以上仅为本实用新型的实施例，但并不限制本实用新型的专利范围，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本实用新型说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本实用新型专利保护范围之内。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。